尔雅光电检测技术与系统章节答案(学习通2023题目答案)
辐射度学与光度学基础自测
1、尔雅当黑体的光电温度升高时，其峰值光谱辐射出射度所对应的检测技术波长的移动方向为（）
A、向短波方向移动
B、系统学习向长波方向移动
C、章节不移动
D、答案均有可能
2、通题已知某He-Ne激光器的目答输出功率为8mW，正常人眼的尔雅明视觉和暗视觉最大光谱光是效能分别为683lm/W和1725lm/W，人眼明视觉光谱光视效率为0.24，光电则该激光器发出的检测技术光通量为（）
A、3.31lx
B、系统学习1.31lx
C、章节3.31lm
D、答案1.31lm
3、通题用照度计测得某环境下的照度值为1000lx，该环境可能是（ ）
A、阳光直射
B、阴天室外
C、工作台
D、晨昏蒙影
4、已知某辐射源发出的功率为1W，该波长对应的光谱光视效率为0.5，则该辐射源辐射的光通量为（ ）
A、683lm
B、341.5lm
C、1276lm
D、638lm
5、为了描述显示器的每个局部面元在各个方向的辐射能力，最适合的辐射度量是（）
A、辐射照度
B、辐射强度
C、辐射出度
D、辐射亮度
6、电磁波谱中可见光的波长范围为（ ）
A、0.38~0.78um
B、0.38~1um
C、1~3um
D、8~12um
7、100W标准钨丝灯在0.2sr范围内所发出的辐射通量为（）
A、1.592W
B、27.223lm
C、3.184W
D、27.223lm
8、光谱光视效率V(505nm)=0.40730，波长为505nm、1mW的辐射光，其光通量为（ ）
A、683lm
B、0.683lm
C、278.2lm
D、0.2782lm
9、X射线的波长范围是（）
A、
B、
C、
D、
10、辐射强度的计量单位是（）
A、
B、
C、
D、
11、辐射亮度的计量单位是（）
A、
B、
C、
D、
12、某半导体激光器发出波长为642nm的激光束，其功率为100mW。当时求此光束的辐射通量是（）
A、
B、
C、
D、
13、某半导体激光器发出波长为642nm的激光束， 发出的光通量为10.928 lm， 光束直径为1.22mm，光出射度是（）
A、
B、
C、
D、
14、波长为532nm （V（0.532um）=0.88）的绿光固体激光器输出功率为15W，均匀的投射到的白色屏幕上。问屏幕上的光照度为（）
A、
B、
C、
D、
15、绿光固体激光器均匀的投射到白色屏幕上的光照度为，若屏幕的反射系数是0.9，则光出射度为（）
A、
B、
C、
D、
16、一支白炽灯，假设各向发光均匀，悬挂在离地面2m的高处，用照度计测得正下方地面上的照度为30lx，该白炽灯的光通量（）
A、375.5lm
B、375.5lx
C、1507.2lm
D、1507.2lx
17、直径为3米的圆桌中心上方2米处吊一平均发光强度200cd的灯泡，求圆桌中心光照度为（）
A、
B、
C、
D、
18、直径为3米的圆桌中心上方2米处吊一平均发光强度200cd的灯泡，求圆桌边缘的光照度光照度为（）
A、
B、
C、
D、
19、下列选项中的参数与接收器有关的有（）
A、曝光量
B、光通量
C、亮度
D、照度
20、余弦辐射体的主要特性包括（）
A、普朗克辐射定律
B、斯忒藩—玻尔兹曼定律
C、维恩位移定律
D、其他
21、光通量的单位是坎德拉。
22、辐射通量与光通量的单位是相同的。
23、朗伯辐射体的辐射出射度等于他的辐射亮度。
24、被照明物体表面的辐射照度和光源与物体表面的距离平方成反比。
25、辐射出射度Me与辐射照度Ee的定义式都是：某点处面元的辐通量除以改面元的面积dA的商，所以这两个物理量是具有相同的概念。
26、发光方式主要有电致发光，光致发光，化学发光和热发光。
27、发光强度的单位是坎德拉（cd），其定义为：在给定方向上能发射的单色辐射源，在此方向上的辐强度为（1/683）W/sr，其发光强度定义为1cd。
28、在对具有一定量度和颜色的非黑体辐射体的温度标测中，亮温度与实际温度的偏差最小，色温度次之，辐射温度与实际温度的偏差最大。
29、在弱辐射作用的情况下，半导体的光电导效应与入射辐射通量的关系是线性的。
30、辐射度量是生理（或主观）的计量方法。
31、光度量是以人眼所能看见的光对大脑的刺激程度来对光进行计算。
32、辐射度量是物理（或客观）的计量方法。
33、太赫兹波具有低能量性，对人体基本上没有什么副作用。
34、辐射出射度 Me与辐射照度Ee意义相同。
辐射度学与光度学基础作业
1、为了描述显示器的每个局部面元在各个方向的辐射能力，最适合的辐射度量是（ ） A 辐照度 B 辐强度 C 辐出度 D 辐亮度
2、已知某辐射源发出的功率为1W，该波长对应的光谱光视效率为0.5，则该辐射源辐射的光通量为（ ） A 683lm B 341.5lm C 1276lm D 638lm
3、电磁波谱中可见光的波长范围为（ ） A 0.38~0.78um B 0.38~1um C 1~3um D 8~12um
4、下列选项中的参数与接收器有关的有（ ） A．曝光量 B.光通量 C.亮度 D.照度
5、
6、判读题：辐射通量与光通量的单位是相同的。( )
7、判断题：朗伯辐射体的辐射出射度等于他的辐射亮度。（ ）
8、被照明物体表面的辐射照度和光源与物体表面的距离平方成反比。（ ）
9、
10、
11、波长为532nm （V（0.532um）=0.88）的绿光固体激光器输出功率为15W，均匀的投射到0.2 平方厘米的白色屏幕上。问屏幕上的光照度为多少？若屏幕的反射系数为0.9，其光出射度为多少？
12、某半导体激光器发出波长为642nm的激光束，其功率为100mW，光斑发射角为0.6mrad，光束直径为1.22mm。试求：（1）当V0.6428=0.160时求此光束的辐射通量、光通量、发光强度、光出射度各为多少？（2）若将其投射到100m远处的屏幕上，屏幕的光照度为多少？
13、一支白炽灯，假设各向发光均匀，悬挂在离地面2m的高处，用照度计测得正下方地面上的照度为30lx，该白炽灯的光通量。
第2章 光电探测器理论基础
光电探测器理论基础自测
1、被光激发产生的电子溢出物质表面，形成真空中的电子的现象叫做（）
A、内光电效应
B、外光电效应
C、光生伏特效应
D、丹培效应
2、半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。
A、价带，导带
B、价带，禁带
C、禁带，导带
D、导带，价带
3、一个电阻值为1000欧姆的电阻，在室温下，工作带宽为1Hz时，热噪声均方电压为（）
A、3nV
B、4nV
C、5nV
D、6nV
4、已知一束激光功率为30mW、波长为0.6328um，普朗克常数则该激光束的光子流速率N为（）
A、个/秒
B、个/秒
C、个/秒
D、个/秒
5、某半导体光电器件的长波限为13um，其杂质电离能为（）
A、0.095J
B、0.095eV
C、J
D、eV
6、已知甲、乙两厂生产的光电器件在色温2856K标准钨丝灯下标定出的灵敏度分别为，，则甲乙两厂中光电器件灵敏度比较结果正确的是（）
A、甲厂灵敏度高
B、乙厂灵敏度高
C、甲乙两场灵敏度一样高
D、无法比较
7、光电发射材料的光电发射长波限为680nm，该光电发射材料的光电发射阈值的大小为（）
A、
B、
C、1.82J
D、1.83eV
8、已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um，则该材料的禁带宽度为（）
A、0.886J
B、0.886eV
C、886J
D、886eV
9、对于P型半导体来说，以下说法正确的是（）
A、电子为多子
B、空穴为少子
C、能带图中施主能级靠近于导带底
D、能带图中受主能级靠近于价带顶
10、有关半导体对光的吸收,下列说法正确的是（）
A、半导体对光的吸收主要是本征吸收
B、半导体对光的吸收主要是非本征吸收
C、产生本征吸收的条件是入射光子的波长要大于波长阈值
D、产生本征吸收的条件是入射光子的频率要小于频率阈值
11、对于N型半导体来说，以下说法正确的是（）
A、费米能级靠近导带底
B、空穴为多子
C、电子为少子
D、费米能级靠近靠近于价带顶
12、一束功率为30mW、波长为0.6328um的激光束的光子流速率N为（）
A、个/秒
B、个/秒
C、个/秒
D、个/秒
13、某一金属光电发射体有2.5eV的逸出功，并且导带底在真空能级下位7.5eV，则产生光电效应的长波限（）
A、0.496um
B、0.496nm
C、0.248um
D、0.248um
14、某型号硅APD光敏面直径为0.5mm，等效噪声功率为，电流灵敏度为77A/W，求该光电探测器的比探测率（）
A、
B、
C、
D、
15、探测器的，探测器光敏面积的直径为0.5cm，用于的光电仪器中，它能探测的最小辐射功率为（）
A、
B、
C、
D、
16、温度为300K时的电阻工作在100Hz带宽内产生的均方噪声电流为（）
A、
B、
C、
D、
17、温度为300K时的电阻工作在100Hz带宽内产生的均方噪声电压为（）
A、
B、
C、
D、
18、已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um，该材料的禁带宽度为（）
A、0.886（eV）
B、8.86（eV）
C、88.6（eV）
D、
19、光电发射材料的光电发射长波限为680nm，该光电发射材料的光电发射阈值为（）
A、1.82（eV）
B、18.2（eV）
C、
D、0.182（eV）
20、已知本征硅材料的禁带宽度，半导体材料的本征吸收长波限为（）
A、1.216（um）
B、
C、1.03（um）
D、
21、温度为300K的本征硅半导体掺入的砷原子，计算掺杂后硅半导体电子浓度为（）
A、
B、
C、
D、
22、温度为300K的本征硅半导体掺入的砷原子，计算掺杂后硅半导体空穴的浓度为（）
A、
B、
C、
D、
23、温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为，禁带宽度为1.12eV，计算掺入硼原子后硅中电子浓度为（）
A、
B、
C、
D、
24、温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为，禁带宽度为1.12eV，计算掺入硼原子后硅中空穴浓度为（）
A、
B、
C、
D、
25、光电探测器中的噪声主要包括（）
A、热噪声
B、散粒噪声
C、产生复合噪声
D、1/f噪声
E、温度噪声
26、光电技术中应用的半导体对光的吸收主要是（）
A、本征吸收
B、杂质吸收
C、激子吸收
D、自由载流子吸收
E、晶格吸收
27、比探测率是一个与工作频率、测量带宽无关的常数。
28、探测率是一个反映探测器探测能力的物理量，探测率越大，说明探测器的探测能力越强。
29、噪声等效功率是信噪比为1时，入射到探测器上的信号辐射通量。
30、1/f噪声是一种低频噪声，几乎所有探测器中都存在这种噪声。
31、量子效率是在特定波长下单位时间内产生的平均光电子数与入射光子数之比。
32、若金属溢出功为W，则长波限为1.24/W(nm)。
33、波长长于本征吸收的光波长波限的入射辐射能使器件产生本征吸收，改变本征半导体的导电特性。
34、杂质吸收的长波限总要长于本征吸收的长波限。
35、可以引起光电效应的光吸收包括本征吸收，杂质吸收，激子吸收，自由载流子吸收和晶格吸收。
36、光生伏特效应能将光能转换成电能。
37、外光电效应是半导体光电器件、真空光电倍增管、摄像管、变像管和像增强器的核心技术。
38、热噪声存在于任何导体与半导体中，它属于白噪声。
39、1/f噪声通常又称为电流噪声（有时也称为闪烁噪声或过剩噪声）。它是一种低频噪声，几乎所有探测器中都存在这种噪声。
40、在实际使用中，常用较低的调制频率可避免或大大减小电流噪声的影响。
光电探测器理论基础作业
1、被光激发产生的电子溢出物质表面，形成真空中的电子的现象叫做（）。 A．内光电效应 B. 外光电效应 C.光生伏特效应 D.丹培效应
2、半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。 A.价带，导带 B.价带，禁带 C.禁带，导带 D.导带，价带
3、一个电阻值为1000欧姆的电阻，在室温下，工作带宽为1Hz时，热噪声均方根电压为 A 3nV B 4nV C 5nV D 6nV
4、
5、
6、比探测率是一个与工作频率、测量带宽无关的常数。 （ ）
7、探测率是一个反映探测器探测能力的物理量，探测率越大，说明探测器的探测能力越强。（ ）
8、噪声等效功率是信噪比为1时，入射到探测器上的信号辐射通量。（ ）
9、量子效率是在特定波长下单位时间内产生的平均光电子数与入射光子数之比。（ ）
10、波长长于本征吸收的光波长波限的入射辐射能使器件产生本征吸收，改变本征半导体的导电特性。（ ）
11、
12、
13、
14、
15、某一金属光电发射体有2.5eV的逸出功，并且导带底在真空能级下位7.5eV。试计算：(1)产生光电效应的长波限；(2)产生费米能级相对于导带底的能级。
第3章 光电探测中的常用光源
光电探测器常见光源自测
1、低压汞灯光谱为（）
A、线状光谱
B、带状光谱
C、连续光谱
D、混合光谱
2、高压钠灯光谱为（）
A、线状光谱
B、带状光谱
C、连续光谱
D、混合光谱
3、白炽灯光谱为（ ）
A、线状光谱
B、带状光谱
C、连续光谱
D、混合光谱
4、荧光灯光谱为（ ）
A、线状光谱
B、带状光谱
C、连续光谱
D、混合光谱
5、某光源的发光效率为90~100lm/W，该光源可能是（ ）
A、普通荧光灯
B、高压汞灯
C、高压钠灯
D、卤钨灯
6、连续波半导体激光器输出功率约为（ ）
A、小于1mW
B、几毫瓦到数百毫瓦
C、几瓦
D、几百瓦
7、黑体是指（ ）
A、反射为1
B、吸收为1
C、黑色的物质
D、不发射电磁波
8、普通荧光灯的发光效率约为（）lm/W
A、10~20
B、35~60
C、100~150
D、60~100
9、LED的响应时间大约是（）数量
A、秒
B、毫秒
C、微秒
D、纳秒
10、常用的激光器有（）
A、气体激光器
B、液体激光器
C、固体激光器
D、染料激光器
E、半导体激光器
11、按发光机理分类，常用光源有
A、发光二极管
B、激光器
C、气体放电
D、热辐射
E、太阳
12、光源的光谱功率分布通常可以分为（）
A、线状光谱
B、带状光谱
C、连续光谱
D、混合光谱
13、光电探测系统对光源选择的主要要求有（ ）
A、光谱特性要求
B、发光强度要求
C、光源稳定性要求
D、发光效率要求
14、发光效率是光源发射的光通量与所需的电功率之比。
15、GaAs的开启电压约为1V。
16、物体温度升高时，辐射峰值波长向长波方向移动。
17、氮化物蓝或紫LED的管芯中加上三基色荧光粉可激发出白光，成为白光LED。
18、超高亮度LED是指辐射功率高，法向发光强度在1000mcd以上的LED，光效可以达到50~100lm/W。
19、发光二极管辐射光的峰值波长与材料的禁带宽度Eg无关。
20、LED发出的光是基于受激辐射，发出的是相干光。
21、普通钨丝灯的发光效率约为8~18lm/W。
22、LED的寿命通常小于小时。
23、通常利用半导体激光器（LD）和发光二极管伏安特性和响应时间特性对光源进行直接调制。
24、若辐射源辐射光的颜色与黑体在某一温度下辐射光的颜色相同，则黑体的这一温度称为该辐射源的色温。
25、白炽灯发的光基本是连续光谱，造价低，发光效率高。
26、发光二极管的外发光效率随温度的上升而上升。
27、发光二极管发光时，PN通常工作在反向工作状态。
光电探测器常见光源自测
1、常用的激光器有（） A. 气体激光器 B.液体激光器 C.固体激光器 D.染料激光器 E 半导体激光器
2、按发光机理分类，常用光源有（ ） A. 发光二极管 B.激光器 C.气体放电 D.热辐射 E 太阳
3、光源的光谱功率分布通常可以分为（ ） A. 线状光谱 B.带状光谱 C.连续光谱 D.混合光谱
4、光电探测系统对光源选择的主要要求有（ ） A. 光谱特性要求 B.发光强度要求 C.光源稳定性要求 D.发光效率要求
5、LED的响应时间大约是（）数量级 A.秒 B.毫秒 C.微秒 D.纳秒
6、发光效率是光源发射的光通量与所需的电功率之比。（ ）
7、物体温度升高时，辐射峰值波长向长波方向移动。（ ）
8、氮化物蓝或紫LED的管芯中加上三基色荧光粉可激发出白光，成为白光LED。（ ）
9、发光二极管辐射光的峰值波长与材料的禁带宽度Eg无关。（ ）
10、LED的寿命通常小于106小时。（ ）
11、如书本图3-1所示，具有线状光谱或带状光谱特征的光源，能否用色温来描述？为什么？
12、试比较卤钨灯、氘灯和超高压汞灯的发光性能。在普通紫外-可见光光度计(200nm～800nm)中，应怎样选择照明光源？
13、为什么说发光二极管的发光区在PN结的P区？这与电子、空穴的迁移率有关吗？
14、发光二极管的发光光谱由哪些因素决定？
15、
第4章 光电导探测器
光电导探测器自测
1、光电导的单位（）
A、欧姆
B、西门子
C、流明
D、勒克斯
2、氮化镓光电导器件的光谱响应范围为（）
A、200~365nm
B、400~700nm
C、700~1100nm
D、1~7um
3、硫化镉光电导器件的光谱响应范围为（）
A、200~365nm
B、400~700nm
C、700~1100nm
D、1~7um
4、常温硫化铅光电导器件的光谱响应范围为（）
A、200~365nm
B、400~700nm
C、700~1100nm
D、0.4~3um
5、常温碲化铟光电导器件的光谱响应范围为（ ）
A、200~365nm
B、400~700nm
C、1~7.5um
D、0.4~3um
6、设某光敏电阻在100lx光照下的阻值为2，且已知它在90~120lx范围内的。则该光敏电阻在110lx光照下的阻值为（）。
A、2224.6
B、1999.9
C、1873.8
D、935.2
7、假设某只CdS光敏电阻的最大功耗是30mW，光电导灵敏度，暗电导。当CdS光敏电阻上的偏置电压为20V是的极限照度为（）。
A、150lx
B、22500lx
C、2500lx
D、150lx和22500lx
8、光电导探测器的特性受工作温度影响（）。
A、很小
B、很大
C、不受影响
D、不可预知
9、设光敏电阻GM20539在10lx的光照下的阻值为50K，且已知它在10~100lx范围内的。试求该光敏电阻在90lx光照下的阻值（）
A、8621.4
B、862.14
C、86.214
D、8.6214
10、设某只CdS光敏电阻的最大功耗为30mW，光电导灵敏度S/lx，暗电导为零。试求当CdS光敏电阻上的偏置电压为20V时的最大照度为（）
A、1406.25 lx
B、375 lx
C、37.5 lx
D、140.625 lx
11、设某只CdS光敏电阻的最大功耗为30mW，光电导灵敏度S/lx，暗电导为零。试求当CdS光敏电阻上的偏置电压为20V时的最小照度为（）
A、1406.25 lx
B、375 lx
C、37.5 lx
D、140.625 lx
12、杂质型光敏电阻需要在（）下使用。
A、常温
B、高温
C、超高温
D、低温
13、下列光电导器件中那些属于本证光电导器件（）
A、锗掺汞
B、硫化镉
C、锑化汞
D、碲鎘汞
E、硫化铅
14、光电导器件的噪声主要有（)
A、热噪声
B、1/f噪声
C、产生与复合噪声
D、散粒噪声
15、选用光电探测器的一般原则（）
A、考虑时间响应特性
B、用于测光的光源光谱特性必须与光电探测器的光谱响应特性匹配
C、考虑光电探测器的线性特性
D、考虑光电探测器电阻大小
16、光电导内增益与哪些量有关（）
A、器件材料
B、结构尺寸
C、外加偏压
D、负载电阻
17、由于电子的迁移率比空穴大，因此通常用P型材料制成光电导器件。
18、本征光电导器件的长波限可以达到130um。
19、弱辐射情况下，本征光电导与入射辐射通量成正比。
20、材料确定后，光敏电阻的光照指数是一个常数。
21、前历效应是指光电导探测器的时间特性与工作前历史有关的一种现象。
22、光电导器件的时间响应都较小，适合于探测窄脉冲光信号。
23、当光电导器件接收交变调制光时，随调制光频率的增加，其输出会减小。
24、光敏电阻光谱特性的峰值波长，低温时向短波方向移动。
25、光敏电阻光敏面做成蛇形状，有利于提高灵敏度。
26、光敏电阻的恒压偏置电路比恒流偏置电路的电压灵敏度要高一些。
27、光电导器件在方波辐射的作用下，其上升时间大于小将时间。
28、在测量某光电导器件的值时，背景光照越强，其值越小。
29、光敏电阻在恒压偏置电路比恒流偏置电路的电压灵敏度要高一些。
30、光敏电阻的阻值与环境温度有关，温度升高光敏电阻的阻值也随之升高。
31、光敏电阻的前例效应是由于被光照过后所产生的光生电子与空穴的复合而需要很长的时间，而且，随着复合的进行，光生电子与空穴的浓度与复合机率不断减小，使得光敏电阻恢复被照前的阻值需要很长时间这一特性的描述。
32、杂质型光敏电阻需要高温使用。
33、同一型号的光敏电阻，在不同光照下和不同的环境温度下，其光电导灵敏度和时间常数相同。
34、同一型号的光敏电阻，在照度相同而温度不同时，其光电导灵敏度不相同和时间常数也不相同。
35、在光照度一定时，光电导探测器灵敏度随工作偏置电压的增大而减小。
36、在实际应用中，可以在光电导探测器的最大额定功率内适当提高工作偏置电压，以得到较大的探测灵敏度。
光电导探测器作业
1、下列光电导器件中那些属于本证光电导器件（ ） A．锗掺汞 B.硫化镉 C.硫化铅 D.锑化汞 E 碲鎘汞
2、氮化镓光电导器件的光谱响应范围为（ ） A.200~365nm B.400~700nm C.700~1100nm D 1~7um
3、常温硫化铅光电导器件的光谱响应范围为（ ） A.200~365nm B.400~700nm C.700~1100nm D 0.4~3um
4、常温碲化铟光电导器件的光谱响应范围为（ ） A.200~365nm B.400~700nm C.1~7.5um D 0.4~3um
5、光电导探测器的特性受工作温度影响（ ）。 A.很小 B.很大 C.不受影响 D.不可预知
6、光电导的单位（ ） A.欧姆 B.西门子 C.流明 D 勒克斯
7、电导器件在方波辐射的作用下，其上升时间大于下降时间。 ( )
8、某光电导器件的γ值时，背景光照越强，其γ值越小。 ( )
9、光敏电阻的阻值与环境温度有关，温度升高光敏电阻的阻值也随之升高。 ( )
10、光敏电阻的恒压偏置电路比恒流偏置电路的电压灵敏度要高一些。 ( )
11、
12、
13、
14、
第5章 光伏探测器
光伏探测器自测
1、若要检测脉宽为10E-7s的光脉冲，应选用（ ）为光电变换器件。
A、PIN型光电二极管
B、3DU型光电三极管
C、PN结型光电二极管
D、硅光电池
2、用光电法测量某高速转轴的转速时，最好选用（ ）为光电接收器件。
A、PMT
B、CdS光敏电阻
C、2CR42硅光电池
D、3DU型光电三极管
3、硅光电池在（ ）偏置时，其光电流与入射辐射量有良好的线性关系，且动态范围较大。
A、恒流
B、自偏置
C、零伏偏置
D、反向偏置
4、硅光电池在（ ）情况下有最大的输出功率。
A、开路
B、自偏置
C、零伏偏置
D、反向偏置
5、通常光伏探测器的扩散时间为（ ）
A、
B、
C、
D、
6、通常光伏探测器的漂移时间为（ ）
A、
B、
C、
D、
7、硅光电池的最高截止频率通常为（ ）
A、几千赫兹
B、几万赫兹
C、几十万赫兹
D、几百万赫兹
8、硅光电池的受光面的输出多做成梳齿状或E字形电极，其目的是（ ）。
A、增大内电阻
B、减小内电阻
C、简化制作工艺
D、约定俗成
9、硅光电三极管偏置电压为零，现在逐渐增强其光照度，则此时光电三极管集电极电流的变化为（）。
A、电流不断增大
B、电流逐渐减小
C、电流逐渐增大，到一定程度后趋于稳定
D、电流大小始终为零
10、为了提高光电二极管短波段波长的光谱响应，下面可以采取的措施是（）。
A、增强短波波长光谱的光照强度
B、增强长波波长光谱的光照强度
C、增加PN节厚度
D、减薄PN节厚度
11、用光电法测量某高速转轴（15000r/min）的转速时，最好选用（ ）为光电接收器件。
A、PMT
B、CdS光敏电阻
C、2CR42硅光电池
D、3DU型光电三极管
12、若要检测脉宽为10E-7s的光脉冲，应选用（ ）为光电变换器件。
A、PIN型光电二极管
B、3DU型光电三极管
C、PN结型光电二极管
D、2CR11硅光电池
13、硅光电池在（）偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较大。
A、恒流
B、自偏置
C、零伏偏置
D、反向偏置
14、硅光电池在（）情况下有最大的电流输出。
A、开路
B、自偏置
C、零伏偏置
D、反向偏置
15、光伏器件的自偏置电路主要用于（ ）器件
A、光电三极管
B、光电池
C、PSD位置传感器
D、象探测器
16、下列光电器件中可以作为继电器的是（ ）
A、色敏器件
B、光耦合器
C、PSD
D、象探测器
17、下列光电器件中可以精确测量位置的是（ ）
A、色敏器件
B、光耦合器
C、PSD
D、象探测器
18、假设一个PIN光电二极管的I层（Si）宽度为20mm。P层非常的薄(0.1mm)。外加在PIN光电二极管的反向偏置电压为100V，当波长为900nm的光照射在上面时，光电流的持续时间为（）秒。（假设光子在I层全部被吸收）
A、4E-7
B、8.08 E-7
C、2E-10
D、8E-7
19、一个PIN光电二极管（Si）的有效受光面积的直径为0.4mm。当波长为700nm强度为0.1的红光入射产生了56.6nA的光电流，那么响应度是（）。
A、45.1%
B、11.28%
C、79.83%
D、40%
20、光伏探测器的响应时间主要由（ ）因素决定
A、光生载流子扩散到结区的时间
B、光生载流子的漂移时间
C、结电容和负载电阻决定的时间常数
D、光谱范围
21、光伏器件的噪声主要有（ ）
A、热噪声
B、1/f噪声
C、产生与复合噪声
D、散粒噪声
22、光伏探测器的光电特性主要与（ ）有关
A、材料
B、光照范围
C、负载大小
D、外加电压
23、光伏探测器在正常使用时，常用的偏置方式有（ ）
A、自偏置
B、零偏置
C、反向偏置
D、正向偏置
E、恒压偏置
24、光电耦合器件的主要特性有（ ）
A、具有耦合特性和隔离特性
B、信号传输具有单向性
C、抗电磁干扰和噪声
D、响应速度快
25、在室温300K时，已知2CR21型硅光电池(光敏面积为5mm×5mm)在辐照度为100时的开路电压为，短路电流。室温情况下，辐照度降低到50时的开路电压为（）mV与短路电流为（）mA。
A、275
B、532
C、5.8
D、3
26、已知2CR44型硅光电池的光敏面积为10mm×10mm，在室温为300K、辐照度为100时的开路电压，短路电流。则辐照度为200时最大输出功率为（）mW，转换效率为（）%。
A、18.48
B、19.08
C、9.54
D、9.24
27、光伏探测器的暗电流是一个确定的常数。
28、光伏器件外加反向偏压时，暗电流随反向偏压的增加有所增大，最后趋近于反向饱和电流。
29、自偏压是指光伏探测器的输出电流流过外电路负载电阻产生的压降就是他自身的正向偏压。
30、光电池的主要用途为太阳能光电池和测量光电池。
31、雪崩光电二极管的最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。
32、硅光电池需要加偏压才能把光能转换成电能。
33、光电池通常工作在自偏置状态，用作弱光信号的线性测量或强光信号的存在探测。
34、光伏效应对光的吸收主要为非本征吸收。
35、用双结光电二极管作颜色测量时，可以测出其中两个硅光电二极管的短路电流比的对数值与入射光波长的关系。
36、PSD是利用位置离子注入技术制成的一种对入射到光敏面上的光点位置敏感的光电器件。
光伏探测器作业
1、用光电法测量某高速转轴(15000r/min)的转速时，最好选用（ ）为光电接收器件。 A．PMT B．CdS光敏电阻 C．2CR42硅光电池 D．3DU型光电三极管
2、若要检测脉宽为10-7s的光脉冲，应选用（ ）为光电变换器件。 A．PIN型光电二极管B．3DU型光电三极管C．PN结型光电二极管 D．2CR11硅光电池
3、硅光电池在（ ）偏置时，其光电流与入射辐通量有良好的线性关系，且动态范围较大。 A．恒流 B．自偏置 C．零伏偏置 D．反向偏置
4、硅光电池在（）情况下有最大的功率输出。 A．开路 B．自偏置 C．零伏偏置 D．反向偏置
5、光伏探测器在正常使用时，常用的偏置方式有（ ） A．自偏置 B.零偏置 C.反向偏置 D.正向偏置 E.恒压偏置
6、光伏器件外加反向偏压时，暗电流随反向偏压的增加有所增大，最后趋近于反向饱和电流。（ ）
7、自偏压是指光伏探测器的输出电流流过外电路负载电阻产生的压降就是他自身的正向偏压。（ ）
8、光电池的主要用途为太阳能光电池和测量光电池。（ ）
9、硅光电池需要加偏压才能把光能转换成电能。（ ）
10、光伏效应对光的吸收主要为非本征吸收。（ ）
11、写出硅光电二极管的全电流方程，说明各项的物理意义。
12、影响光生伏特器件频率响应特性的主要因素有哪些？为什么PN结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于107Hz？怎样提高硅光电二极管的频率响应？
13、光生伏特器件有哪几种偏置电路？各有什么特点？
14、
15、一个PIN光电二极管（Si）的有效受光面积的直径为0.4mm。当波长为700nm强度为0.1mWcm-2的红光入射产生了56.6nA的光电流。那么量子效率和响应度是多少？
第6章 光电子发射探测器
光电子发射探测器自测
1、光电子发射探测器是基于（）的光电探测器。
A、内光电效应
B、外光电效应
C、光生伏特效应
D、光热效应
2、已知某光电倍增关的阳极灵敏度为100A/lm，阴极灵敏度为2μA/lm，要求阳极输出电流限制在100μA范围内，则允许的最大入射光通量为（）
A、
B、
C、
D、
3、真空光电器件的响应速度可以达到（）量级。
A、us
B、ns
C、ps
D、fs
4、在光电倍增管中，吸收光子能量发射光电子的部件是（）。
A、光入射窗
B、光电阴极
C、光电倍增级
D、光电阳极
5、在较强辐射作用下倍增管灵敏度下降的现象称为（）。
A、失效
B、衰老
C、失误
D、疲劳
6、已知某光电倍增管的阳极灵敏度为100A/lm，阴极灵敏度为2μA/lm，要求阳极输出电流限制在100μA范围内，则允许的最大入射光通量（）
A、
B、
C、
D、
7、光电倍增管GDB44F的阴极光照灵敏度为0.5 uA/lm，阳极光照灵敏度为50A/lm。若已知该光电倍增管为12级的倍增极，其倍增系数δ=0.2（Udd）E0.77，其供电电压为（）
A、89V
B、1157V
C、1201.5V
D、1068V
8、下面选项中属于光电倍增管产生暗电流的原因有（）
A、欧姆漏电
B、热发射
C、残余气体放电
D、场致发射
9、光电倍增管的短波限和长波限的决定因素有（）
A、光电阳极材料
B、光电阴极材料
C、窗口材料
D、倍增级材料
10、常规光电阴极材料有（）
A、银氧铯
B、单碱锑化物
C、多碱锑化物
D、碲化铯
E、负电子亲和势
11、光电倍增管的时间特性主要有（ ）参数
A、响应时间
B、渡越时间
C、渡越时间分散
D、扩散时间
12、下列信号中，可以使用光电倍增管进行探测的有（）
A、微弱可见光信号
B、强紫外光信号
C、正午太阳光信号
D、快速脉冲弱光信号
13、下列选项中，符合光电倍增管电子光学系统作用的选项有（）
A、将光电阴极发射的光电子尽可能多的汇聚到第一倍增级
B、使光电阴极发射的光电子到达第一倍增级的渡越时间零散最小
C、使达到第一倍增级的光电子能多于光电阴极的发射光电子量
D、使进入光电倍增管的光子数增加
14、下列选项中，能够降低光电倍增管暗电流的方法有（）
A、直流补偿
B、选频和锁相放大
C、冷却光电倍增管
D、增加电磁屏蔽
E、采用磁场把未被照射的光电阴极边缘暗电流的电子散射掉
15、光电倍增管的主要噪声有（）
A、1/f噪声
B、热噪声
C、散粒噪声
D、负载噪声
16、下列选择项中，与光电倍增管各倍增极的发射系数δ有关的因素有（）
A、次电子的加速电压
B、入射光强
C、倍增极材料
D、倍增极结构
17、负电子亲和势光电阴极是真空能级在导带之下，从而使有效的电子亲和势为负值。
18、NEA材料的量子效率比常规光电子阴极材料高很多。
19、光电倍增极在使用过程中队入射光没有特殊要求。
20、测量阳极灵敏度时，入射到阴极上的光通量大约在~。
21、光电倍增管分压电阻通常要求流过电阻链的电流比阳极最大电流大10倍以上。
22、光电倍增管的电流增益通常不超过。
23、光电倍增管增益定义为阳极电流与阴极电流之比，或阳极灵敏度与阴极灵敏度之比。
24、光电倍增管的倍增极通常是大于12。
25、光电倍增管的噪声主要是散粒噪声。
26、光电倍增管分压电阻链上的电流值通常要比阳极最大平均电流大10倍以上。
27、光电倍增管阴极电流与入射光谱辐射通量之比称为阴极灵敏度，阳极电流与入射光谱辐射通量之比称为阳极灵敏度。
28、逸出功是指电子逸出材料表面克服原子核的静电引力和偶电层的势垒作用所做的功。
29、电子由导带顶逸出物质表面所需要的最低能量，即为光电发射阈值。
30、阴极灵敏度表征了光电倍增管阴极材料的一次发射能力，而光电倍增管的阳极灵敏度则反应了倍增极材料的二次电子发射能力。
31、光电倍增管的短波限与长波限主要由光电阴极材料和窗口材料决定。
32、某光电倍增管的阳极灵敏度为10A/lm，但由于阳极电流过大会加速光电倍增管的疲劳与老化，所以还要限制它的阳极输出电流在50～100uA。
33、光电倍增管的负高压供电可消除外部信号输出电路与阳极的电位差，因而光电倍增管的输出电流可直接与电流计或电压转换的运算放大器相连，适用与微弱信号检测中。
34、光电倍增管的正高压供电采用耐高压的耦合电容来输出信号，这种方法适用于直流信号测量系统中。
光电子发射探测器作业
1、下面选项中属于光电倍增管产生暗电流的原因有( )。 A．欧姆漏电 B.热发射 C.残余气体放电 D场致发射
2、光电倍增管的短波限和长波限的决定因素有（ ） A.光电阳极材料 B.光电阴极材料 C.窗口材料 D.倍增级材料
3、常规光电阴极材料有（ ） A.银氧铯 B.单碱锑化物 C.多碱锑化物 D.碲化铯 E 负电子亲和势
4、光电倍增管的时间特性主要有（ ）参数 A.响应时间 B.渡越时间 C.渡越时间分散 D.扩散时间
5、真空光电器件的响应速度可以达到（ ）量级。 A.us B.ns C.ps D.fs
6、负电子亲和势光电阴极是真空能级在导带之下，从而使有效的电子亲和势为负值。（ ）
7、NEA材料的量子效率比常规光电子阴极材料高很多。（ ）
8、光电倍增极在使用过程中队入射光没有特殊要求。（ ）
9、光电倍增管分压电阻通常要求流过电阻链的电流比阳极最大电流大20倍以上。（ ）
10、光电倍增管增益定义为阳极电流与阴极电流之比，或阳极灵敏度与阴极灵敏度之比。（ ）
11、
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第7章 热探测器
热探测器自测
1、某型号的热探测器近似看为黑体，面积为100平方毫米，温度为300K，带宽为4赫兹，则该探测器最小可探测功率约为（）。
A、5E-11W
B、10E-11W
C、1E-11W
D、15E-11W
2、一般热电偶的热响应时间大约为（）
A、约为几十秒
B、约为几十毫秒
C、约为几十微秒
D、约为几十纳秒
3、常用热电堆的比探测率的数量级大约为（ ）
A、约为10E7
B、约为10E8
C、约为10E9
D、约为10E10
4、常用热敏电阻的最小可探测功率约为（ ）
A、10E-6~10E-7W
B、10E-8~10E-9W
C、10E-10~10E-11W
D、10E-11~10E-10W
5、热释电探测器输出信号处理通常是（ ）
A、输出信号直接就可以进行A/D转换
B、连接场效应管
C、连接普通晶体管
D、接普通运算放大器
6、常用的热辐射探测器主要有( )。
A、热电偶
B、热敏电阻
C、热释电探测器
D、热电堆
7、热探测器吸收低频交变热辐射能时，提高系统温升的办法有（）
A、热探测器被涂黑
B、减小器件的热导系数
C、增加器件的热导系数
D、增加降温系统
8、提高热电偶的电压灵敏度方法有（）
A、减小热导
B、选用赛贝克系数较大的热敏材料
C、将光敏面涂黑
D、减小内阻
E、减小调制频率
9、提高热敏电阻电压灵敏度的方法有（）
A、增加偏压
B、表面涂黑
C、真空封装
D、冷却
E、采用高热导衬底
10、高频下，增加热释电电压灵敏度的主要方法有()
A、增加偏压
B、表面涂黑
C、减小热释电的有效电容
D、减小热容
11、热释电探测器前面加菲涅耳透镜的作用是（）
A、聚焦作用
B、成像分为明区和暗区
C、光束整形
D、让入射光成为平行光
12、热探测器吸收的热辐射能一部分使器件的温度升高，另外一部分补偿器件与环境热交换损失的能量。
13、热探测器吸收交变辐射能所引起的温升与吸收系数成反比。
14、热探测器温度变化与工作频率有关，频率升高，温度也升高。
15、热探测器的温升与热导系数有关，低频时，温升与热导系数成反比；高频时，温升与热导系数成正比。
16、热探测工作在高频状态下时，温升与热导无关，而与调制频率和热容成反比，且随频率的增高而衰减。
17、热探测器的主要噪声是温度噪声。
18、铂铑温差电偶可以测量的温度范围为-200~1000℃。
19、在温差相同时，热电堆的开路输出电压是所有串联热电偶的温差电动势之和。
20、一般温差热电偶的温差电动势约为100uV/℃，辐射热电偶的温差电动势约为500uV/℃。
21、一般热电偶的内阻都很大，很容易与后续放大器阻抗匹配。
22、半导体热敏电阻的温度系数约为-3%~-6%。
23、当热释电晶体温度达到某一特定温度Tc时，自发极化强度变为零，Tc称为居里温度。
24、热释电器件相当于纯容性器件，电容量很小，阻抗很高。
25、热释电探测器可以覆盖的波长范围为1.3~25um。
热探测器作业
1、.常用的热辐射探测器主要有( )。 A．热电偶 B.热敏电阻 C.热释电探测器 D热电堆
2、热探测器吸收低频交变热辐射能时，提高系统温升的办法有（ ） A.热探测器被涂黑 B.减小器件的热导系数 C. 增加器件的热导系数 D.增加降温系统
3、提高热电偶的电压灵敏度方法有（ ） A.选用赛贝克系数较大的热敏材料 B.将光敏面涂黑 C.减小内阻 D.减小调制频率 E 减小热导
4、.提高热敏电阻电压灵敏度的方法有（ ） A.增加偏压 B.表面涂黑 C.真空封装 D.冷却 E 采用高热导衬底
5、高频下，增加热释电电压灵敏度的主要方法有( ) A.增加偏压 B.表面涂黑 C.减小热释电的有效电容 D.减小热容
6、热释电探测器前面加菲涅耳透镜的作用是（ ） A.聚焦作用 B.成像分为明区和暗区 C.光束整形 D.让入射光成为平行光
7、热探测器吸收的热辐射能一部分使器件的温度升高，另外一部分补偿器件与环境热交换损失的能量。（ ）
8、热探测器吸收交变辐射能所引起的温升与吸收系数成反比。（ ）
9、热探测器温度变化与工作频率有关，频率升高，温度也升高。( )
10、热探测器的温升与热导系数有关，低频时，温升与热导系数成反比；高频时，温升与热导系数成正比。（ ）
11、热探测工作在高频状态下时，温升与热导无关，而与调制频率和热容成反比，且随频率的增高而衰减。( )
12、热探测器的主要噪声是温度噪声。（ ）
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第8章 光电图像探测器
光电图像探测器自测
1、对于P-20荧光屏，通常情况下1个20keV的光电子可以产生（ ）多个光子
A、1000
B、300
C、100
D、10
2、像管的响应时间大约为（ ）
A、秒量级
B、毫秒量级
C、微秒量级
D、纳秒量级
3、没有光学图像时，光电靶中的所有PN结（）偏置
A、反向
B、正向
C、零偏
D、自偏
4、光洁度▽14相当于粗糙度即H=0.05μm，若CCD像元尺寸=15μm，则物镜倍率为（）
A、2.122
B、212.2
C、21.22
D、0.2122
5、直视型真空图像探测器由几部分组成（ ）
A、图像转换
B、增强
C、显示
D、高真空管壳
E、阳极
6、像管由那几部分组成（ ）
A、光电阴极
B、光电阳极
C、电子透镜
D、荧光屏
E、倍增级
7、电荷耦合器件的几个工作过程分为（ ）
A、电荷包的产生
B、电荷包耦合
C、电荷包存储
D、电荷包检测
E、MOS电容器
8、CCD的基本单元由以下几部分组成（ ）
A、金属
B、氧化物
C、半导体
D、光电阴极
E、光电阳极
9、二相线阵CCD正常工作所需要的工作脉冲有（）
A、驱动脉冲
B、复位脉冲
C、转移脉冲
D、行选通脉冲
E、列选通脉冲
10、光电摄像器件应具有的基本功能有( )
A、光电变换
B、光电信号存储
C、扫描输出
D、光电二极管
E、MOS电容
11、像管最常用的红外和可见光电阴极有( )
A、银氧铯
B、单碱锑化物
C、多碱锑化物
D、负电子亲和势
12、像管可以分为( )
A、变像管
B、光电导摄像管
C、图像增强管
D、光电子发射摄像管
13、光电靶通常由几部分组成( )
A、光窗
B、信号极
C、靶
D、电子枪
14、光电导摄像管由那几部分组成（）
A、光电靶
B、电磁聚焦
C、扫描系统
D、电子枪
15、光电导摄像管的信号输出电路由哪几部分组成( )
A、工作电源
B、信号板
C、光电二极管
D、电子枪阴极
E、负载电阻
16、非制冷红外焦平面探测器读出电路主要由( )组成
A、行选择器
B、列选择器
C、前置放大器
D、积分电路
E、负载电阻
17、影响CCD电荷转移效率的因素很多，主要原因有（）
A、表面态对信号电荷的俘获
B、驱动频率过高
C、体内缺陷
D、热扩散
E、边缘电场
18、摄像型光电成像是一种可以直接输出图像的器件。
19、光谱匹配是指像管的光谱响应范围内，光源与光电阴极、光电阴极与荧光屏以及荧光屏与人眼视觉函数之间的光谱分配匹配。
20、固体摄像器件的光电信号的读取与输出不是借助外界的扫描机构，而是依靠自身内部的驱动脉冲来完成。
21、二相线阵CCD两路驱动脉冲的相位差是120度。
22、像管可以分为变像管和图像增强管。
23、级联式图像增强管的亮度增益可达10E5。
24、像管空间分辨率指成像系统能够将两个相隔极近目标的像刚好分辨清楚的能力。
25、光电靶的纵向电阻率很小，横向电阻率很大。
26、势阱积累电子的容量取决于势阱的“深度”，而表面势的大小近似与栅压成正比。势阱填满是指电子在半导体表面堆积后使表面势下降。
27、为了使微弱的可见或不可见的辐射图像通过光电成像系统变成可见图像，像管本身应能起到光谱变换、增强亮度和成像作用。
28、在微通道板的每个通道的内壁上都涂有一种能发射次级电子的半导体材料，当给微通道板加了一定电压后，就会在每个通道中产生一个均匀的电场。这个电场是横向的。
29、CCD是读取每个像素格的光电子电量而后转化成数字信号，让电量流过电路，然后通过电流对时间积分就得到电量。让电量全部流过电路是需要时间的，这个时间就是积分时间。
光电图像探测器作业
1、直视型真空图像探测器由几部分组成（ ） A．图像转换 B.增强 C.显示 D高真空管壳 E 阳极
2、像管由那几部分组成（ ） A．光电阴极 B.光电阳极 C.电子透镜 D荧光屏 E 倍增级
3、电荷耦合器件的几个工作过程分为（ ） A．电荷包的产生 B.电荷包耦合 C.电荷包存储 D电荷包检测 E MOS电容器
4、CCD的基本单元由以下几部分组成（ ） A．金属 B.氧化物 C.半导体 D光电阴极 E 光电阳极
5、二相线阵CCD正常工作所需要的工作脉冲有（ ） A．驱动脉冲 B.复位脉冲 C.转移脉冲 D行选通脉冲 E 列选通脉冲
6、光谱匹配是指像管的光谱响应范围内，光源与光电阴极、光电阴极与荧光屏以及荧光屏与人眼视觉函数之间的光谱分配匹配。（ ）
7、固体摄像器件的光电信号的读取与输出不是借助外界的扫描机构，而是依靠自身内部的驱动脉冲来完成。（ ）
8、二相线阵CCD两路驱动脉冲的相位差是120度。（ ）
9、像管可以分为变像管和图像增强管。（ ）
10、级联式图像增强管的亮度增益可达105。（ ）
11、画出像管的结构并分析工作原理。
12、以硅靶为例，分析光电靶的工作原理。
13、画图分析MOS结构的电荷存储原理。
14、以三相单沟道线阵CCD为例分析电荷耦合原理。
15、分析3T结构的CMOS有源像素结构工作过程。
《光电技术》期末考试
光电技术考试客观题
1、光谱光视效率V(505nm)=0.40730，波长为505nm、1mW的辐射光，其光通量为（ ）
A、683lm
B、0.683lm
C、278.2 lm
D、0.2782 lm
2、已知一He-Ne激光器（波长为632.8nm）出射激光束的光子流速率N为9.55E16个/秒，则该束激光功率为（ ）。
A、30mW
B、90mW
C、30W
D、90W
3、半导体材料砷化镓GaAs的本征吸收长波限为873nm，则GaAs的禁带宽度为（ ）
A、1.42J
B、1.42eV
C、1.42E-3 J
D、1.42E-3 eV
4、为了描述华为Mate30每个局部面元在各个方向的辐射能力，最适合的辐射度量是（ ）
A、辐照度
B、辐强度
C、辐出度
D、辐亮度
5、热电堆是基于什么效应来实现电磁辐射的测量？（ ）
A、温差电动势
B、热释电
C、光电导
D、光电子发射
6、光源的光谱功率分布通常可以分为（ ）
A、A 线状光谱
B、B 带状光谱
C、C 连续光谱
D、D 混合光谱
7、MOS结构线阵 CCD的基本单元由以下几部分组成（ ）
A、A 金属
B、B 氧化物
C、D光电阴极
D、E半导体
8、下面选项中属于光电倍增管产生暗电流的原因有( )。
A、A．欧姆漏电
B、B.热发射
C、C.残余气体放电
D、D场致发射
9、关于CMOS图像传感器，下列说法正确的有（ ）。
A、A. 它是用芯片工艺将光敏元件、放大器、A/D转换器、存储器、数字信号处理器和计算机接口电路集成在一块硅片上的图像传感器。
B、B. CMOS成像器件的像敏单元阵列实际上是光电二极管阵列，它没有线阵和面阵之分
C、C. CMOS成像器件的像敏单元有被动式像敏单元和主动式像敏单元两种结构类型
D、D. 早期的CMOS图像传感器采用被动像元结构，每个像敏单元由一个光敏元件和一个像元寻址开关构成，无信号放大和处理电路，性能较差。
10、提高热电偶的电压灵敏度方法有（ ）
A、A 选用M较大的材料
B、B 将光敏面涂黑
C、C 减小内阻
D、D 减小热导
11、热释电器件相当于纯容性器件，电容量很小，阻抗很小。( )
12、光电倍增管、变像管、像增强器都是利用光电发射效应制成的光电器件。（ ）
13、光电导器件在方波辐射作用下，其上升时间等于下降时间。 （ ）
14、朗伯辐射体的辐出度等于它的辐亮度的π倍。
15、三相线阵CCD两路驱动脉冲的相位差是90度。（ ）
16、光度量是以人眼所能看见的光对大脑的刺激程度来对光进行计算（ ）
17、由金属材料制作的热敏电阻，其阻值一般随温度上升而下降。（ ）
18、1/f噪声是一种低频噪声，几乎所有探测器中都存在这种噪声。（ ）
19、发光二极管辐射光的峰值波长与材料的禁带宽度Eg无关。（ ）
20、光电导器件的时间响应都较短，适合于探测窄脉冲光信号。（ ）
光电技术主观题
1、图1为二相线阵CCD结构和驱动信号，分析： （1）以t1和t2二个时刻为例分析电荷耦合原理。（10分）； （2）对照图1的CCD结构，画出t1、t2和t3三个时刻电势图。（10分）
2、如图3，光电倍增管的供电电压为1000V，脉冲输出电压为50mV，脉冲宽度为1us，输出负载电阻为50欧姆，若倍增极二次发射系数为10，为保证输出的线性度。求： （1）分压电阻的最大值为多少？ （7分） （2）退耦电容C1、C2和C3最小为多少？（7分） （3）若阴极光照灵敏度为0.5 uA/lm，则入射到光电倍增管的光通量为多少？（6分）
3、某型号 APD管的特性参数表如下，当入射波长为900nm，辐照度为20nW/mm2时，问： （1）该器件的材料和应用场合？（5分） （2）该器件的量子效率为多少？（5分） （3）APD管的光电流？（5分） （4）如果该APD管的增益为100，无增益时该APD的响应度为多少？（5分）
4、如图2所示为一维位置敏感探测器PSD的结构，分析： （1）PSD的工作原理。（5分） （2）求解光斑中心位置x。（5分
5、基于光敏电阻的照相机自动曝光控制电路原理图如图4所示，试分析其工作过程。(10分)
学习通光电检测技术与系统
在现代工业生产中，光电检测技术越来越被广泛应用。通光电检测系统是一种利用光、电子学及计算机技术结合起来实现自动检测的系统。它具有实时性、高精度、高可靠性、非接触性等特点，在现代制造业中已经成为重要的一种自动化检测技术。
通光电检测技术
通光电检测技术是一种通过光电传感器对被测物进行无接触式检测的技术。它的主要原理是利用光的物理性质，将光信号转化为电信号，然后利用计算机进行信号的处理和分析，最终得出被测物的相关信息。通光电检测技术包括多种技术手段，如光电传感器、可见光成像、红外线成像等。
光电传感器
光电传感器是一种将光信号转换为电信号的装置。它通过光敏元件将光信号转化为电信号，然后将电信号进行放大、滤波、处理等操作，从而得出被测物的相关信息。常见的光电传感器有光电二极管、光电三极管、光敏电阻等。
可见光成像
可见光成像是一种利用可见光对被测物进行图像采集和处理的技术。它通过摄像头对被测物进行实时成像，然后利用计算机对图片进行处理和分析，最终得出被测物的相关信息。可见光成像可以用于一些简单的表面缺陷检测、物体颜色测量等。
红外线成像
红外线成像是一种利用红外线对被测物进行图像采集和处理的技术。它可以检测出一些常规的可见光成像不易检测出的缺陷或物体内部的信息。常见的红外线成像技术有热成像和红外线线扫描成像等。
通光电检测系统
通光电检测系统是一种利用光电传感器、图像处理算法、计算机等技术构建的自动检测系统。它可以快速、高效地对被测物进行检测，具有实时性、高精度、高可靠性等特点。通光电检测系统包括多种系统，如表面缺陷检测系统、尺寸测量系统、颜色测量系统等。
表面缺陷检测系统
表面缺陷检测系统是一种利用可见光成像技术对被测物表面进行缺陷检测的系统。它通过高分辨率的摄像头对被测物进行图像采集，然后利用图像处理算法对图像进行处理和分析，最终得出被测物表面的缺陷信息。表面缺陷检测系统可以应用于电子元器件、汽车零部件、塑料制品等领域。
尺寸测量系统
尺寸测量系统是一种利用光电传感器对被测物尺寸进行测量的系统。它通过高精度的光电传感器对被测物的尺寸进行测量，然后利用计算机对测量结果进行处理和分析，最终得出被测物的尺寸信息。尺寸测量系统可以应用于金属制品、精密仪器等领域。
颜色测量系统
颜色测量系统是一种利用可见光成像技术对被测物颜色进行测量的系统。它通过高分辨率的摄像头对被测物进行图像采集，然后利用图像处理算法对图像进行处理和分析，最终得出被测物的颜色信息。颜色测量系统可以应用于食品、纺织品、化妆品等领域。
总结
通光电检测技术与系统是一种非常重要的自动化检测技术，它具有实时性、高精度、高可靠性、非接触性等特点，在现代制造业中已经成为重要的一种自动化检测技术。通光电检测技术包括多种技术手段，如光电传感器、可见光成像、红外线成像等。通光电检测系统包括多种系统，如表面缺陷检测系统、尺寸测量系统、颜色测量系统等。通光电检测技术和系统的应用将会越来越广泛，对于推动现代制造业的发展具有重要作用。
