mooc电力电子变流技术章节答案(慕课2023课后作业答案)

分类：事业单位答案发布于：2024-06-02 12:50:10ė04958次浏览620条评论

mooc电力电子变流技术章节答案(慕课2023课后作业答案)

第1章电力电子器件

第1次测试（绪论与第1章）

1、电力电变什么是流技电力电子技术？
A、用于电力领域的术章电子技术，即应用电力电子器件对电能进行变换和控制的节答技术。
B、案慕案用于电力领域和信息领域的课课电子技术的总称。
C、后作用于电气领域和信息领域的业答电子技术的总称。
D、电力电变电力电子技术的流技简称就是电子技术。

2、术章电力变换通常包括哪几类？
A、节答AC/DC和DC/AC两大类。案慕案
B、课课AC/DC、后作DC/AC、DC/DC、AC/AC四大类。
C、AC/DC、DC/AC、DC/DC三大类。
D、DC/AC、DC/DC、AC/AC三大类。

3、对电力电子器件描述正确的是：
A、电力电子器件可直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。
B、电力电子器件是电子器件的总称。
C、电力电子器件可用于电子系统中，实现电能的变换或控制的器件。
D、电力电子器件不能直接用于主电路中，只是实现电能的变换或控制的电子器件。

4、电力电子器件同处理信息的电子器件相比，下面描述正确的是：
A、电力电子器件的开通与断开一般不需要由信息电子电路来控制。
B、能处理电功率的能力，一般远大于处理信息的电子器件。
C、电力电子器件一般都工作在开通状态。
D、电力电子器件一般都工作在关断状态。

5、下面对电力二极管描述正确的是哪个？
A、电力二极管正向导通后，其正向压降为0V。
B、电力二极管加反向电压就会被击穿。
C、电力二极管的基本原理就是PN结的单向导电性。
D、电力二极管加正向电压后其正向压降为0.7V。

6、电力二极管的额定电流指的是：
A、允许流过最大电流的平均值。
B、允许流过最大工频正弦半波电流有效值。
C、允许流过最大方波电流的平均值。
D、允许流过最大工频正弦半波电流的平均值。

7、如下对晶闸管的半导体结构描述正确的是：
A、晶闸管具有PNP和NPN六层半导体结构。
B、晶闸管具有PN或NP这两层半导体结构。
C、晶闸管具有PNP或NPN三层半导体结构。
D、晶闸管具有PNPN四层半导体结构。

8、如下所述，晶闸管是如何导通的：
A、在晶闸管阳极——阴极之间无论加正向或反向电压，只要门极加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。
B、在晶闸管阳极——阴极之间加反向电压，门极加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。
C、在晶闸管阳极、门极（都相对于阴极）加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。
D、在晶闸管阳极——阴极之间加反向电压，门极也加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。

9、如下所述，晶闸管门极的控制作用，表述正确的是：
A、晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。
B、晶闸管导通后，门极一旦无电流，则晶闸管就立即关断。
C、晶闸管导通后，门极一旦加反向电压，则晶闸管就立即关断。
D、晶闸管导通后，门极与阴极短路，则晶闸管就立即关断。

10、已经导通的晶闸管是如何关断的？
A、要使晶闸管关断，则晶闸管的阳极电流要降到1A以下。
B、要使晶闸管关断，只能在晶闸管两端加反向电压。
C、要使晶闸管关断，只能要求晶闸管门极电流等于0。
D、要使晶闸管关断，则晶闸管的阳极电流要降到接近于零的某一数值以下。

11、如下所述，晶闸管正向特性表述正确的是：
A、随着门极电流幅值的不断增大，正向转折电压随之增大。
B、只要门极电流幅值大于1mA，晶闸管承受正向电压时就导通。
C、随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。
D、随着门极电流幅值的增大，正向转折电压随之上升。

12、如下所述，晶闸管反向特性表述正确的是：
A、晶闸管加反向电压时，只要门极电流幅值较大，则晶闸管反向导通。
B、反向特性类似于二极管的反向特性。
C、晶闸管加反向电压时，只要门极也加反向电压，则晶闸管反向导通。
D、晶闸管不允许加反向电压，如果加反向电压，立刻击穿。

13、如下所述，晶闸管开通与关断表述正确的是：
A、晶闸管开通与关断过程都是即时完成的。
B、晶闸管关断是即时完成的，开通需要一定时间的。
C、晶闸管开通是即时完成的，关断需要一定时间的。
D、晶闸管开通与关断都需要一定时间。

14、对晶闸管额定电流表述正确的是下面哪个？
A、允许流过最大工频正弦半波电流有效值。
B、允许流过最大方波电流的平均值。
C、允许流过最大的工频正弦半波电流的平均值。
D、允许流过最大电流的平均值。

15、如下所述，门极可关断晶闸管GTO半导体结构是：
A、门极可关断晶闸管GTO不是PNPN四层的半导体结构。
B、门极可关断晶闸管GTO是PNPN四层半导体结构。
C、门极可关断晶闸管GTO与晶闸管SCR的半导体结构不一样。
D、门极可关断晶闸管GTO是PPPN或PNNN四层半导体结构。

16、如下所述，GTO能够通过门极关断吗？
A、GTO能够（或可以）通过门极关断。
B、只要门极关断功率足够大，GTO和SCR都能够通过门极关断。
C、GTO不能够通过门极关断。
D、GTO能够通过门极关断，但门极与阴极间不能加反向电压。

17、如下所述，GTR典型输出特性分为：
A、典型输出特性分为三个区：截止区、放大区和非饱和区。
B、典型输出特性分三个区：截止区、放大区和饱和区。
C、典型输出特性分为三个区：截止区、线性区和非饱和区。
D、典型输出特性分为三个区：截止区、非线性区和饱和区。

18、有关GTR的二次击穿现象表述正确的是：
A、虽然GTR存在二次击穿现象，但GTR的安全工作区与二次击穿现象无关。
B、GTR的安全工作区就是二次击穿曲线。
C、GTR的安全工作区与其存在二次击穿现象有关。
D、GTR的安全工作区是矩形的。

19、电力MOSFET导通表述正确的是：
A、当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极间存在导电沟道。
B、当栅极电压小于零时，N沟道增强型的电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。
C、当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极间不能导通。
D、当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。

20、MOSFET的输出特性分为：
A、MOSFET输出特性分三个区：截止区、放大区和非饱和区。
B、MOSFET输出特性分三个区：截止区、放大区和饱和区。
C、MOSFET的输出特性分三个区：截止区、非饱和区和饱和区。
D、MOSFET的输出特性分为三个区：截止区、非饱和区以及放大区。

21、有关MOSFET的通态电阻，表述正确的是哪个？
A、MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流不利。
B、MOSFET的通态电阻具有负温度系数，不能并联使用。
C、MOSFET的通态电阻具有负温度系数，对器件并联时的均流有利。
D、MOSFET的通态电阻具有正温度系数，此特性对器件并联时的均流有利。

22、如下关于MOSFET的开关速度，表述正确的是：
A、MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速。
B、MOSFET是场控器件，静态时栅极几乎不需输入电流，开通关断过程时间长。
C、MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程时间长。
D、MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程非常迅速。

23、关于绝缘栅双极晶体管开关速度，表述正确的是：
A、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比GTR慢。
B、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比电力MOSFET更快。
C、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其驱动电流很大。
D、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度通常比GTR更快。

24、如下所述，关于绝缘栅双极晶体管安全工作区，表述正确的是：
A、相同电压和电流定额时，IGBT安全工作区与GTR是一样的。
B、相同电压和电流定额时，IGBT安全工作区比GTR宽。
C、相同电压和电流定额时，IGBT的安全工作区比GTR更窄。
D、相同电压和电流定额时，IGBT安全工作区比GTR稍窄，但几乎相同。

25、如下所述，有关新型半导体器件，表述正确的是：
A、集成门极换流晶闸管简称IGCT。
B、金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。
C、绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。
D、半导体的禁带宽度比金属的禁带宽度窄。

26、有关功率集成电路，下面哪个表述是正确的？
A、功率半控器件的驱动集成电路称为功率集成电路。
B、将功率自关断器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路封装在一起，称为功率集成电路。
C、功率自关断器件称为功率集成电路。
D、将功率自关断器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为功率集成电路。

27、如下有关电力电子器件驱动，表述正确的是：
A、电流驱动型的电力电子器件具有输入阻抗很高的特点。
B、电压驱动型电力电子器件具有输入阻抗高的特点。
C、电流驱动型和电压驱动型电力电子器件都具有输入阻抗高的特点。
D、电流驱动型和电压驱动型电力电子器件输入阻抗相同。

28、电力电子器件类型可按如下哪种分类？
A、电力电子器件可分为二极管型、双极型和复合型三类。
B、电力电子器件可分为双极型和复合型两类。
C、电力电子器件可分为二极管型、单极型、双极型和复合型四类。
D、电力电子器件可分为单极型、双极型和复合型三类。

29、信息电子技术和电力电子技术都属于电子技术。

30、按照器件能够被控制的程度，分为以下三类：半控型器件、全控型器件、不可控器件。

31、二极管的基本原理就在于PN结的单向导电性。

32、电力二极管额定电流指允许通过电力二极管电流的有效值。

33、三极管共基极电流放大倍数为集电极电流与发射极电流之比。

34、如果晶闸管原来是阻断的，即使有外加正向阳极电压，但如果无触发电流IG,则晶闸管仍然是阻断的。

35、晶闸管反向阻断状态时，如果有触发电流IG，则晶闸管反向导通。

36、晶闸管断态重复峰值电压是指在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。

37、GTO与普通晶闸管都是PNPN四层半导体结构，引出3个极。

38、电力晶体管也称为GTR，与普通的双极结型晶体管相比，耐压低但电流大。

39、N沟道增强型电力MOSFET，引出3个端，分别为G--栅极、D--漏极、S--源极。

40、电力场效应晶体管的通态电阻具有负温度系数，对器件并联时的均流不利。

41、绝缘栅双极晶体管相当于是GTR和MOSFET两类器件取长补短结合而成的复合器件。

42、绝缘栅双极晶体管输出特性分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。

43、IGCT是集成门极换流晶闸管（Integrated Gate-Commutated Thyristor）的英文缩写。

44、晶闸管、GTO、GTR是单极型器件；电力MOSFET是双极型器件；IGBT、MCT、IGCT是复合型器件。

第1次作业（含第0章）

1、什么是电力电子技术？

2、传统电力电子技术与现代电力电子技术各自特征是什么？

3、按可控性分类，电力电子器件分哪几类？

4、电力二极管有哪些类型？各类型电力二极管的反向恢复时间大约为多少?

5、已处于通态的晶闸管，撤除其驱动电流为什么不能关断，怎样才能使晶闸管由导通变为关断？

6、GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？

第2次作业1（第1章）

1、关于GTR，请回答如下两个问题： 1）描述GTR 的二次击穿特性。 2）为什么GTR 在开关瞬变过程中易被击穿?有什么预防措施?

2、比较电力MOSFET与IGBT内部结构，说明电力MOSFET在开关特性上的优点。

3、作为开关使用时，IGBT有哪些优点？

4、试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。

5、试分析电力电子集成技术可以带来哪些益处。智能功率模块与功率集成电路实现集成的思路有何不同？

第2章电力电子器件的使用问题

第2次测试（第2章）

1、关于驱动电路的电气隔离，表述正确的是下面哪个？
A、电力电子器件驱动电气隔离环节一般采用光隔离。
B、电力电子器件驱动电气隔离环节一般采用绝缘材料隔离。
C、电力电子器件驱动的电气隔离环节一般采用光隔离或磁隔离。
D、电力电子器件驱动电气隔离环节一般采用磁隔离。

2、关于晶闸管触发电路的输出脉冲，表述正确的是下面哪个？
A、脉冲宽度应使晶闸管可靠导通，触发脉冲应有足够的宽度与幅度。
B、触发脉冲瞬时功率不得大于平均功率定额。
C、触发脉冲宽度无要求，触发脉冲应有足够的幅度。
D、触发脉冲应有足够的幅度，触发脉冲宽度无要求。

3、关于相控电路的驱动电路，表述正确的是：
A、相控驱动电路要有同步环节，同步信号频率与主电路电源的频率相同，两者相位关系则随外加控制信号的变化而变化。
B、相控驱动电路要有同步环节，同步信号频率与主电路电源的频率相同且相位关系确定。
C、相控驱动电路都不需要同步环节，外加控制电压大小可以确定控制相位。
D、相控驱动电路都不需要同步环节，外加控制电压大小基本可以确定控制相位。

4、关于电力电子器件驱动，表述正确的是下面哪个？
A、IGBT驱动电路需要输出很大的驱动电流，对输出电压大小无特别规定。
B、GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
C、MOSFET驱动电路输出的驱动电流不大，对输出电压大小无特别规定。
D、MOSFET驱动电路输出的驱动电流很大，对输出电压大小有规定。

5、GTR驱动电路中的贝克嵌位二极管是为了：
A、使GTR截止。
B、防止GTR导通时的过饱和。
C、防止GTR导通。
D、防止GTR导通时处于欠饱和状态。

6、如下所述，关于电力电子装置过电压，表述正确的是：
A、需采取措施对电力电子装置进行过电压保护。
B、雷击过电压是由电力电子装置外部产生的，不需要采取措施进行保护。
C、电力电子装置过电压分为外因过电压、操作过电压、雷击过电压、换相过电压、关断过电压5类。
D、电力电子装置过电压分为操作过电压、雷击过电压、换相过电压、关断过电压4类。

7、关于电力电子装置过电流保护，表述正确的是下面哪一个？
A、如果电力电子装置中已经安装了快速熔断器，则不需要其它过电流保护措施。
B、对重要的、且易发生短路的晶闸管设备或全控型器件，需采用电子电路进行过电流保护，响应最快。
C、快速熔断器仅用于部分区段的过载保护。
D、快速熔断器仅用于短路保护。

8、关于电力电子器件缓冲电路，表述正确的是下面哪一个？
A、缓冲电路又称吸收电路，目的是吸收电力电子器件的热量。
B、缓冲电路又称吸收电路，目的是使器件的开关速度变为缓慢。
C、缓冲电路又称吸收电路，目的是抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。
D、缓冲电路又称吸收电路，目的是抑制器件内因过电压、过电流，但并没有减小器件的开关损耗。

9、关于关断缓冲电路，表述正确的是：
A、di/dt抑制电路又称为关断缓冲电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压。
B、du/dt抑制电路又称为关断缓冲电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小关断损耗。
C、关断缓冲电路用于抑制器件的电流过冲和di/dt。
D、du/dt抑制电路又称为关断缓冲电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小器件的开通损耗。

10、关于晶闸管的串联，表述正确的是：
A、晶闸管串联使用时，仅需要采取静态均压措施即可。
B、晶闸管串联均压措施就是选择动态参数和特性尽量一致的器件即可。
C、晶闸管串联使用时，需要采取静态均压措施和动态均压措施。
D、晶闸管串联使用时，仅需要采取动态均压措施即可。

11、MOSFET和IGBT并联运行，表述正确的是下面哪一个？
A、型号相同的MOSFET可以并联运行，而IGBT不可以并联运行。
B、型号相同的MOSFET可以并联运行，IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数，也可以并联使用。
C、型号相同的MOSFET不可以并联运行，而IGBT可以并联运行。
D、型号相同的MOSFET和IGBT都不可以并联运行。

12、下面表述正确的是哪一个？
A、驱动电路对装置的影响有：缩短开关时间、减少损耗，提高装置的运行效率、安全性、可靠性。
B、器件过电压成因有外因与内因，外因为换相、关断过电压；内因为操作、雷击过电压。
C、过压保护一般用避雷器即可。
D、过流保护一般用压敏电阻即可。

13、驱动电路也称为触发电路，是主电路与控制电路之间的接口。

14、GTO关断控制不需要施加负门极电流。

15、晶闸管可控整流电路，通过控制触发角a的大小即控制触发脉冲起始相位使晶闸管的断开，从而控制输出电压大小。

16、同步信号为锯齿波的触发电路有三个基本环节：脉冲的形成与放大、锯齿波的形成和脉冲移相、同步环节。此外，还有强触发和双窄脉冲形成环节等环节。

17、电力电子装置过电压分为外因过电压和内因过电压。外因过电压主要来自雷击和系统操作过程等外因，内因过电压来自电力电子装置内部器件的开关过程。

18、开通缓冲电路（di/dt抑制电路）的作用是抑制器件开通时的电流过冲和di/dt，减小器件的开通损耗。

19、晶闸管的串联使用时，既要避免静态不均压，又要避免动态不均压。

20、电气隔离分为光隔离、磁隔离以及变压器隔离三种。

21、电力电子器件过热的原因在于气温太高，在常温下不需要过热保护。

22、电力电子器件工作过程中会产生热量，一般应采取散热措施。

第2次作业2（第2章）

1、驱动电路的基本任务有哪些？

第3次作业1（第2章）

1、IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？

2、电力电子器件过电压保护和过电流保护各有哪些主要方法？

3、电力电子器件过热保护有哪些主要方法？

4、电力电子器件缓冲电路是怎样分类的？全控器件缓冲电路的主要作用是什么？试分析RDC缓冲电路中各元件的作用。

第5章交流-直流变换技术

第5次测试（第5章）

1、关于控制角，表述正确的是下面的哪一个？
A、从SCR承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为触发延迟角，也称触发角或控制角。
B、晶闸管在一个电源周期中处于通态的电角度称为控制角。
C、晶闸管的控制角也称为导通角。
D、晶闸管的控制角等于导通角加30度。

2、关于单相桥式全控整流电路，如下表述正确的是：
A、单相桥式全控整流电路简单，但是，整流变压器存在直流磁化现象。
B、单相桥式全控整流电路中的整流变压器不存在直流磁化现象。
C、单相桥式全控整流电路简单，在电阻性负载时，整流变压器存在直流磁化现象。
D、单相桥式全控整流电路简单，在电感性负载时，整流变压器存在直流磁化现象。

3、关于单相桥式全控整流电路输出波形，表述正确的是：
A、单相桥式全控整流电路输出电压波形与负载无关。
B、单相桥式全控整流电路阻感负载与反电动势阻感负载时，如果控制角相等，输出电流是一样的。
C、单相桥式全控整流电路，分别带感负载与反电动势阻感负载运行时，如果控制角相等，电流连续，输出电压波形、电流波形、电流大小都是一样的。
D、单相桥式全控整流电路阻，分别带感负载与反电动势阻感负载运行时，如果控制角相等、电流连续，输出电压波形是一样的。

4、关于单相全波整流电路，表述正确的是：
A、单相全波整流电路只用2个晶闸管；但是晶闸管承受的最大电压是单相全控桥的2倍。
B、单相全波整流电路只用2个晶闸管；但是，当负载相同时，通过晶闸管的最大电流是单相全控桥整流电路的2倍。
C、单相全波与单相全控桥整流电路中，各晶闸管承受的最大电压相等。
D、单相全波与单相全控桥整流电路中，各晶闸管承受的电压波形相同。

5、单相全波整流电路输出波形，如下表述正确的是：
A、如果控制角相等、负载相同，单相全波整流电路的输出整流电压波形与单相全控整流电路一样，输出电流波形不一样。
B、如果控制角相等、负载相同，单相全波整流电路的输出整流电压和电流波形与单相全控整流电路都是不一样的。
C、如果控制角相等、负载相同，单相全波整流电路的输出整流电流波形与单相全控整流电路一样，输出电压波形不一样。
D、如果控制角相等、负载相同，单相全波整流电路的输出整流电压和电流波形与单相全控整流电路一样。

6、三相可控整流电路中的整流变压器，表述正确的是：
A、三相可控整流电路中的整流变压器一般采用△/Y或Y/ △接法，避免产生3次谐波，如果为了得到零线，则采用△/Y接法。
B、三相可控整流电路中的整流变压器一般采用Y/Y或△/△接法，避免产生3次谐波，如果为了得到零线，则采用Y/Y接法或采用△/Y接法。
C、三相可控整流电路中的整流变压器只能采用Y/Y。
D、三相可控整流电路中的整流变压器只能采用△/△。

7、三相半波可控整流电路的输出电流波形，表述正确的是：
A、电阻性负载的三相半波可控整流电路只有在a<90° 且电阻较小时，输出电流处于都连续状态。
B、电阻性负载的三相半波可控整流电路只有在a<60° 时无输出电流。
C、电阻性负载的三相半波可控整流电路只有在a<30° 时输出电流处于都连续状态。
D、电阻性负载的三相半波可控整流电路输出电流处于都连续状态。

8、三相桥式全控整流电路输出电流波形，表述正确的是：
A、电阻性负载的三相桥式全控整流电路只有在a<30° 且电阻较小时，输出电流都处于连续状态。
B、电阻性负载的三相桥式全控整流电路只有在a<60° 时输出电流都处于连续状态。
C、电阻性负载的三相桥式全控整流电路只有在a<90° 时无输出电流。
D、电阻性负载的三相桥式全控整流电路输出电流都处于连续状态。

9、三相桥式全控整流电路导通晶闸管数量（不考虑漏感），下面表述正确的是哪一个？
A、三相桥式全控整流电路每个时刻均需2个晶闸管同时导通，共阴极组的2个或共阳极组的2个导通。
B、三相桥式全控整流电路每个时刻均需2个晶闸管同时导通，共阴极组的和共阳极组的各1个，且不能为同一相的晶闸管。
C、三相桥式全控整流电路每个时刻仅需1个晶闸管导通。
D、三相桥式全控整流电路每个时刻仅需1个晶闸管导通。

10、三相桥式全控整流电路波头数，下面表述正确的是哪一个？
A、三相桥式全控整流电路，在一个工频周期内，其输出电压波形为6个波头。
B、三相桥式全控整流电路输出电压波形为3个波头。
C、三相桥式全控整流电路输出电压波形在一个工频周期内为1个波头。
D、三相桥式全控整流电路输出电压波形在一个工频周期内为4个波头。

11、三相桥式全控整流电路带阻感负载时移相范围为：
A、三相桥式全控整流电路带阻感负载时控制角a移相范围为180°。
B、三相桥式全控整流电路带电阻负载时控制角a移相范围为90°。
C、三相桥式全控整流电路带阻感负载且电感极大时，控制角a移相范围为90°。
D、三相桥式全控整流电路带电阻负载或带阻感负载时。其控制角a移相范围都为90°。

12、变压器漏感对整流输出电压值的影响是：
A、变压器漏感使整流输出电压平均值升高。
B、变压器漏感对整流电路的影响之一是使整流输出电压平均值降低。
C、变压器漏感对整流电路的影响之一是波形变化了，但整流输出电压平均值不变。
D、变压器漏感对整流输出电压平均值无影响。

13、关于变压器漏感影响工作状态，如下表述正确的是：
A、变压器漏感对整流电路的影响之一是使整流电路的工作状态增多。
B、变压器漏感对整流电路输出电压平均值有影响，但不影响整流电路的工作状态。
C、变压器漏感既不影响整流电路输出电压平均值，也不影响整流电路的工作状态。
D、变压器漏感既不影响整流电路输出电压平均值，但它影响了整流电路的工作状态。

14、有源逆变时的直流电动势，表述正确的是哪一个？
A、要有直流电动势，其值应大于变流器直流侧的平均电压，其极性须和晶闸管的导通方向一致。
B、要有直流电动势，其值应大于变流器直流侧的平均电压，其极性没有特别的规定。
C、要有直流电动势，其值应小于变流器直流侧的平均电压。
D、要有直流电动势，其值应等于变流器直流侧的平均电压。

15、关于逆变角，如下表述正确的是：
A、限制逆变角的最小值，其目的是为了防止逆变时的输出电流过小。
B、限制逆变角的最大值，其目的是为了防止逆变失败而无法工作。
C、限制逆变角的最小值，其目的是为了防止输出电压太小而无法工作。
D、限制逆变角的最小值，其目的是为了防止逆变失败。

16、关于触发电路的定相，表述正确的是下面哪一个？
A、晶闸管可控整流电路若采用同步信号为锯齿波的触发电路，触发电路的定相指的是确定每相触发电路的频率。
B、晶闸管可控整流电路若采用同步信号为锯齿波的触发电路，则触发电路定相的关键是确定同步信号数量。
C、晶闸管可控整流电路若采用同步信号为锯齿波的触发电路，则触发电路定相的关键是确定同步信号与晶闸管阳极电压的相位关系。
D、晶闸管可控整流电路若采用同步信号为锯齿波的触发电路，触发电路的定相指的是确定输入电压相数。

17、关于PWM整流电路，表述正确的是下面哪一个？
A、PWM整流电路只能使输入电源的功率因数近似为1。
B、可以通过对PWM整流电路的适当控制，使输入电流接近正弦波，且和输入电压同相位，功率因数近似为1。
C、PWM整流电路只能工作于整流状态。
D、PWM整流电路只能工作于逆变状态。

18、关于CCM模式单相APFC的PWM整流电路，表述正确的是下面哪一个？
A、常用的控制方法有2种：峰值电流控制、电流滞环控制，峰值电流控制方法性能好，应用较多。
B、常用的控制方法有2种：峰值电流控制、电流滞环控制，电流滞环控制方法性能好，应用较多。
C、常用的控制方法有3种：峰值电流控制、电流滞环控制、平均电流控制，平均电流控制方法性能好，应用较多。
D、常用的控制方法只有1种，即峰值电流控制。

19、整流电路（Rectifier）的作用是将交流电能变为直流电能供给直流用电设备。

20、电阻负载时的单相桥式可控整流电路，负载电压波形与电流波形的形状是反相的。

21、阻感负载时的单相桥式可控整流电路，当负载电感很大时，负载电流波动随之增大。

22、反电动势负载时的单相桥式可控整流电路，若电感量足够大使电流连续，则晶闸管每次导通90°。

23、单相全波整流电路仅需要2个晶闸管。

24、当整流负载容量较大，或要求直流电压脉动较小、易滤波时，应采用多相整流电路。

25、阻感负载时的三相半波可控整流电路，当控制角a≤90°时，整流电压波形与电阻负载时的整流电压波形相同。

26、三相桥式全控整流电路有6个晶闸管，其中3个晶闸管阴极连接在一起的称为共阴极组；另3个晶闸管阳极连接在一起的称为共阳极组。

27、电阻负载时的三相桥式全控整流电路，当控制角a=90°，负载电流是连续的。

28、三相桥式全控整流电路每个时刻均需2个晶闸管同时导通，同一相的共阴极组和共阳极组各1个晶闸管导通。

29、阻感负载时的三相桥式全控整流电路，当控制角a≤90°时，负载电压波形与带电阻负载时负载电压波形一样。

30、变压器绕组总有漏感，漏感对电流的变化起阻碍作用，电感电流不能突变，因此换相过程不能瞬间完成，而是会持续一段时间。

31、变压器漏感使整流电路输出电压较小。

32、变流电路交流侧不与电网联接，而直接接到负载，即把直流电逆变为交流电直接供给负载，称为无源逆变。

33、三相桥整流电路的有源逆变工作状态时，逆变角b等于180度加上控制角a。

34、逆变运行时，当逆变角b太小时，换相的裕量角不足，就会引起换相失败。

35、触发电路的定相指的是：触发电路应保证每个晶闸管触发脉冲与施加于晶闸管的交流电压保持固定、正确的相位关系。

36、三相或单相PWM整流电路，通过适当控制，可以使输入电流接近正弦波，但功率因数很小，一般为0.5。

37、三相PWM整流电路的工作原理相当于对3个半桥分别进行控制，使三相输入电流幅值可以完全相同，三相输入电流相位也是相同的。

38、采用有源功率因数校正(简称APFC)技术，可以提高电力电子装置网侧功率因数。