中国大学模拟电子电路_1章节答案(mooc2023课后作业答案)
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第1次测验
1、中国如果某个二极管外加正向电压为1.0V，大学电电那么下列哪类模型不适合用于该问题的模拟分析？
A、数学模型
B、节答理想二极管模型
C、案m案折线模型
D、后作恒压降模型
2、业答当PN结加正向电压时，中国空间电荷区的大学电电宽度将（）
A、变宽
B、模拟变窄
C、节答不变
D、案m案未知
3、后作在描述二极管单向导电性的业答几种模型中，一般工程上，中国常用来快速判断二极管工作状态的是（）
A、数学模型
B、恒压降模型
C、折线模型
D、理想二极管模型
4、PN结的形成过程可以简述如下：
A、多子扩散，少子漂移，空间电荷区出现，达到动态平衡
B、多子扩散，空间电荷区出现，少子漂移，达到动态平衡
C、少子漂移，空间电荷区出现，多子扩散，达到动态平衡
D、少子漂移，多子扩散，空间电荷区出现，达到动态平衡
5、一个50Hz正弦波输入全波整流器后，其输出信号的频率是（）
A、25Hz
B、50Hz
C、100Hz
D、0Hz
6、如果一个中间抽头全波整流器中有一个二极管开路，则输出信号表现为（）
A、0V
B、半波整流后的波形
C、幅度减小的波形
D、不受影响的波形
7、齐纳二极管广泛应用于（）。
A、限流器
B、配电器
C、稳压器
D、可变电阻
8、限幅电路如图所示，其设定的幅度上下限为（）。
A、3V, 6V
B、3.7V，6.7V
C、-3V, 6V
D、-3.7V, 6.7V
9、判断如图所示电路中各二极管的工作状态。
A、D1导通， D2截止
B、D1导通，D2导通
C、D1截止，D2导通
D、D1截止，D2截止
10、限幅电路如图所示，稳压对管参数为VD(on) = 0.7V，VZ = 7.3V，rZ = 0?，则其设定的输出信号上下限为（）。 提示：这里的DZ叫稳压对管，里面包含两个一模一样、相对连接的齐纳二极管。
A、-7.3V, 7.3V
B、-7.3V，8V
C、-8V, 7.3V
D、-8V, 8V
11、在描述二极管单向导电性的几种模型中，一般工程上，常用来进行快速分析电路参数的模型是（）。
A、理想二极管
B、恒压降模型
C、折线模型
D、数学模型
12、为形成N型半导体，需要向本征半导体掺入（ ）价杂质，从而使得半导体内（ ）浓度大大增加。
A、+5，自由电子
B、+5，空穴
C、+3，自由电子
D、+3，空穴
13、为形成P型半导体，需要向本征半导体掺入（ ）价杂质，从而使得半导体内（ ）浓度大大增加。
A、+5，自由电子
B、+5，空穴
C、+3，自由电子
D、+3，空穴
14、下列哪些信号可以作为模拟电路的处理对象?（）
A、正弦信号
B、三角波信号
C、格雷码信号
D、数字图像信号
15、下面对PN结单向导电性描述正确的是（）
A、正向导通，反向截止
B、正偏时PN结等效为一个大电阻
C、反偏时PN结等效为一个大电阻
D、正偏时PN结内有较大电流通过，PN结内电流方向是由N区流向P区
16、在下述几种击穿现象中，哪些击穿是可逆的？
A、热击穿
B、齐纳击穿
C、雪崩击穿
D、以上都可以
17、只要待处理信号足够小，且满足二极管小信号工作条件，我们就可以用二极管的小信号模型来分析该二极管对这个信号的响应。
18、齐纳二极管只能用作稳压用途。
19、整流电路中主要利用的是二极管的单向导电性。
第1次作业
1、假设图中的二极管理想，求所标明的电流值 I 和电压值 V
2、一个二极管应用在一个由恒流源I 供电的电路中，如果在二极管边上再并联一个相同的二极管，那么对该二极管的正向电压有什么影响？假设n=1。
3、如图所示电路，该电路功能是什么？设输入正弦波的有效值为120V，并假设二极管理想。选择合适的R值，使得二极管的峰值电流不超过50mA，并求二极管两端最大的反向电压。
4、
5、如图所示，求所标明的电压V和电流值I，其中二极管要求用恒压降模型替代，即VD=0.7V。
第2次 半导体器件——场效应管1
第2次测验
1、某一电压放大器的幅频特性如图所示，其中频增益为____dB，上限截止频率为____Hz，下限截止频率为____Hz。
A、20；1000；10
B、40；10000；1000
C、40；10000；0
D、60；1000；0
2、场效应管工作时，参与导电的载流子为（）。
A、多子
B、少子
C、电子
D、空穴
3、MOSFET中的导电沟道是指其（）？
A、金属层
B、耗尽层
C、反型层
D、氧化层
4、NEMOSFET饱和区的工作条件为，。
A、>, <
B、>, >
C、<, <
D、<, >
5、某放大电路在负载开路时，测得输出电压为5V，在输入电压不变的情况下接入3 kΩ的负载电阻，输出电压下降到3V，说明该放大电路的输出电阻为（ ）kΩ 。
A、1
B、2
C、3
D、4
6、在CMOS集成电路设计中，NMOS的衬底应接在电路的____电位，PMOS的衬底应接在电路的____电位。
A、最高，最高
B、最高，最低
C、最低，最高
D、最低，最低
7、电路如图所示，要使得晶体管工作在饱和区，且有ID=0.4mA，VD=0.5V；已知该NMOS晶体管的Vt=0.7V，L=1μm，W=32μm，，忽略沟道长度调制效应，则电阻 =（ ）kΩ，=（ ）kΩ。
A、5, 3.25
B、4, 6
C、3, 7
D、3.25, 5
8、已知某NMOS器件的Vt=1V，，=50V，且工作点电流=0.5mA，则其小信号模型参数=（ ）mA/V，=( )kΩ。
A、1,100
B、0.5，50
C、1, 50
D、2,100
9、某放大器的电压增益为40dB，因为某种原因增益扩大了10倍，则现在的增益大小为（ ）。
A、400dB
B、1000V/V
C、60dB
D、30dB
10、已知某N沟道增强型MOS场效应管的。 下表给出了四种状态下和的值，试判断各状态下器件的工作状态。
A、状态1：饱和区；状态2：饱和区：
B、状态1：截止区；状态2：饱和区
C、状态3：变阻区；状态4：饱和区
D、状态3：饱和区；状态4：变阻区
11、当时，能够导通的MOS管为（ ）。
A、NEMOSFET
B、NDMOSFET
C、PEMOSFET
D、PDMOSFET
12、若某放大器的输入信号为电压信号，输出信号为电流信号，则以下描述正确的有（ ）。
A、该放大器为互导放大器
B、该放大器为互阻放大器
C、理想情况下该放大器输入电阻极高
D、理想情况下该放大器输入电阻极低
E、理想情况下该放大器输出电阻极高
F、理想情况下该放大器输出电阻极低
13、MOSFET做放大器，要想正常工作只需用电路提供合理的偏置使其工作在饱和区即可。
14、假设NEMOSFET已工作在饱和区，若继续增大时，沟道夹断点向漏极移动。
15、在画放大器直流通路时，电容应短路，电感应开路。
16、如图所示电路，参考CS放大器传输特性曲线，随着升高，MOSFET从饱和区变化到变阻区，临界条件是输入电压比输出电压低。
17、MOSFET源极漏极间的长度L越大，沟道长度调制效应越明显。
第2次作业
1、
2、
3、
4、
5、
第3次半导体器件及应用——场效应管2
第3次测验
1、CD放大器具有较（ ）的输入电阻和较（ ）的输出电阻。
A、高，高
B、高，低
C、低，高
D、低，低
2、CG放大器具有较（ ）的输入电阻和较（ ）的输出电阻。
A、高，高
B、高，低
C、低，高
D、低，低
3、在下图中如果输入输出均有电容耦合，则将RG的阻值由10MΩ替换为1MΩ时，栅极直流电压将会（），漏极直流电流将会（），输入电阻将会（）。
A、增大 不变 减小
B、不变 增大 不变
C、不变 不变 减小
D、增大 不变 增大
4、电路如图所示，如果电容C2开路，则MOSFET的漏极直流电压将会（），漏极交流电压将会（），增益将会（）。
A、不变 增大 增大
B、不变 减小 减小
C、增大 减小 不变
D、增大 不变 减小
5、I=0.5mA，Vt=1.5V，，VA足够大。输入输出信号均通过电容耦合进行传输（注意图中未画出电容），要实现增益为15倍的放大电路，则RD=（）kΩ。
A、10
B、15
C、12.5
D、8
6、VDD=VSS=10V，I=0.5mA，RG=4.7MΩ，RD=15kΩ，Vt=1.5V，，VA足够大。输入输出信号均通过电容耦合进行传输（注意图中未画出电容），若输入信号由于某种原因，变为了原来的3倍（0.2V→0.6V），则我们改变电路结构由图a变为图b，以保持输出信号大小不变，则RS=（）kΩ。 (a) (b)
A、1
B、2
C、0.5
D、0.25
7、用作电压放大器时，CS放大器不合适的参数为（ ）。
A、不太高的电压增益
B、较高的输入电阻
C、较高的输出电阻
D、较高的带宽
8、以下哪个MOS放大器组态结构，最适合用在电压信号处理系统的最后一级？
A、CS组态
B、源极带电阻的CS组态
C、CG组态
D、CD组态
9、CG放大器的性能描述合理的是（ ）。
A、对电压信号有极好的放大作用
B、对电流信号有极好的放大作用
C、有较高的输入输出电阻
D、可用作电流跟随器
10、CS放大器中引入源极电阻RS，其作用有（ ）。
A、稳定静态工作点
B、控制器件输入信号vgs的大小，避免因vi过大产生非线性失真
C、降低电压增益
D、提高输入输出电阻
11、CD放大器的性能特征有（ ）。
A、可作电压跟随器使用
B、可用于多级电路中做缓冲器，进行阻抗变换
C、良好的参数特性使其非常适合用于单级电压放大
D、良好的参数特性使其非常适合用于单级电流放大
12、CS、CG和CD三种组态中，最适合做电压放大器的还是CS放大器。
13、CG放大器因其输入电阻过小，因此没什么用处。
14、CD放大器因为源极输出信号几乎与栅极输入信号变化一致，因此被称为“源极跟随器”。
15、源极上接有RS的CS放大器以牺牲增益为代价，换取放大器线性输入范围的扩展，因此这个RS越大越好。
16、CS放大器的交流输出摆幅主要由工作点位置决定，跟输入信号大小无关。
第3次作业
1、
2、
3、
4、
第4次 半导体器件及应用——晶体三极管
第4次测验
1、发射结（EBJ）正偏，集电结（CBJ）反偏时，BJT工作在（ ）模式。
A、截止
B、饱和
C、放大
D、反向放大
2、集电结由于轻掺杂，因此其正向导通电压与发射结不相同，则工程上一般对NPN型的三极管取VBC(on)一般大小为（ ）V。（提示：注意）
A、0.7
B、0.4
C、0.3
D、-0.4
3、在放大模式下，集电极电流与基极电流之间的电流增益可表示为（ ）
A、α
B、β
C、α（1+α）
D、β（1-β）
4、设图中三极管为硅管，β=50，VBE(on)=0.7V，试通过估算判断它的静态工作点位于哪个区。（）
A、截止区
B、放大区
C、饱和区
D、其他三个答案均不正确
5、试判断如图所示电路的三极管的工作状态，已知β=100,VBE(on)=0.7V。
A、饱和区
B、截止区
C、放大区
D、其他三个答案均不正确
6、晶体三极管工作在放大状态时，发射结加 电压，集电结加 电压。
A、反偏、反偏
B、正偏、反偏
C、正偏、正偏
D、反偏、正偏
7、对于NPN型BJT组成的基本共射放大电路，若产生饱和失真，则输出电压 失真；若产生截止失真，则输出电压 失真。（负峰、正峰）
A、正峰、正峰；
B、正峰、负峰；
C、负峰、负峰；
D、负峰、正峰；
8、测量某BJT各电极对地电压值如下，，则该晶体管工作在（ ）。
A、饱和区
B、放大区
C、截止区
D、击穿区
9、下列对BJT小信号模型描述正确的语句有（ ）。
A、小信号模型使用的前提之一包括必须有合理的偏置设计使得BJT器件工作在放大模式
B、BJT器件型号确定后，小信号模型的参数也就确定了
C、电路工作点确定后，小信号模型的参数也就确定了
D、不同结构类型的BJT器件小信号模型是不一样的
10、如图(a)所示的共射放大电路，加入射极反馈电阻RE后变为图(b)，电路性能出现了怎样的变化？ (a) (b)
A、增益变小
B、线性输入范围变大
C、输入电阻变大
D、输出电阻变小
11、晶体三极管放大器直流偏置参数一般包括（ ）。
A、
B、
C、
D、
E、
F、
G、
12、CB放大器性能特征有（ ）。
A、较高的电压增益，很适合做电压放大
B、输入电阻极低，不利于电压放大
C、输出电阻较高，不利于电压放大
D、电流增益小于1但接近于1，可作电流跟随器
E、源电压增益低，适合做电压跟随器
13、CC放大器性能特征有（ ）。
A、输入电阻高
B、输出电阻极低
C、电压增益小于1，但接近于1
D、电流增益高，适合作电流放大器
E、电压跟随器，适合作放大器的缓冲级
F、输入输出电阻性能符合电压放大器特征，适合作电压放大
14、共集电极放大电路的特点是：输入电阻Ri 较高
15、共集电极放大电路的特点是：输出电阻Ro较高
16、共集电极放大电路的电压放大倍数Av约为1V/V。
17、由于BJT器件在放大模式下的IB电流不够小，因此其分压式偏置电路的分析比FET要复杂得多，尤其是基极电压VB不能直接靠分压器分压求解。
18、工程估算法在计算BJT分压式偏置电路工作点时，需要满足一定的工程条件才能使用，该工程条件实际上隐含了“偏置电阻取值使得IB电流足够小，从而可以忽略其对分压器电流的分流”这一重要前提。
19、晶体管三种基本组态放大电路中，共基组态输入电阻最低，输出电阻最低。
20、NPN型的BJT和NMOS器件的载流子均只有1种
第4次作业
1、
2、
3、
4、测得三极管在放大工作状态下三个电极的对地电压，请在图1中标出三个极的名称，并判断该三极管的材料（硅管或锗管）及类型（PNP或NPN）。
第5次 集成运放单元电路1
第5次测验
1、在集成电路中，最常用于多级放大器连接的耦合方式为（ ）。
A、阻容耦合
B、直接耦合
C、变压器耦合
D、光电耦合
2、如图所示，已知(W/L)1 = (W/L)2 = 0.5(W/L)3，(W/L)4 = 0.25(W/L)5，假设所有晶体管其他参数均匹配，且都工作在饱和区，求电路中的I2和I5的大小。
A、I2=10μA，I5=1.25μA
B、I2=10μA，I5=80μA
C、I2=20μA，I5=5μA
D、I2=20μA，I5=1.25μA
3、针对以MOS为核心的镜像电流源电路，描述错误的是（ ）。
A、所有MOS器件都必须工作在饱和区，才能保证电流源正常工作
B、只要参考支路上的MOS器件工作在饱和区，电路就能正常工作
C、MOS器件的等效电阻大小决定了输出电流的稳定性
D、电流传输比精度主要由MOS器件之间的(W/L)之比决定
4、差分放大器输入信号分别为，则其差模信号与共模信号分别为（ ）。
A、
B、
C、
D、
5、一般电压型集成运放内部结构主要包括（ ）。
A、具有抑制噪声输入功能的差分输入级
B、具有高增益的中间放大级
C、具有较大驱动能力的功率输出级
D、具有较高稳定性的恒流源偏置结构
6、在下列描述中哪些方法可以改变电流源电路的电流传输比：
A、改变MOS电流源中两个MOS管的沟道宽长比大小
B、改变BJT电流源中两个BJT管的发射结面积大小
C、改变BJT电流源参考支路中电阻的大小(错误答案)
D、改变电流源直流供电电源的大小
7、下列参数中哪些是描述差分放大器性能优劣的特有的指标
A、差模增益
B、共模增益
C、共模抑制比
D、带宽
8、下列对差分对的描述正确的是
A、在电路结构、工作原理和分析方法等各方面，BJT差分对与MOS差分对高度相似
B、在同样偏置的条件下，与MOS差分对相比，BJT差分对的差模增益和共模抑制比更高
C、BJT差分对的线性输入范围比MOS差分对更小，需增加射极电阻，以牺牲增益为代价来换取性能的改善
D、BJT差分对的差模输入电阻很小，可通过增加射极电阻或采用组合管的方式来解决
9、选用差分放大器作为多级放大器第一级的主要原因是
A、克服温漂
B、提高输入电阻
C、提高放大倍数
D、抑制噪声输入
10、如图电路，假设所有BJT均参数匹配，，且β都很大，则可得（ ）。
A、
B、
C、
D、
E、
F、
G、
H、
11、与偏置及电路结构均相同的MOS差分放大器相比，BJT差分放大器的性能描述合理的是（ ）。
A、共模抑制比更高
B、差模电压增益更高
C、差模输入电阻更小
D、共模电压增益更小
12、为了实现电路设计的微型化，集成电路设计中应尽量避免使用参数很大的无源器件。
13、不论是纯差模输入还是纯共模输入，差分放大器对信号的输入范围都是有要求的，而且要求不同。
14、MOS基本差分放大电路单端输出和双端输出具有相同的增益大小。
15、用下图所示的NMOS构造一个实际电流源，假设恒定不变，则该电流源输出电阻为1/gm
16、实际电流源的输出电阻越小越好。
17、输出电流和输出电阻是限制实际电流源性能的两个重要因素。
18、如图所示的MOS电流源电路，若通过调节R1和R2比例使得晶体管VT的输出电流增大，则会使得电流源输出电阻减小，从而降低电流源性能。
19、差分放大器的增益和输出信号交流摆幅是一对矛盾，增益的增加将导致输出信号交流摆幅的下降。
第5次作业
1、电路如图题所示，两管参数相同，b=100，VBE = 0.7V，求输出电流Io。
2、2如图题所示电路，两个MOS管参数完全一致，已知W/L=50，μnCox=250μA/V2，VA=10V，恒流源I的输出电阻为400kW，RL=8kΩ，求： （1）求MOS管的小信号参数gm,ro （2）差分输出时的差模增益Ad； （3）如果RL接在VT1的漏极与地之间，求共模抑制比CMRR。
3、15分）电路参数如图3-2所示，已知：|VA|=50V，β足够大，VBE=0.7V。求： （1）求IEE；（2）求gm、ro和双端输出的差模电压增益Avd；（3）忽略基区宽度调制效应，求单端输出的共模电压增益|Avcm|和CMRR。
4、
期中考试
期中考试--客观题
1、某运算放大器有两个输入信号v- 和v+，其中v-=10mV，v+=6mV，问差模输入电压vid和共模输入电压vicm分别为多少？
A、-4mV，16mV
B、4mV，8mV
C、-4mV，8mV
D、4mV，16mV
2、以下电极名称哪一个不属于MOS器件（）
A、漏极
B、源极
C、基极
D、背栅极
3、在下述几种击穿现象中，哪类击穿是不可逆的？（）
A、热击穿
B、雪崩击穿
C、齐纳击穿
D、以上都是
4、齐纳二极管一般多运行于（）状态
A、反向击穿
B、正向偏置
C、反向偏置
D、热击穿
5、NEMOSFET饱和区的工作条件为VGS Vt, VDS VGS-Vt。
A、>,<
B、>,>
C、<,<
D、<,>
6、下面对PN结单向导电性描述正确的是（）
A、正向导通，反向截止
B、正偏时PN结等效为一个大电阻
C、反偏时PN结等效为一个大电阻
D、正偏时PN结内有较大电流通过，PN结内电流方向是由N区流向P区
7、以下参数为放大器基本参数的是（）
A、增益
B、输入电阻
C、输出电阻
D、带宽
8、下列关于BJT和FET的描述正确的是（）
A、BJT为双极型器件，FET为单极型器件
B、BJT为流控器件，FET为压控器件
C、BJT能用在高频环境，FET不可以
D、BJT和FET不可同时使用
9、下列对BJT小信号模型描述正确的语句有
A、小信号模型使用的前提之一包括必须有合理的偏置设计使得BJT器件工作在放大模式
B、电路工作点确定后，小信号模型的参数也就确定了
C、BJT器件型号确定后，小信号模型的参数也就确定了
D、不同结构类型的BJT器件小信号模型是不一样的
10、N型半导体带负电，P型半导体带正电
11、在画放大器直流通路时，电容应短路，电感应开路
12、MOSFET做放大器，要想正常工作只需用电路提供合理的偏置使其工作在饱和区即可
13、限幅电路仅利用了二极管的单向导电性
14、晶体三极管参与导电的载流子为自由电子和空穴
15、场效应管参与导电的载流子为自由电子和空穴
16、BJT和MOSFET管在集成电路中除了作为放大管使用外，还有另外两个作用分别是电流源和有源负载
期中考试--主观题
1、假设图中的二极管理想，求所标明的电流值 I和电压值 V。
2、设计如图所示的电路，使晶体管工作在ID=0.4mA，VD=0.5V。该NMOS晶体管的Vt=0.7V，μnCox=100μA/V2,L=1μm,W=32μm，λ=0。
3、考虑如图所示的射极跟随器，β=100，VBE=0.7V,VA=100V,RB=100kΩ，Rsig=20kΩ，RL=1kΩ。 （1）求 IE,VB； （2）求小信号参数 rπ、gm和ro ； （3）画出交流小信号等效电路模型，并求 Ri，RO和源电压增益Avs；
第6次 放大器的频率响应
第6次测验
1、引起分立元件放大器放大倍数在低频段的下降的原因是____的影响。
A、放大器中的耦合电容
B、放大器件的器件电容
C、放大器中的耦合电容和旁路电容
D、放大器中的耦合电容和器件电容
2、已知三极管放大器中器件的，，，则=( )。
A、4.95pF
B、5.05pF
C、6.95pF
D、8.27pF
3、在一个单时间常数低通网络中，已知R=100kΩ，C=10pF，则该网络的3dB角频率为（ ）。
A、1000000rad/s
B、100000rad/s
C、10000rad/s
D、10000000rad/s
4、放大电路的输入信号频率升高到上限截止频率时，增益系数下降到中频增益的____倍。
A、0.707
B、1.414
C、
D、
5、在分析放大器中频段频率响应时，我们对各类电容合理的处理方式是（ ）。
A、不考虑耦合电容和旁路电容的影响，视它们为短路。
B、不考虑耦合电容和旁路电容的影响，视它们为开路。
C、不考虑器件电容的影响，视它们为短路。
D、不考虑器件电容的影响，视它们为开路。
6、求解放大器上限截止频率的常用方法有（）
A、主极点法
B、定义法
C、开路时间常数法
D、米勒定理
E、短路时间常数法
7、引起分立元件放大器放大倍数在高频段的下降的原因是器件电容的影响。
8、如果我们能够拿出一个放大器的系统函数（或传递函数），那么就可以用主极点法求解放大器的上限截止频率fH。
9、BJT能用在高频环境，但FET不可以。
10、在CS放大器中，根据开路时间常数法，我们可以看到Cgd对fH的影响，比Cgs要大得多，是因为Cgd引入了更大的时间常数。
11、CG放大器之所以比CS放大器的带宽要大，是因为电路中不存在产生米勒倍增效应的结构。
12、CS放大器受到米勒效应影响，高频信号放大带宽性能受限。
第6次作业
1、求图中电路的时间常数和频率响应的表达式
2、一个MOSFET在栅极和漏极之间的中频增益为-30V/V，NEMOS晶体管有Cgs=0.3pF，Cgd=0.1pF。问MOS器件的等效输入电容Cin为多少（依据米勒等效方法分析）？当信号源电阻在什么范围内时，fH超过10MHz？(忽略RG的影响）
3、一个BJT工作在IC=0.5mA时，fT=5GHz，Cm=0.1pF。（1）计算Cp、gm的值。（2）当b=150时，求rp和fb。
4、
第7次 集成运放单元电路2
第7次测验
1、在集成电路中，最常用于多级放大器连接的耦合方式为（）
A、阻容耦合
B、直接耦合
C、变压器耦合
D、光电耦合
2、下列关于cascode电路的叙述错误的是（ ）
A、输出电阻小
B、常用作放大单元电路
C、带宽较高
D、MOS结构的电路输入电阻高
3、在多级放大器中，后一级电路的输入电阻可视为前一级电路的（ ），而前一级电路的输出电阻可视为后一级电路的（ ）。
A、输入电阻，输出电阻
B、输出电阻，输入电阻
C、负载，输入电阻
D、负载，信号源内阻
4、在如图所示的有源负载差分放大器中，若所有晶体管的，，则要求电路差模增益为时，提供偏置电流的恒流源 I=( )。
A、0.4mA
B、0.3mA
C、0.2mA
D、0.1mA
5、电路如图所示，已知各晶体管，，，和都很大，则电路的总输出电阻Ro=（ ），电压增益Av=（ ）。
A、500kΩ，-2000V/V
B、250kΩ，-2000V/V
C、500kΩ，-1000V/V
D、250kΩ，-1000V/V
6、CD-CS、CC-CE和CD-CE组合放大器结构的特点是：（ ）
A、采用电压跟随器作第一级，以提高输入电阻
B、采用高增益的放大器作第二级，以保证整体有较大的电压增益
C、电路结构复杂，不利于生产
D、电路带宽比单级CE或CS放大器要高
7、与经典电阻型负载差分放大器相比，有源负载差分放大器的优势在于（ ）。
A、对称性更好
B、差模增益更高
C、实现双端输出到单端输出的转变，使用更方便
D、单端输出时共模抑制比更高
8、多个独立电压放大器级联后，以下描述合理的是（ ）。
A、若采用直接耦合方式，要考虑放大器之间工作点的互相影响
B、总电压增益上升，但通频带比任何一个单级放大器都要窄
C、总电压增益等于单级放大器固有开路电压增益的乘积
D、其输入电阻为第一级放大器输入电阻，输出电阻为最后一级放大器的输出电阻
9、假设电路如图所示，能正常工作，电路跨导为gm，VT2和VT4的输出电阻均为ro，则该电路增益为gmro。
10、电路如图所示，晶体管小信号参数一致，均为gm和ro，则电路的输出电阻为ro/2。
11、有源负载差分放大器可以实现双端输入单端输出，但性能等同于负载型差分放大器的双端输入双端输出。
12、放大器中出现的零点漂移，可以通过增加耦合电容的方式来消除。
13、采用恒流源为差分放大器提供偏置的同时，可以利用恒流源的高内阻降低差分放大器共模增益，从而提高差分放大器的共模抑制比。
第7次作业
1、如图所示一个三级级联电流放大器系统，已知第一级的Ri1=100kΩ，Ais1=10A/A，Ro1=10kΩ；第二级的Ri2=10kΩ、Ais2=1A/A，Ro2=100Ω；第三级的Ri3=1kΩ、Ais3=100A/A，Ro3=1kΩ；若Rsig=10kΩ、RL=1kΩ； （1）求电路的源电流增益Ais； （2）若输入信号isig=1mA，求输出电流io； （3）求三级电流放大器的Ri和Ro。对第二级放大器而言，其输入电阻就是第一级放大器的什么电阻？第二级的输出电阻就是第三级放大器的什么电阻？（信号源内阻/输入电阻/输出电阻/负载电阻）；
2、2 电路如图所示，设各管的|VA|=50V，各晶体管的β很大且参数一致，|VBE|=0.7V，场效应管VT1、VT2的gm均为20mS，VT3与VT4、VT1与VT2、VT5与VT6特性分别对称，R=23.3kΩ，试求： 1）IC1Q和IC2Q； 2）说明VT3、VT4的作用； 3）差模电压增益Avd=vo/vi。
3、如图所示，已知Vtn=|Vtp|=0.6V，μnCox=200μA/V2，μpCox=65μA/V2，VAn=20V， |VAp|=10V，IREF=200μA。对于VT1、VT2有L=0.4μm，W=4μm，对于VT3有L=0.4μm，W=8μm。求Av、Ri和Ro
第8次 输出级和功率放大器
第8次测验
1、理论上，B类和AB类输出级的功率转换效率最高分别能达到（ ）和（ ）。
A、最大78.5%，最大78.5%
B、最大78.5%，略小于78.5%
C、略小于78.5%，最大78.5%
D、略小于78.5%，略小于78.5%
2、以下输出级中，器件始终工作在线性区域的是（ ）。
A、A类输出级
B、B类输出级
C、AB类输出级
D、C类输出级
3、功率放大器的效率是提供给负载的功率和（ ）的比值。
A、输入信号的功率
B、最后一级的功耗
C、来自电源的功率
D、以上都不对
4、交越失真是（ ）固有的问题。
A、A类输出级
B、B类输出级
C、AB类输出级
D、C类输出级
5、一般IC功率放大器（ ）。
A、不需要散热器
B、稳定性高
C、比分立电路更贵
D、上述答案都对
6、与A类输出级相比，功率放大器采用B类输出级的目的是为了提高（ ）。
A、电压增益
B、输出功率
C、驱动负载的能力
D、功率转换效率
7、如图题所示的由两管组成的复合管，可以等效为NPN型复合管的是（ ）。
A、
B、
C、
D、
8、对于一个基于BJT器件的B类输出级电路，若可以忽略VBE和VCE(sat)的影响，已知RL=8W，且要求最大输出功率为PLmax=9W，则其供电电源VCC=( )。
A、9V
B、10V
C、12V
D、15V
9、B类输出级电路中，设VCC=6V，RL=4W，如果输出正弦信号的峰值是4.5V，则输出功率为（ ）。
A、9W
B、5.06W
C、4.5W
D、2.53W
10、B类功率放大电路，为使之能给8W的负载电阻提供16W的平均功率，要求直流电源电压比输出电压峰值高5V，则该电路的功率转换效率h为（ ）。
A、56%
B、59.84%
C、78.5%
D、80.7%
11、在选择功率电路中的晶体管时，应关注（ ）参数。
A、fT
B、ICM
C、VCE(sat)
D、PCM
E、V(BR)CEO
F、ICEO
12、下面那些参数是衡量功率放大器性能的指标？
A、输出功率
B、电压增益
C、电流增益
D、功率转换效率
E、总谐波失真系数
13、电路中的二极管D1和D2的作用是（ ）。
A、为VT1和VT2提供直流偏置
B、消除饱和失真
C、消除交越失真
D、以上都对
14、AB类功率放大器最大功率转换效率为78.5%。
15、假设在某一电路中，由于仪器空间限制，无法采用较大的散热器，同时该电路允许一定的失真存在，则此电路中的功率放大器不能采用A类功率放大器。
16、AB类的提出是为了修正B类输出级中的交越失真，这里牺牲了一部分功率转换效率。
17、功率放大器本质上是能量转换器，但小信号放大器就不一定是能量转换器。
18、在AB类输出级设计中，器件选择同样需要在安全工作区内进行。
19、D类输出级最高效率理论上可以达到100%，它属于数字功率放大器范畴。
20、所有功放在设计时都需要考虑散热问题，一旦器件工作超过结温上限，只要有散热器，就能安全工作。
21、功率放大器可以采用小信号模型简化分析
第8次作业
1、功率放大器如图所示，VDD=5V，负载电阻为8Ω。假设输出信号的峰值为4V，试计算 (1) 输出功率和效率分别为多少？ (2) 当输出摆幅达到最大（即达到电源电压和地），此时的效率是多少？此类电路存在什么缺点
2、功率放大电路如图所示，设输入电压vI为正弦波，电源电压VCC=24V，RL=16Ω，由VT3构成的放大器电压增益为-16V/V，射极跟随器电压增益为1V/V，试求当vI有效值为1V时，电路的输出功率、电源提供的功率，两管的管耗以及效率。
第9次 负反馈技术基本概念及判断方法
第9次测验
1、设计某放大器时，需向负载输出稳定的电压信号，那么我们需要在输出部分采用（ ）负反馈，将（ ）输出电阻。
A、电压，提高
B、电流，提供
C、电压，降低
D、电流，降低
2、设计某放大器时，需从一个电压源中接收待处理信号，那么我们需要在输入部分采用（ ）负反馈，将（ ）输入电阻。
A、串联，提高
B、并联，提高
C、串联，降低
D、并联，降低
3、如图所示电路，该电路的反馈类型为（ ）-（ ）负反馈。
A、电压，串联
B、电压，并联
C、电流，串联
D、电流，并联
4、判断反馈极性到底是正还是负时，我们一般是观察（ ）的大小变化。
A、
B、
C、
D、
5、如图所示电路，该电路的反馈类型及反馈极性为（ ）。
A、电压串联负反馈
B、电流串联负反馈
C、电压串联正反馈
D、电流并联正反馈
6、如图所示电路，该电路的反馈类型及反馈极性为（ ）。
A、电压串联正反馈
B、电压串联负反馈
C、电流串联负反馈
D、电流串联正反馈
7、设计某放大器时，需向负载输出稳定的电流信号，那么我们需要在输出部分采用（ ）负反馈，将（ ）输出电阻。
A、电流，提高
B、电流，降低
C、电压，提高
D、电压，降低
8、设计某放大器时，需从一个电流源中接收待处理信号，那么我们需要在输入部分采用（ ）负反馈，将（ ）输入电阻。
A、并联，降低
B、并联，提高
C、串联，降低
D、串联，提高
9、在反馈框图中，以下哪几个信号量的电量形式应该时刻保持一致（ ）。
A、
B、
C、
D、
10、要判断一个电路中是否存在反馈，需要满足下列哪些条件？
A、输出部分存在信号取样环节
B、除基本放大器外，还有其他连接输出和输入通路的存在
C、输入部分存在信号混合环节
D、净输入会受到影响
11、要设计一个性能良好的电压放大器，我们常采取的措施包括（ ）。
A、在输入部分引入串联负反馈，以提高电路的输入电阻
B、在输出部分引入电压反馈，以降低电路的输出电阻
C、在电路中引入合适的负反馈，以提高放大器的增益
D、在电路中引入合适的负反馈，以取得适当的增益
12、直流反馈应该在电路的直流通路中分析，交流反馈应该在电路的交流通路中分析。
13、既然电流负反馈能稳定输出电流，那么必然能稳定输出电压。
14、要提高反馈放大器的输入阻抗，降低反馈放大器的输出阻抗，应引入电压-并联负反馈。
15、深度负反馈条件下，对各类型放大器，“虚短”和“虚断”现象一般会同时出现。
16、引入负反馈后，放大器的闭环增益将减小，且大小与反馈深度有关。
17、电路中是否存在反馈，只要看输入与输出之间，除了基本放大器外，是否还存在其他通路即可。
第9次作业
1、已知某反馈放大器的开路电压增益Av=1000V/V，反馈系数b=0.5V/V。若输出电压Vo=2V，求输入电压Vi、净输入电压Vi'和反馈电压Vf。
2、判断如图所示电路中反馈放大器的反馈元件、反馈类型和反馈极性，并将瞬时极性直接标于电路图中。 （a） (b) (c) (d)
第10次 负反馈对放大器性能的影响及稳定性分析
第10次测验
1、某运放开环增益为100dB，单位增益频率为ft =10MHz，如果要求设计增益为40dB的负反馈放大器，则该放大器的带宽为（ ）。
A、250kHz
B、100kHz
C、25kHz
D、100MHz
2、反馈放大器如图所示，已知BJT参数gm=77mS，β=100，Av=500，RE1=51Ω，Rf=1.2kΩ，RB=10kΩ。在满足深度负反馈的条件下，则闭环增益Avf=（ ）。
A、25.5V/V
B、24.5V/V
C、39.2mV/V
D、30V/V
3、下列情况中，哪类放大器能够稳定工作？
A、
B、
C、
D、
4、电路如图所示，反馈网络由（ ）组成。
A、、
B、
C、、
D、
5、电路如图所示，深度负反馈条件下，放大器的输入电阻将趋向（ ），输出电阻将趋向（ ）。
A、∞，0
B、0，∞
C、∞，∞
D、0，0
6、引入负反馈后，放大器的性能将得到改善，下面哪些说法是错误的？（）
A、放大器任何增益的稳定性都可以被改善
B、放大器带宽将得到扩展，且增益不变
C、任何噪声都会被消除
D、放大器输入输出电阻性能将得到改善
7、当时，下列哪种情况中放大器必然是稳定的。
A、
B、
C、
D、
8、深度负反馈条件下，对各类型放大器，“虚短”和“虚断”现象一般会同时出现。
9、在负反馈放大器中，放大器的开环增益越大，闭环增益就越稳定。
10、当输入的信号是一个失真的正弦波时，加入负反馈后能使失真减小。
11、引入负反馈能够降低增益灵敏度，等同于提高增益稳定性。
12、在负反馈放大器中，闭环增益、开环增益和反馈系数三者的单位量纲相同。
第10次作业
1、反馈放大器如图所示。在满足深度负反馈的条件下，求 （1）电路的反馈类型和反馈元件； （2）计算电路的闭环电流增益Aif，并分析 Rif 和 Rof 的变化趋势； （3）求电路的源电压增益表达式
2、如图题所示的深度负反馈放大器。 （1）判断其反馈性质和组态； （2）写出电压增益 Avf =Vo / Vi 的表达式。
第11次 集成运放应用电路
第11次测验
1、理想运算放大器构成的电路如图所示，则Vo为（ ）。
A、8V
B、-8V
C、16V
D、-16V
2、当级联一个低通滤波器和一个高通滤波器得到一个带通滤波器时，低通滤波器的截止频率必须（）。
A、等于高通滤波器的截止频率
B、小于高通滤波器的截止频率
C、大于高通滤波器的截止频率
D、都可以
3、单门限比较器输入端的噪声能够引起输出（）。
A、挂在一个状态
B、变为0
C、在两个状态之间反复变化
D、产生放大的噪声信号
4、电路如图所示，运算放大器的饱和电压为12V，双向稳压管的稳定电压为，设正向压降为零，当输入电压V时，输出电压VO应为( )。
A、幅值为12V的方波
B、幅值为6V的方波
C、幅值为6V的正弦波
D、以上皆不是
5、在下列电路中，能将正弦波电压向正方向平移一个直流量的电路为（ ）。
A、加法运算电路
B、减法运算电路
C、积分运算电路
D、微分运算电路
6、带通滤波器的品质因数Q取决于（）。
A、截止频率
B、仅带宽
C、中心频率和带宽
D、仅中心频率
7、以下参数为运放直流参数的是（ ）
A、失调电压
B、失调电流
C、摆率
D、差模增益
E、共模抑制比
F、全功率带宽
8、与单门限比较器相比，以下对迟滞比较器的描述不合理的是（ ）。
A、迟滞比较器多一个判断门限电压
B、迟滞比较器多一个输出电压选择
C、迟滞比较器对信号噪声的容忍度更高
D、若要对环境温度进行检测，迟滞比较器更合适
9、电路如图所示，已知R为一个0.5k~100kΩ的可调电位器，要求Avd在1~100.5V/V范围内变化，假设第2级增益为0.5V/V，则（ ）。
A、
B、
C、
D、
10、下列对集成运放参数描述正确的是（ ）。
A、运放构成的放大器带宽主要由GBW确定；
B、运放构成的放大器带宽主要由SR确定；
C、运放构成的放大器带宽要同时考虑小信号和大信号带宽，取较小的那个做设计
D、运放构成的放大器在大信号输出时带宽主要由SR确定
11、下列对集成运放失调参数描述合理的是（ ）
A、失调是运放必然存在的问题
B、目前半导体工艺技术高超，已经消除了失调现象
C、目前集成工艺水平较高，在运放内部一般有内置的调零措施
D、平衡电阻是运放设计必须要考虑的外接电阻
12、以下哪些说法是错误的
A、同相组态和反相组态放大器均可以实现信号的放大与衰减
B、从输入和输出电阻上来看，反相组态放大器更接近理想电压放大器
C、反相组态放大器的输入输出信号相位相差180度，同相组态放大器的输入输出信号相位差为0度
D、反相组态放大器的输入电阻和增益是一对矛盾（提高输入电阻会导致增益下降）
13、反相组态放大器电路如图所示，则该电路输入电阻为R1+R2。
14、运放构成的积分电路，可以将图中所示的方波转成三角波。
15、一个实际运算放大器输出端电压的最大变化率被称为运算放大器的摆率。
16、仪用放大器，又称为“三运放电路”，是因为内部采用了三级级联的运算放大器而得名
17、有源滤波器兼具放大器和无源滤波器两者的优点。
18、与单门限比较器相比，迟滞比较器更适合处理快速变化的信号。
第11次作业
1、电路如图所示，假设运放是理想的，试求输出电压Vo的值
2、
3、电压比较器电路如图所示，已知双向稳压管VZ＝＋9V，运放的最大输出电压＋14V，试画出VO~VI的关系曲线（写出详细的分析过程）。
期末考试
期末客观题
1、限幅电路如图所示，其设定的幅度上下限为（）
A、-3V, 6V
B、3V, 6V
C、3.7V，6.7V
D、-3.7V，6.7V
2、下列对共源放大器的描述正确的是（）
A、输入电阻高，输出电阻低
B、输入电阻低，输出电阻低
C、输入电阻高，输出电阻高
D、输入电阻低，输出电阻高
3、NPN晶体三极管须满足的的工艺条件（）
A、发射区高掺杂
B、基区很薄
C、集电结面积远大于发射结面积
D、以上都是
4、集成运算放大器的输出级一般为（）结构。
A、差分放大器
B、组合放大器
C、功率放大器
D、电流源
5、当负反馈电路采用恒压激励，且要求恒压输出时，应引入（）
A、电流串联负反馈
B、电压串联负反馈
C、电压并联负反馈
D、电流并联负反馈
6、若要求从输入信号中取出高于25kHZ的信号，应选用（ ）滤波电路
A、低通
B、高通
C、带通
D、带阻
7、正弦波振荡器中正反馈网络的作用是（）
A、保证产生自激振荡的相位条件
B、提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大
C、产生单一频率正弦波
D、以上说法都对
8、
A、D1截止，D2导通
B、D1导通， D2截止
C、D1导通，D2导通
D、D1截止，D2截止
9、
A、放大区
B、截止区
C、饱和区
D、击穿区
10、设图中三极管为硅管，β=50，VBE(on)=0.7V，试通过估算判断它的静态工作点位于（）
A、放大区
B、截止区
C、饱和区
D、击穿区
11、在多级放大器中，后一级电路的输入电阻可视为前一级电路的（ ），而前一级电路的输出电阻可视为后一级电路的（ ）
A、负载，信号源内阻
B、输入电阻，输出电阻
C、输出电阻，输入电阻
D、负载，输入电阻
12、下列参数中哪些不是描述差分放大器性能优劣的特有的指标？
A、差模增益
B、共模增益
C、共模抑制比
D、带宽
13、设计一个高输入电阻和高输出电阻的放大器，需要引入的反馈类型为
A、电流串联负反馈
B、电压串联负反馈
C、电压并联负反馈
D、电流并联负反馈
14、某放大器的电压增益为40dB，因为某种原因增益扩大了10倍，则现在的增益大小为（）
A、400dB
B、1000V/V
C、60dB
D、30dB
15、以下哪些是衡量功率放大器性能的指标（ ）
A、输出功率
B、功率转换效率
C、失真系数
D、共模抑制比
16、下面对FET混合π小信号模型描述正确的是
A、用于分析工作在饱和区的FET器件
B、用于分析FET器件对交流信号的响应
C、用于分析工作在任何工作区的FET器件
D、用于分析FET器件对直流信号的响应
17、一般电压型集成运放内部结构主要包括
A、具有抑制噪声输入功能的差分输入级
B、具有高增益的中间放大级
C、具有较大驱动能力的功率输出级
D、具有较高稳定性的恒流源偏置结构
18、下列对差分对的描述正确的是
A、在电路结构、工作原理和分析方法等各方面，BJT差分对与MOS差分对高度相似
B、在同样偏置的条件下，与MOS差分对相比，BJT差分对的差模增益和共模抑制比更高
C、BJT差分对的线性输入范围比MOS差分对更小，需增加射极电阻，以牺牲增益为代价来换取性能的改善
D、BJT差分对的差模输入电阻很小，可通过增加射极电阻或采用组合管的方式来解决
19、齐纳二极管只能用作稳压用途。
20、CS、CG和CD三种组态中，最适合做电压放大器的还是CS放大器。
21、CS放大器的交流输出摆幅主要由工作点位置决定，跟输入信号大小无关。
22、NPN型的BJT和NMOS器件的载流子均只有1种
23、晶体管三种基本组态放大电路中，共基组态输入电阻最低，输出电阻最低。
24、不论是纯差模输入还是纯共模输入，差分放大器对信号的输入范围都是有要求的，而且要求不同。
25、集电结面积远远大于发射结面积，是为了保证集电结能够尽可能多地收集来自于发射区的多子，使得集电区电流大小直接受发射区电流大小 控制
计算题
1、设计如图的电路成实现vo=10(vi2-vi1)，其中R1=R3=10KΩ，确定R2，R4。
2、如图所示电路，R1=240Ω，R2=3kΩ；W117输出端和调整端之间的电压为VR为1.25V，求输出电压的范围。
3、如图所示，设L+=-L-=10V，R1=10kΩ，求R2和vREF，使门限电压等于0V和1V。
4、如图所示，RC文氏电桥正弦振荡电路： （1）已知,为满足起振条件，应如何取值？ （2）若,则输出正弦波频率f=？
5、反馈放大电路如图所示，试：（10分） （1）指明级间反馈元件，并判别反馈类型； （2）若电路满足深度负反馈的条件，求电压增益的表达式。
6、差动放大电路如图所示，设两管的特性相同，β=100, VBE（ON）=0.7V，rce可忽略，求： (1)差模电压放大倍数 (2)管单端输出时的差模电压放大倍数。 (3)求单端输出时的共模抑制比。
7、放大电路如图所示，已知试求： （1）画出该电路的信号等效电路； （2）求输入电阻,输出电阻 （3）电压增益,源电压增益
第12次 信号发生器及直流稳压电压
第12次测验
1、在如图所示的桥式整流电容滤波电路中，已知变压器副边电压有效值V2为10V，（T为电网电压的周期），则测得输出直流电压Vo可能的数值为（ ）。
A、14V
B、12V
C、9V
D、4.5V
2、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是（ ）。
A、基准电压
B、采样电压
C、基准电压与采样电压之差
D、以上皆错
3、直流稳压电源一般包括变压器、整流器、（ ）和（ ）等模块。
A、滤波器，稳压器
B、滤波器，比较器
C、放大器，稳压器
D、比较器，放大器
4、在脉宽调制式串联型开关稳压电路中，为使输出电压增大，对调整管基极控制信号的要求是（）
A、周期不变，占空比增大
B、频率增大，占空比不变
C、在一个周期内，高电平时间不变，周期增大
D、周期不变，占空比减小
5、正弦波振荡器的振荡频率取决于（ ）。
A、供电电源
B、选频网络
C、放大器参数
D、环境噪声
6、正弦波振荡器中正反馈网络的作用是（ ）。
A、保证产生自激振荡的相位条件
B、提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大
C、产生单一频率正弦波
D、以上说法都对
7、电路如图所示，则（ ）
A、输出矩形波，输出电压由运放输出电压决定。
B、输出方波，输出电压由运放输出电压决定。
C、输出矩形波，输出电压由稳压对管决定。
D、输出方波，输出电压由稳压对管决定
8、电路如图所示，运算放大器的饱和电压为±12V，双向稳压管的稳定电压为±6V，设正向压降为零，当输入电压为时，输出电压vo应为( )。
A、幅值为±12V的方波；
B、幅值为±6V的方波；
C、幅值为±6V的正弦波;
D、以上皆不是
9、直流稳压电路中，下列各部分功能说法正确的是（）
A、整流的目的是将交流信号变为直流信号
B、整流的目的是将高频信号变成低频信号
C、滤波的目的是将脉动直流进行平滑处理
D、滤波的目的是在输入信号或负载有变化时保持负载稳定输出
10、下列表述不合适的是（ ）。
A、只要满足正弦波振荡的相位条件，电路就一定能振荡
B、正弦波振荡电路维持振荡的幅值条件是
C、只要引入正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡
D、只要引入负反馈，电路就一定不能产生正弦波振荡
E、正弦波振荡电路需要非线性环节的原因是要稳定振荡幅值
11、电路如图所示，以下说法正确的是（ ）。
A、设置RA=RB，该电路能够实现方波输出；
B、设置RA=RB，该电路的周期就由RA和C决定；
C、改变R1和R2的值，可以改变输出vo的幅值大小；
D、无论怎样改变R1和R2的值，输出vo的幅值大小都不变;
12、一般情况下，开关型稳压电路比线性稳压电路效率高。
13、如图所示的串联稳压电源的输入电压可以低于电路正常工作设定的输出电压
14、凡是振荡电路中的集成运放都工作在线性区。
15、比例、积分、微分等信号运算电路中，集成运放工作在线性区；而有源滤波器、电压比较器等信号处理电路中，集成运放工作在非线性区。
第12次作业
1、
2、
3、
期中考试
期中考试--客观题
1、某运算放大器有两个输入信号v- 和v+，其中v-=10mV，v+=6mV，问差模输入电压vid和共模输入电压vicm分别为多少？
A、-4mV，16mV
B、4mV，8mV
C、-4mV，8mV
D、4mV，16mV
2、以下电极名称哪一个不属于MOS器件（）
A、漏极
B、源极
C、基极
D、背栅极
3、在下述几种击穿现象中，哪类击穿是不可逆的？（）
A、热击穿
B、雪崩击穿
C、齐纳击穿
D、以上都是
4、齐纳二极管一般多运行于（）状态
A、反向击穿
B、正向偏置
C、反向偏置
D、热击穿
5、NEMOSFET饱和区的工作条件为VGS Vt, VDS VGS-Vt。
A、>,<
B、>,>
C、<,<
D、<,>
6、下面对PN结单向导电性描述正确的是（）
A、正向导通，反向截止
B、正偏时PN结等效为一个大电阻
C、反偏时PN结等效为一个大电阻
D、正偏时PN结内有较大电流通过，PN结内电流方向是由N区流向P区
7、以下参数为放大器基本参数的是（）
A、增益
B、输入电阻
C、输出电阻
D、带宽
8、下列关于BJT和FET的描述正确的是（）
A、BJT为双极型器件，FET为单极型器件
B、BJT为流控器件，FET为压控器件
C、BJT能用在高频环境，FET不可以
D、BJT和FET不可同时使用
9、下列对BJT小信号模型描述正确的语句有
A、小信号模型使用的前提之一包括必须有合理的偏置设计使得BJT器件工作在放大模式
B、电路工作点确定后，小信号模型的参数也就确定了
C、BJT器件型号确定后，小信号模型的参数也就确定了
D、不同结构类型的BJT器件小信号模型是不一样的
10、N型半导体带负电，P型半导体带正电
11、在画放大器直流通路时，电容应短路，电感应开路
12、MOSFET做放大器，要想正常工作只需用电路提供合理的偏置使其工作在饱和区即可
13、限幅电路仅利用了二极管的单向导电性
14、晶体三极管参与导电的载流子为自由电子和空穴
15、场效应管参与导电的载流子为自由电子和空穴
16、BJT和MOSFET管在集成电路中除了作为放大管使用外，还有另外两个作用分别是电流源和有源负载
期中考试--主观题
1、假设图中的二极管理想，求所标明的电流值 I和电压值 V。
2、设计如图所示的电路，使晶体管工作在ID=0.4mA，VD=0.5V。该NMOS晶体管的Vt=0.7V，μnCox=100μA/V2,L=1μm,W=32μm，λ=0。
3、考虑如图所示的射极跟随器，β=100，VBE=0.7V,VA=100V,RB=100kΩ，Rsig=20kΩ，RL=1kΩ。 （1）求 IE,VB； （2）求小信号参数 rπ、gm和ro ； （3）画出交流小信号等效电路模型，并求 Ri，RO和源电压增益Avs；
期末考试
期末客观题
1、限幅电路如图所示，其设定的幅度上下限为（）
A、-3V, 6V
B、3V, 6V
C、3.7V，6.7V
D、-3.7V，6.7V
2、下列对共源放大器的描述正确的是（）
A、输入电阻高，输出电阻低
B、输入电阻低，输出电阻低
C、输入电阻高，输出电阻高
D、输入电阻低，输出电阻高
3、NPN晶体三极管须满足的的工艺条件（）
A、发射区高掺杂
B、基区很薄
C、集电结面积远大于发射结面积
D、以上都是
4、集成运算放大器的输出级一般为（）结构。
A、差分放大器
B、组合放大器
C、功率放大器
D、电流源
5、当负反馈电路采用恒压激励，且要求恒压输出时，应引入（）
A、电流串联负反馈
B、电压串联负反馈
C、电压并联负反馈
D、电流并联负反馈
6、若要求从输入信号中取出高于25kHZ的信号，应选用（ ）滤波电路
A、低通
B、高通
C、带通
D、带阻
7、正弦波振荡器中正反馈网络的作用是（）
A、保证产生自激振荡的相位条件
B、提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大
C、产生单一频率正弦波
D、以上说法都对
8、
A、D1截止，D2导通
B、D1导通， D2截止
C、D1导通，D2导通
D、D1截止，D2截止
9、
A、放大区
B、截止区
C、饱和区
D、击穿区
10、设图中三极管为硅管，β=50，VBE(on)=0.7V，试通过估算判断它的静态工作点位于（）
A、放大区
B、截止区
C、饱和区
D、击穿区
11、在多级放大器中，后一级电路的输入电阻可视为前一级电路的（ ），而前一级电路的输出电阻可视为后一级电路的（ ）
A、负载，信号源内阻
B、输入电阻，输出电阻
C、输出电阻，输入电阻
D、负载，输入电阻
12、下列参数中哪些不是描述差分放大器性能优劣的特有的指标？
A、差模增益
B、共模增益
C、共模抑制比
D、带宽
13、设计一个高输入电阻和高输出电阻的放大器，需要引入的反馈类型为
A、电流串联负反馈
B、电压串联负反馈
C、电压并联负反馈
D、电流并联负反馈
14、某放大器的电压增益为40dB，因为某种原因增益扩大了10倍，则现在的增益大小为（）
A、400dB
B、1000V/V
C、60dB
D、30dB
15、以下哪些是衡量功率放大器性能的指标（ ）
A、输出功率
B、功率转换效率
C、失真系数
D、共模抑制比
16、下面对FET混合π小信号模型描述正确的是
A、用于分析工作在饱和区的FET器件
B、用于分析FET器件对交流信号的响应
C、用于分析工作在任何工作区的FET器件
D、用于分析FET器件对直流信号的响应
17、一般电压型集成运放内部结构主要包括
A、具有抑制噪声输入功能的差分输入级
B、具有高增益的中间放大级
C、具有较大驱动能力的功率输出级
D、具有较高稳定性的恒流源偏置结构
18、下列对差分对的描述正确的是
A、在电路结构、工作原理和分析方法等各方面，BJT差分对与MOS差分对高度相似
B、在同样偏置的条件下，与MOS差分对相比，BJT差分对的差模增益和共模抑制比更高
C、BJT差分对的线性输入范围比MOS差分对更小，需增加射极电阻，以牺牲增益为代价来换取性能的改善
D、BJT差分对的差模输入电阻很小，可通过增加射极电阻或采用组合管的方式来解决
19、齐纳二极管只能用作稳压用途。
20、CS、CG和CD三种组态中，最适合做电压放大器的还是CS放大器。
21、CS放大器的交流输出摆幅主要由工作点位置决定，跟输入信号大小无关。
22、NPN型的BJT和NMOS器件的载流子均只有1种
23、晶体管三种基本组态放大电路中，共基组态输入电阻最低，输出电阻最低。
24、不论是纯差模输入还是纯共模输入，差分放大器对信号的输入范围都是有要求的，而且要求不同。
25、集电结面积远远大于发射结面积，是为了保证集电结能够尽可能多地收集来自于发射区的多子，使得集电区电流大小直接受发射区电流大小 控制
计算题
1、设计如图的电路成实现vo=10(vi2-vi1)，其中R1=R3=10KΩ，确定R2，R4。
2、如图所示电路，R1=240Ω，R2=3kΩ；W117输出端和调整端之间的电压为VR为1.25V，求输出电压的范围。
3、如图所示，设L+=-L-=10V，R1=10kΩ，求R2和vREF，使门限电压等于0V和1V。
4、如图所示，RC文氏电桥正弦振荡电路： （1）已知,为满足起振条件，应如何取值？ （2）若,则输出正弦波频率f=？
5、反馈放大电路如图所示，试：（10分） （1）指明级间反馈元件，并判别反馈类型； （2）若电路满足深度负反馈的条件，求电压增益的表达式。
6、差动放大电路如图所示，设两管的特性相同，β=100, VBE（ON）=0.7V，rce可忽略，求： (1)差模电压放大倍数 (2)管单端输出时的差模电压放大倍数。 (3)求单端输出时的共模抑制比。
7、放大电路如图所示，已知试求： （1）画出该电路的信号等效电路； （2）求输入电阻,输出电阻 （3）电压增益,源电压增益
中国大学模拟电子电路_1
中国大学模拟电子电路_1是中国大学最基础的电子电路课程之一。它是电子信息类专业的必修课程，也是很多工科类专业的必修课程。
中国大学模拟电子电路_1主要涉及的内容包括：基本电路原理、电路分析方法、半导体器件、放大电路、运算放大器、信号处理电路等。
基本电路原理
基本电路原理是中国大学模拟电子电路_1课程的基础。它包括电流、电压、电阻、电容、电感等基本概念，以及欧姆定律、基尔霍夫定律、电压分压原理、电流分流原理等基本电路定律和原理。
掌握基本电路原理对于后面的电路分析和设计非常重要。同学需要通过课堂学习和实验操作，深刻理解基本电路原理的物理本质和应用。
电路分析方法
电路分析方法是中国大学模拟电子电路_1课程的核心内容。它包括基于基本电路定律和原理的手算电路分析方法，以及基于计算机辅助仿真的电路分析方法。
手算电路分析方法需要同学熟练掌握基本电路定律和原理，并具有良好的数学计算能力。而计算机辅助仿真方法则需要同学具备一定的计算机操作技能和电路分析基础。
半导体器件
半导体器件是中国大学模拟电子电路_1课程的另一个重要内容。半导体器件包括二极管、三极管等。掌握半导体器件的物理原理和工作特性，对于后面的放大电路和信号处理电路的设计和分析都有重要的影响。
同学需要通过课堂学习和实验操作，深刻理解半导体器件的物理本质和应用，并具有一定的器件测试和选型能力。
放大电路
放大电路是中国大学模拟电子电路_1课程的重点内容之一。放大电路是指通过放大器件将输入信号的幅度扩大的电路。
放大电路包括共射放大电路、共基放大电路、共集放大电路等。同学需要熟练掌握各种放大电路的工作原理和特性，以及电路分析和设计方法。
运算放大器
运算放大器是中国大学模拟电子电路_1课程的另一个重要内容。运算放大器是一种电子放大器件，具有高增益、高输入阻抗、低输出阻抗等特点。
运算放大器广泛用于信号处理和控制电路中。同学需要熟练掌握运算放大器的物理原理和工作特性，以及基于运算放大器的信号处理电路的分析和设计方法。
信号处理电路
信号处理电路是中国大学模拟电子电路_1课程的最终目标。信号处理电路是指通过电路对输入信号进行处理和转换的电路。
信号处理电路包括滤波器、振荡器、比较器、模数转换器等。同学需要掌握各种信号处理电路的工作原理和特性，以及电路分析和设计方法。
结语
中国大学模拟电子电路_1是电子信息类专业和工科类专业的基础课程之一。同学需要通过课堂学习和实验操作，掌握基本电路原理、电路分析方法、半导体器件、放大电路、运算放大器、信号处理电路等内容，建立起扎实的电子电路基础。
