中国大学模拟集成电路设计_1章节答案(慕课2023课后作业答案)
88 min read中国大学模拟集成电路设计_1章节答案(慕课2023课后作业答案)
第一周----作业、中国章节作业讨论和自测题随堂测验
1、大学电路答案答案在现代CMOS工艺中，模拟慕课生产适当类型衬底的集成晶片制造工艺主要包括的生产工序主要有：__________、_____________、设计_____________、课后和 等；
2、中国章节作业在现代CMOS工艺中，大学电路答案答案器件的模拟慕课制造需要在晶片上各种材料的淀积，这些材料主要包括： __________ 、集成__________ 、设计__________ 和 等；
3、课后在现代CMOS工艺中，中国章节作业向晶片中添加材料的大学电路答案答案工艺主要有：__________ 、__________ 、模拟慕课__________ 和 等；
4、将CMOS工艺应用于模拟集成电路的设计，主要优点有：__________ 、__________ ；但是与双极型晶体管模拟集成电路相比，缺点是__________ 、__________ 。
第二部分半导体器件物理基础
第二部分第一次测验
1、题2-1-1、MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。
A、夹断
B、反型
C、导电
D、耗尽
2、题2-1-2、 MOS管从不导通到导通过程中，最先出现的是（ ）。
A、反型
B、夹断
C、耗尽
D、导通
3、题2-1-3、 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
A、亚阈值区
B、深三极管区
C、饱和区
D、三极管区
4、题2-1-4、PMOS管的导电沟道中依靠（）导电。
A、电子
B、空穴
C、正电荷
D、负电荷
5、题2-1-5、载流子沟道在栅氧层下形成（），源和漏之间“导通”。
A、夹断层
B、反型层
C、导电层
D、耗尽层
6、题2-1-6、下图中的MOS管工作在（）区（假定Vth=0.7V）。
A、截止区
B、深三极管区
C、三极管区
D、饱和区
7、题2-1-7、在NMOS中，若, 会使阈值电压（）。
A、增大
B、不变
C、减小
D、可大可小
8、题2-1-8、如果MOS管的栅源过驱动电压给定，L越（），输出电流越理想。
A、大
B、小
C、近似于W
D、精确
9、题2-1-9、（）表征了MOS器件的灵敏度，即检测输入电压转换为输出电流的能力。
A、
B、
C、
D、
10、题2-1-10、MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。
A、体
B、衬偏
C、沟长调制
D、亚阈值导通
第二部分第二次测试
1、题2-2-1、MOS管中相对最大的寄生电容是（）。
A、栅极氧化层电容
B、耗尽层电容
C、源漏交叠电容
D、结电容
2、题2-2-2、工作在（）区的MOS管，其跨导是恒定值。
A、截止
B、三极管
C、深三极管
D、饱和
3、题2-2-3、 下列说法正确的是（ ）。
A、MOS管的源漏对称，所以器CGS和CGD相同。
B、MOS器件中存在多个寄生电容，在不同频率下，器件的工作特性有较大差异。
C、MOS管的栅极和源极电容值，与MOS管工作状态无关。
D、MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。
4、题2-2-4、 一个MOS管的本征增益表述错误的是（ ）。
A、
B、在一定程度上，与该MOS管的过驱动电压成反比
C、与MOS尺寸无关
D、与MOS管电流无关
5、题2-2-5、下图中的MOS管工作在（）区（假定Vth=0.7V）。
A、亚阈值区
B、深三极管区
C、三极管区
D、饱和区
6、题2-2-6、工作在饱和区的MOS管，可以被看作是一个（ ）。
A、恒压源
B、电压控制电流源
C、恒流源
D、电流控制电压源
7、题2-2-7、MOS管的小信号模型中，体现沟长调制效应的参数是（）。
A、
B、
C、
D、
8、题2-2-8、模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是（）。
A、增益
B、输出电阻
C、输出摆幅
D、输入电阻
9、题2-2-9、模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是（）。
A、增益
B、电压净空
C、输出摆幅
D、输入偏置
10、题2-2-10、画小信号等效电路时，恒定电流源视为（）。
A、电阻
B、受控电流源
C、短路
D、开路
第四部分 模拟集成电路设计基础
第四单元第一次测验
1、题4-1-1、随着微电子工艺水平提高, 特征尺寸不断减小, 这时电路的工作电压通常会（） 。
A、不断提高
B、不变
C、可大可小
D、不断降低
2、题4-1-2、在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的IC最容易实现尺寸的按比例缩小。
A、MOS
B、CMOS
C、Bipolar
D、BiCMOS
3、题4-1-3、最常见的集成电路通常采用（）工艺制造。
A、MOS
B、CMOS
C、Bipolar
D、BiCMOS
4、题4-1-4、电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是（）。
A、增大器件宽长比
B、增大负载电阻
C、降低输入信号直流电平
D、增大器件的沟道长度L
5、题4-1-5、下面几种电路中增益线性度最好的是（）。
A、电阻负载共源级放大器
B、电流源负载共源级放大器
C、二极管负载共源级放大器
D、源极负反馈共源级放大器
6、题4-1-6、下面放大器的增益错误的是（）。
A、
B、
C、
D、
7、题4-1-7、下图中的为（）。
A、
B、
C、
D、
8、题4-1-8、不能确定输出直流电压的共源极放大器是（）的共源极放大器。
A、电阻负载
B、二极管连接负载
C、电流源负载
D、二极管和电流源并联负载
9、题4-1-9、下面放大器的小信号增益为（）。
A、
B、
C、1
D、理论上无穷大
10、题4-1-10、下面放大器的小信号增益为（）。
A、
B、
C、
D、1
第四单元第二次测验
1、题4-2-1、源极跟随器通常不能用作（）。
A、缓冲器
B、放大器
C、电平移动
D、驱动器
2、题4-2-2、小信号输出电阻相对最小的放大器是（）。
A、共源级放大器
B、源级跟随器
C、共栅级放大器
D、共源共栅级放大器
3、题4-2-3、电流源可以起一个电阻的作用，而且不消耗（）的电压余度。
A、过高
B、过低
C、恒定
D、变化
4、题4-2-4、下图电路中，源极跟随器的作用是（）。
A、信号放大
B、信号变换
C、电平转移
D、输出缓冲
5、题4-2-5、小信号输入电阻最小的放大器是（）。
A、共源级放大器
B、源级跟随器
C、共栅级放大器
D、共源共栅级放大器
6、题4-2-6、P衬N阱CMOS工艺中，Cascode放大器中两个尺寸相同且均工作在饱和区的NMOS管具有不相同的（ ）。
A、
B、
C、
D、
7、题4-2-7、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗（）。
A、低
B、一般
C、高
D、很高
8、题4-2-8、下图放大电路的小信号增益为（）。
A、
B、
C、
D、
9、题4-2-9、图中元器件和电压均相同时，下面两个电路的增益关系是（）。
A、两个相等
B、左边的比右边的大
C、左边的比右边的小
D、无法比较
10、题4-2-10、（ ）放大器的电源抑制比最好。 A．电阻负载的共源极放大器 B. 电流源负载的共源极放大器 D. 共源共栅极负载的共源共栅极放大器 C．共栅极放大器 答案：C
A、共源共栅极负载的共源共栅极放大器
B、电阻负载的共源极放大器
C、电流源负载的共源极放大器
D、共栅极放大器
中国大学模拟集成电路设计_1
在现代科技的发展中，集成电路技术一直是一个重要的领域。作为电路设计的重要分支之一，模拟集成电路设计在很多领域都发挥着重要作用。中国大学在这方面也有很多的研究和成果，本文将介绍中国大学模拟集成电路设计的一些情况。
中国大学模拟集成电路设计的背景
随着信息时代的到来，电子产品越来越普及，对电路设计的要求也越来越高。模拟集成电路设计在很多领域都有着广泛的应用，如通信、汽车电子、医疗电子等。因此，模拟集成电路设计的研究和发展具有非常重要的意义。
中国大学模拟集成电路设计的现状
中国大学在模拟集成电路设计方面有很多的研究和应用，许多大学都设立了相关的研究机构和实验室。例如，清华大学的集成电路设计与集成系统国家重点实验室，上海交通大学的微电子学研究所等。
在研究方面，中国大学在模拟集成电路设计领域也取得了一些成果。例如，清华大学的研究人员在CMOS图像传感器方面取得了一些突破性的成果，该研究成果被应用于航天领域和医学领域。同济大学的研究人员在基于CMOS图像传感器的面部表情识别方面进行了研究，并取得了很好的效果。
中国大学模拟集成电路设计的挑战
尽管中国大学在模拟集成电路设计方面已经取得了一定成绩，但仍然面临很多的挑战。首先，现代电子产品的发展速度非常快，对电路设计的要求也在不断增加，因此需要不断地研究和创新。其次，电路设计涉及到很多知识领域，需要跨学科合作。最后，模拟集成电路设计需要进行大量的实验和测试，需要投入大量的时间和资源。
结论
总的来说，中国大学在模拟集成电路设计方面已经取得了一定的成果，但仍然需要不断研究和创新。随着电子产品的发展和需求的增加，模拟集成电路设计将会有更广泛的应用和更大的发展空间。
