超星微电子工艺（广州轻工2019年2月开课）课后答案(学习通2023课后作业答案)
75 min read超星微电子工艺（广州轻工2019年2月开课）课后答案(学习通2023课后作业答案)
第一讲 作业
1、在硅片晶向、微电掺杂类型介绍中，工艺广州由硅片断裂边形成的轻工角度是60o可知硅片是什么晶向?
A、（100）
B、年月（111）
C、开课课后（110)
D、答案(211)
2、学习磷在硅熔体与晶体中的通课分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的后作掺磷硅锭的电阻率：
A、轴向均匀
B、业答轴向递减
C、超星轴向递増
D、微电径向递减
3、工艺广州关于拉单晶时进行的轻工缩颈步骤，下面的说法那种正确
A、可以多次缩颈
B、为了能拉出与籽晶相同的硅锭
C、为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸
D、为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸
4、在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭
5、拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的 造成。
第二讲 介绍第2章 外延，包括：外延概述、汽相外延、分子束外延、其它外延、外延层缺陷及检测共五节内容
第二讲 作业
1、VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：
A、自掺杂效应
B、互扩散效应
C、衬底表面没清洗干净的缘故。
D、掺杂气体不纯
2、在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？
A、MBE
B、VPE、LPE
C、UHV/CVD
D、SEG、SPE
3、如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。
4、外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长 薄膜。
5、VPE制备n-/n+ -Si用硅烷为源，硅烷是在 完成的分解。 可从下面选择： 气相 硅片表面 n-/n+Si界面
第四讲 介绍第4章 扩散，包括：扩散机构、晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程、杂质的扩散掺杂等共7节内容。
第四讲 作业
1、
A、图（a）是限定源扩散，图（b）恒定源扩散
B、图（a）、（b）都是限定源扩散
C、图（a）、（b）都是恒定源扩散
D、图（a）是恒定源扩散，图（b）限定源扩散
2、扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸 ，这是 效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。
A、大，横向扩散
B、小，横向扩散
C、大，场助扩散
D、大，氧化增强
3、扩散系数在何时不可以看成是常数：
A、在中等浓度p型硅上扩散掺入n型杂质；
B、在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质；
C、在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼。
D、在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化。
4、一扩散，采取两歩工艺：预淀积温度高（1200℃）时间长（50min），再分布温度低（970℃）时间短（30min），杂质近似为服从高斯分布。
5、在p-Si中扩磷13分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到1.5μm，在原条件下还要扩 分钟。（只保留整数）
期末考试
2018秋季微电子工艺期末考试
1、CZ法拉不出高阻单晶硅锭的主要原因是：
A、坩埚材料分解出的氧会进入硅锭；
B、干锅清洗不干净造成；
C、多晶硅原料纯度不够高；
D、气相杂质融入熔体再进入了硅锭。
2、实际VPE工艺温度多在质量传递控制区，此时外延速率：
A、对温度非常敏感；
B、对温度不太敏感；
C、源的气相扩散的影响不大
D、源气体分压的影响不大。
3、关于硅的热氧化，下面哪种说法正确：
A、湿氧比干氧慢得多；
B、水汽氧化层比干氧氧化层致密；
C、氧化反应是在Si/SiO2界面发生的；
D、升高氧气（或水汽）分压不影响生长速率。
4、在D-G模型中假定稳定生长氧化层时，氧化剂的气相输运、固相扩散和化学反应三个流密度应：
A、不等；
B、相等；
C、气相输运>固相扩散>化学反应；
D、气相输运<固相扩散<化学反应。
5、对晶体中的慢扩散杂质，下列晶体缺陷中对其扩散速率影响最大的是：
A、自填隙；
B、空位；
C、替位杂质；
D、填隙杂质。
6、看图判断下列描述是否正确：
A、是有限源扩散，杂质浓度分布是高斯函数；
B、是有限源扩散，杂质浓度分布是余误差函数；
C、是恒定源扩散，杂质浓度分布是高斯函数；
D、是恒定源扩散，杂质浓度分布是余误差函数。
7、CVD可分为低温工艺、中温工艺、高温工艺，不同温度制备的同种薄膜(如SiO2)的密度：
A、都相同；
B、温度升高，略有增加；
C、温度升高，略有下降；
D、与温度无关。
8、基于LSS理论，离子注入受到靶原子核与电子的阻止：
A、核阻止和电子阻止是独立的；
B、核阻止和电子阻止与入射离子能量无关；
C、核阻止本领<电子阻止本领；
D、核阻止本领>电子阻止本领。
9、多晶硅薄膜通常采取哪种方法制备：
A、APCVD
B、磁控溅射
C、LPCVD
D、VPE
10、PVD与CVD比较，下列那种说法正确：
A、PVD薄膜的保形性更好；
B、PVD薄膜与衬底的粘附性较差；
C、CVD工艺温度更低；
D、CVD普适性更好。
11、关于正胶和负胶的特点，下列哪种说法正确？
A、负胶的分辨率比正胶好；
B、正胶在显影时感光区发生交联反应；
C、负胶的感光区域在显影时溶解；
D、正胶的感光区域在显影时溶解。
12、外延用衬底硅片一般偏离准确晶向一个小角度，如（111）-Si偏离3o，下列那种说法正确？
A、这是切片误差；
B、这是为外延生长提供更多的结点位置；
C、这是为了得到原子层量级的台阶；
D、这是切片工艺本身要求的。
13、硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为Ns，在进行了40min扩散后，测得结深是1.5μm，若要获得2.0μm的结深，在原工艺基础上应再扩散多少分钟？硅表面杂质浓度是多少？
A、应再扩散71min
B、表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度；
C、应再扩散31 min
D、杂质表面浓度=Ns
E、杂质表面浓度<Ns
14、P在两歩扩散工艺中，第二步再分布的同时又进行了热氧化（kp=10），这会给再分布扩散带来哪些影响：
A、P扩散速度不变；
B、P扩散速度加快；
C、扩散速度减慢；
D、扩入Si的P总量下降；
E、在SiO2/Si界面Si一侧的P堆积（是指高于SiO2一侧）；
F、在SiO2/Si界面Si一侧的P耗竭（是指低于SiO2一侧）。
15、扩散系数是表征扩散快慢的参数，它相当于单位浓度梯度时的扩散通量，所以它：
A、有单位；
B、无单位；
C、单位为m∧2/s
D、单位为m/s
16、在Si中注入P+，能量为100KeV，剂量是10∧13离子/cm∧2，查表可知Rp≈0.12μm，ΔRp=0.042μm，峰值浓度是多少？在0.2μm处杂质浓度是多少？
A、峰值浓度为9.5×10∧17离子/cm；
B、在0.2μm处杂质浓度是3.7×10∧17离子/cm∧2；
C、峰值浓度为9.5×10∧13离子/cm∧2；
D、在0.2μm处杂质浓度是3.7×10∧13离子/cm∧2。
17、看图判断，下列哪种描述正确：
A、图（a）是注入的低能离子；
B、图（a）是注入的高能离子；
C、图（b）是注入的低能离子；
D、图（b）是注入的高能离子。
18、下列哪个工艺方法应用了等离子体技术：
A、PECVD
B、LPCVD
C、HDPCVD
D、APCVD
E、RIE
F、MOCVD
G、溅射
H、蒸镀
19、蒸镀工艺要求蒸镀室为高真空度的原因：
A、为了提高蒸发分子（或原子）的平均自由程；
B、为了制备的镀膜表面更平坦；
C、为了避免蒸发分子（或原子）被氧化；
D、为了减小蒸发分子（或原子）的平均自由程；
E、为了降低镀膜中的杂质；
F、为了提高镀膜的台阶覆盖性。
20、可以采取哪种方法来提高光刻分辨率？
A、缩短光源波长；
B、减小光学系统数值孔径；
C、减小分辨率系数;
D、增长光源波长；
E、增大光学系统数值孔径；
F、增大分辨率系数。
21、关于铝膜下列哪种说法正确：
A、与硅、二氧化硅的粘附性好；
B、光刻难；
C、抗电迁移性差；
D、耐腐蚀性好；
E、与硅接触可能出现尖楔现象；
F、稳定性好。
22、CMOS IC通常采取那种隔离方法：
A、pn结隔离；
B、局部场氧化；
C、混合隔离；
D、浅槽隔离。
23、CZ法、MCZ法拉单晶时必须有籽晶；而FZ法拉单晶时不需要籽晶。
24、中子嬗变掺杂不能用于制备p型硅锭。
25、MBE是一种先进的物理气相外延技术。
26、在硅片上干氧生长十几nm的氧化层时，可采用D-G模型的线性速率公式来准确计算所需时间。
27、实际扩散工艺通过调整炉温比调整扩散时间对结深的影响更大。
28、离子注入不可以使用金属薄膜作为掺杂掩膜。
29、CVD工艺当hg<<ks时，薄膜淀积速率受表面反应控制，对温度很敏感。
30、蒸镀工艺必须在高真空度进行。
31、涂胶前的打底膜是为了增强光刻胶与衬底之间的浸润性。
32、湿法腐蚀比干法刻蚀的各向异性好。
33、IC芯片上各元件之间不必进行电隔离。
34、当前制备单晶硅锭的方法主要有 CZ 、 、FZ 三种方法。
35、低压气相外延能降低 效应，从而降低了外延时的杂质再分布。
36、热氧化工艺本质上是在硅与二氧化硅 发生的硅的氧化反应。
37、在硅片上热氧化0.5μm厚的氧化层时，硅片增厚了 μm。
38、进行限定源扩散，在扩散40min后，测得结深是2.1μm，若要获得2.3μm的结深，还约扩散 min。（保留到个位）
39、离子注入杂质浓度分布服从高斯分布函数， 是杂质浓度最大的位置。（写文字）
40、常压CVD反应剂分子到达衬底表面空洞等底部特殊位置的机制有： 、再发射、表面迁移三种。（填两个字）
41、制备TiO2等介质薄膜可以采用 溅射方法。
42、扩散掺杂时多晶硅的扩散系数比单晶硅的扩散系数 得多。
43、多组分多源蒸发的方法有：同时蒸发， 蒸发两种。
44、干法刻蚀的方式主要有：溅射刻蚀、等离子体刻蚀、 刻蚀三种。（写文字）
45、铝膜作为器件的内电极，有抗电迁移性 的特点。（一个字）
46、光刻工艺流程：打底膜→ →前烘 →曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。
47、在硅表面LPCVD-Si3N4之前，都会先热生长薄氧化层，它被称为 层。
学习通微电子工艺（广州轻工2019年2月开课）
微电子工艺是一门应用科学，它主要研究如何制作微观尺度的电子器件和集成电路。通过学习微电子工艺，我们可以了解到集成电路、MEMS器件、光电器件等微电子领域的最新技术和研究成果。
课程概述
本课程从微电子工艺的起源和发展历程入手，介绍了微电子工艺的基本原理和技术路线。并对半导体物理、光电子学、微机电系统等方面进行了深入的讲解。
本课程主要内容包括：
- 半导体物理基础
- 微电子制造工艺流程
- 光电子学及其应用
- 微机电系统技术
课程收获
通过学习本课程，我们可以掌握以下内容：
- 了解半导体物理基础，理解PN结、MOS场效应管等器件的工作原理
- 掌握微电子制造工艺流程，理解各个步骤的作用及重要性
- 了解光电子学，掌握光电器件的工作原理及其应用
- 了解微机电系统技术，掌握微机电器件的制作工艺及其应用
- 了解微电子领域最新技术，如三维集成电路、柔性电子等
学习体验
本课程采用线上授课的方式，可以自由安排学习时间，方便学员进行学习。并且课程设置了课后作业和考试，可以检验学员的学习效果。
同时，本课程还提供了丰富的教学资源，如PPT讲义、教学视频、交互式模拟实验等。通过这些资源，学员可以更好地理解和掌握课程内容。
推荐理由
微电子工艺是未来发展的重要领域，学习本课程可以为进入微电子行业打下坚实的基础。同时，本课程还有以下优势：
- 课程内容全面，涵盖了微电子领域的核心技术
- 教学资源丰富，包括PPT讲义、教学视频、实验模拟等
- 通过课后作业和考试，可以检验学员的学习效果
- 学习时间自由，方便学员进行学习
结语
学习通微电子工艺课程是一次深入了解微电子领域的机会，它可以为我们的职业发展铺平道路。希望各位对微电子工艺感兴趣的学生和工作者，能够抓住这个机会，学有所获。
学习通微电子工艺（广州轻工2019年2月开课）
微电子工艺是一门应用科学，它主要研究如何制作微观尺度的电子器件和集成电路。通过学习微电子工艺，我们可以了解到集成电路、MEMS器件、光电器件等微电子领域的最新技术和研究成果。
课程概述
本课程从微电子工艺的起源和发展历程入手，介绍了微电子工艺的基本原理和技术路线。并对半导体物理、光电子学、微机电系统等方面进行了深入的讲解。
本课程主要内容包括：
- 半导体物理基础
- 微电子制造工艺流程
- 光电子学及其应用
- 微机电系统技术
课程收获
通过学习本课程，我们可以掌握以下内容：
- 了解半导体物理基础，理解PN结、MOS场效应管等器件的工作原理
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- 了解微机电系统技术，掌握微机电器件的制作工艺及其应用
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学习体验
本课程采用线上授课的方式，可以自由安排学习时间，方便学员进行学习。并且课程设置了课后作业和考试，可以检验学员的学习效果。
同时，本课程还提供了丰富的教学资源，如PPT讲义、教学视频、交互式模拟实验等。通过这些资源，学员可以更好地理解和掌握课程内容。
推荐理由
微电子工艺是未来发展的重要领域，学习本课程可以为进入微电子行业打下坚实的基础。同时，本课程还有以下优势：
- 课程内容全面，涵盖了微电子领域的核心技术
- 教学资源丰富，包括PPT讲义、教学视频、实验模拟等
- 通过课后作业和考试，可以检验学员的学习效果
- 学习时间自由，方便学员进行学习
结语
学习通微电子工艺课程是一次深入了解微电子领域的机会，它可以为我们的职业发展铺平道路。希望各位对微电子工艺感兴趣的学生和工作者，能够抓住这个机会，学有所获。
