mooc模拟电子技术基础_7章节答案(mooc完整答案)
41 min readmooc模拟电子技术基础_7章节答案(mooc完整答案)
绪论测验题
1、模拟当输入信号频率为fL或fH时，电技放大电路电压增益的术基幅值约下降为通带内水平增益的 。
A、础章0.5倍
B、节答0.7倍
C、案m案0.9倍
D、整答1倍
2、模拟某放大电路在负载开路时的电技输出电压为4V，接入3kW的术基负载电阻后，输出电压为3V。础章说明放大电路的节答输出电阻为 。
A、案m案10 kW
B、整答2 kW
C、模拟1kW
D、0.5kW
3、已知某信号源内阻为1kW，未接放大电路时测得信号源电压为10mV，接入放大电路后测得放大电路输入端口电压为8mV，说明放大电路的输入电阻为 。
A、5 kW
B、4 kW
C、2kW
D、1kW
4、已知某放大电路的最大不失真输出电压范围是－10V～＋10V，若放大电路的通带电压增益是40dB，则放大电路不失真放大时的输入电压范围是 。
A、－0.1V～＋0.1V
B、－0.25V～＋0.25V
C、－0.5V～＋0.5V
D、－1.0V～＋1.0V
5、信号不失真的放大在时域中表现为任何一点的幅值放大的程度完全相同。
6、只要放大电路的传输特性曲线是线性的，就不会出现失真现象。
7、用放大电路放大正弦波信号时，只有可能出现非线性失真，不可能出现频率失真。
8、放大电路的增益只能保证在一定频率范围内与频率无关。
9、放大电路中的符号“^”表示接大地的“地”。
10、放大电路输出信号增加的能量来自放大电路的工作电源。
11、同一个放大电路对不同信号源或带不同负载时，实际的放大能力常常是不同的。
12、放大电路只有电压增益、电流增益、互阻增益和互导增益四种增益形式。
第2章 运算放大器
运算放大器测验题
1、理想运算放大器的参数是开环电压增益Avo = ，输入电阻ri = ，输出电阻ro = 。
A、0，∞，∞
B、∞，0，∞
C、∞，0，0
D、∞，∞，0
2、放大电路中，运算放大器的反相输入端为虚地，而 放大电路中，运算放大器的两个输入端对地电压是不为零的。
A、同相，反相
B、反相，同相
C、同相，同相
D、反相，反相
3、欲将方波电压转换为三角波电压，应选用 。
A、反相输入式放大电路
B、同相输入式放大电路
C、积分运算电路
D、微分运算电路
E、加法运算电路
4、欲将方波电压转换为尖脉冲电压，应选用 。
A、反相输入式放大电路
B、同相输入式放大电路
C、积分运算电路
D、微分运算电路
E、加法运算电路
5、欲将输入电压信号放大-100倍，应选用 。
A、反相输入式放大电路
B、同相输入式放大电路
C、积分运算电路
D、微分运算电路
E、同相加法运算电路
6、电路如图8所示，假设运算放大器是理想的，则图（a）Av = vO/vI = ，Ri = ；图（b）Av = vO/vI = ，Ri = 。
A、图（a）Av =11，Ri =1 kΩ；图（b）Av＝1；Ri =1 kΩ
B、图（a）Av = -10，Ri =1 kΩ；图（b）Av＝1；Ri =1 kΩ
C、图（a）Av = 11，Ri =1 kΩ；图（b）Av＝1；Ri =∞
D、图（a）Av = -10，Ri =1 kΩ；图（b）Av＝1；Ri =∞
7、电路如图9所示，假设运算放大器为理想的，那么vO = f(vI) = 。
A、
B、
C、
D、
8、理想运算放大器构成的电路如图10所示， = 。
A、
B、
C、
D、
9、加减法运算电路如图11所示，设运算放大器是理想的，则输出电压和输入电压的关系式为 。
A、
B、
C、
D、
10、电路如图12所示，假设运算放大器均为理想的，则= 。
A、
B、
C、
D、
11、电路如图13所示，开关S闭合时电路增益 ＝ ；开关S断开时电路增益 ＝ 。
A、
B、
C、
D、
12、在运算放大器构成的线性运算电路中一般均引入负反馈。
13、在线性运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
14、集成运放在开环情况下一般都工作在非线性区。
15、放大电路中的运算放大器只要是理想的，就一定存在虚短和虚断。
16、电压跟随器的电压增益为1，所以其对信号放大没有贡献。
第3章 二极管及其基本电路
二极管及其基本电路测验题
1、半导体中空穴的移动实际上反映了半导体中 的移动。
A、自由电子
B、共价键中价电子
C、正离子
D、负离子
2、N型半导体中的多数载流子是 ，而P型半导体中的多数载流子是 。
A、自由电子，空穴
B、空穴，自由电子
C、自由电子，正离子
D、空穴，负离子
E、空穴，正离子
F、自由电子，负离子
3、PN结内电场方向是由 。
A、N区指向P区
B、P区指向N区
C、不确定
D、与外加电压有关
4、PN结正偏是指 。
A、N区电位高于P区
B、P区电位高于N区
C、P区和N区电位相等
D、与外加电压无关
5、二极管正偏时应重点关注 ，反偏时应重点关注 。
A、导通电流和耗散功率，最大反向电压
B、最高工作频率，最大反向电压
C、最高工作频率，导通电流和耗散功率
D、结电容，最高工作频率
E、最大反向电压，结电容
6、齐纳二极管正常稳压时，工作在 状态。
A、正向导通
B、反向截止
C、反向击穿
D、放大
7、点亮发光二极管应加 ，光电二极管正常工作时应加 ，变容二极管正常工作时应加 。
A、正偏电压，反偏电压，反偏电压
B、正偏电压，反偏电压，零偏压
C、反偏电压，正偏电压，正偏电压
D、反偏电压，正偏电压，反偏电压
E、正偏电压，正偏电压，反偏电压
8、已知某二极管处于正向导通状态，其导通电流为0.5 mA，那么，此时二极管在室温（300K）下的小信号模型参数rd = 。
A、19.2 kΩ
B、1 kΩ
C、52 kΩ
D、52 Ω
9、设简单硅二极管基本电路如图所示，已知R = 1kW。当VDD =10V时，分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 ；当VDD =1V时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 。
A、10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA
B、10mA，1mA；9.3mA，3mA
C、1mA，0.93mA；0.1mA，0.03mA
D、10mA，0.93mA；1mA，0.03mA
10、12V电池的充电电路如图所示，用二极管理想模型分析，若vs是振幅为24V的正弦波，则二极管流过的峰值电流为 ，二极管两端的最大反向电压为 。
A、240mA，24V
B、120mA，12V
C、120mA，36V
D、360mA，36V
11、电路如图所示，若vs是有效值为220V的正弦波电压，RL = 100W，二极管采用理想模型分析，则二极管的最高反向工作电压为 ，整流电流应为 。
A、220V，0.99A
B、220V，2.2A
C、
D、
12、电路如图所示，D1，D2为硅二极管，当vs = 6sinwt V时，用恒压降模型分析电路时，输出电压vO的波形是 。
A、
B、
C、
D、
13、二极管电路如图所示。输入电压只有0V或5V两个取值。利用二极管理想模型分析，在vI1和vI2电压的不同组合情况下，输出电压vO的值是 。
A、vO的a列
B、vO的b列
C、vO的c列
D、vO的d列
14、电路如图所示，D为硅二极管，若VDD = 2 V，R = 1 kW，正弦信号vs=50sin(2p′50t) mV。则静态（即vs= 0）时，二极管中的静态电流为 ，vO的静态电压 ；动态时，vO的交流电压振幅为 。
A、2mA，2V；0.05V
B、1.3mA，1.3V；0.05V
C、2mA，2V；0.049V
D、1.3mA，1.3V；0.049V
15、稳压电路如图所示。若VI =10V，R =100W，齐纳二极管的VZ =5V，IZ(min)=5mA，IZ(max)=50mA，那么负载RL的变化范围是 。
A、大于111W
B、小于111W
C、大于111kW
D、小于111kW
16、半导体二极管温度升高时，将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度，因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。
17、对于实际的二极管，只要正偏电压大于零，二极管就导通。
18、二极管简化模型将二极管的I-V非线性特性近似成了线性或分段线性的关系。
19、通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。
20、在使用齐纳二极管时，必须加限流电阻。
第4章 场效应管及其放大电路
场效应管及其放大电路测验题
1、场效应管利用外加电压产生的_______来控制漏极电流的大小，因此它是_______控制器件。
A、电流，电场
B、电场，电压
C、电流，电压
D、电压，电流
2、N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。
A、空穴
B、电子
C、电子和空穴
D、正离子
E、负离子
3、P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________。
A、正值
B、负值
C、零值
D、不确定的
4、一个MOS场效应管的转移特性如图所示（其中漏极电流iD的方向是它的实际方向），它是_______场效应管。
A、N沟道耗尽型
B、N沟道增强型
C、P沟道增强型
D、P沟道耗尽型
5、在共源、共漏和共栅三种放大电路组态中，_______放大电路电压增益小于1但接近于1，输入输出电压同相，有电压跟随作用；_______放大电路电压增益较高，输入输出电压反相；________放大电路输入输出电压同相，有电流跟随作用；________放大电路输出电阻小；_______放大电路输入电阻小。
A、共漏，共源，共栅，共漏，共栅
B、共源，共漏，共栅，共漏，共栅
C、共漏，共栅，共源，共漏，共栅
D、共漏，共栅，共漏，共源，共栅
6、用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大。当输出端开路时，A和B的输出电压相等；当都接入负载电阻RL时，测得A的输出电压小于B的输出电压，由此说明，电路A的输出电阻比电路B的输出电阻________。
A、大
B、小
C、相等
D、不能确定
7、在图示电路中，已知各MOS管的?VT ?=0.5V，MOS管处于截止状态的电路是_______。
A、图（a）
B、图（b）
C、图（c）
D、图（a）和图（b）
E、图（b）和图（c）
F、图（a）和图（c）
8、当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。
A、N沟道耗尽型
B、N沟道增强型
C、P沟道耗尽型
D、P沟道增强型
9、试分析图示各电路，能正常放大交流信号的电路是________（设各电容对交流信号的容抗可忽略）。
A、图（a）
B、图（b）
C、图（c）
D、图（d）
10、设图(a)电路中各电容很大对交流信号均可视为短路，则其小信号等效电路为_______。
A、图（b）
B、图（c）
C、图（d）
D、图（b）和图（d）
11、已知电路参数如图(a)所示，FET工作点上的互导gm＝1mA/V，设rds＞＞Rd，则该电路的小信号等效电路是_______，电压增益为_______，输入电阻为_______。
A、图(c)，-10，2075 kW
B、图(b)，-3.3，2075 kW
C、图(b)，-10，2075 kW
D、图(c)，-3.3，2075 kW
12、电路如图所示。设电流源电流I＝0.5mA、VDD＝VSS＝5V，Rd＝9kΩ，CS很大，对信号可视为短路。场效应管的VT＝0.8V，Kn＝1，l = 0。则场效应管的gm ? _______，电路的小信号电压增益约为 _______ 。
A、1.42 mA/V，12.78
B、3.02 mA/V，-27.2
C、1.42 mA/V，-12.78
D、3.02 mA/V，-12.78
13、源极跟随器电路如图所示，场效应管参数为Kn＝1，VTN＝1.2/V，l=0。电路参数为VDD＝VSS＝5V，Rg＝500kΩ，RL＝4kΩ。若电流源I=1mA，则小信号电压增益约为________，输出电阻约为________。
A、8，0.5kW
B、0.89，0.5kW
C、0.89，2W
D、1，2W
14、图示电路参数为I＝0.5mA，VDD＝VSS＝5V，Rg＝100 kΩ，Rd=10kΩ， Rsi＝1kΩ。场效应管参数为VTN＝1V，Kn＝0.5，λ＝0。那么电路的输入电阻约为________，源电压增益Aυs＝υo/υs =_________，输出电阻约为________。
A、2 kW，5，10kW
B、0.5kW，-5，10kW
C、1 kW，-5，10kW
D、1 kW，5，10kW
15、放大电路的静态是指输入端短路时的状态。
16、小信号模型中所研究的电压、电流都是变化量，因此，不能用小信号模型来求静态工作点Q，模型参数大小也与Q点位置无关。
17、在组合放大电路中，它的输入电阻就是第一级放大电路的输入电阻，而放大电路的输出电阻等于最后一级（输出级）的输出电阻。
18、MOSFET放大电路的三种组态中只有共源电路有功率放大作用。
19、作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
20、MOSFET的低频跨导gm是一个常数。
21、增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。
22、场效应管仅靠一种载流子导电。
23、设MOS管的VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
24、设MOS管的VPN＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
25、设MOS管的VTP＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝-3V，VGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。
第5章 双极结型三极管及其放大电路
双极结型三极管及其放大电路测验题
1、BJT具有放大作用的外部电压条件是发射结_______，集电结_______。
A、正偏，反偏
B、反偏，正偏
C、零偏，正偏
D、反偏，零偏
2、当温度升高时，BJT集电极电流______。
A、增大
B、减小
C、不变
D、不确定
3、BJT放大电路共有三种组态的放大电路，它们分别是共射极、_______和_______放大电路。
A、功率，共集电极
B、共集电极，反馈
C、反馈，功率
D、共集电极，共基极
4、NPN型BJT共射极放大电路的交流电压输出波形上半周失真时为_______，此时应该_______基极电流。
A、饱和失真，增大
B、截止失真，减小
C、交越失真，减小
D、截止失真，增大
E、饱和失真，减小
5、用直流电压表测得放大电路中某BJT各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是_______，该管是________型。
A、b、c、e；NPN
B、c、b、e；NPN
C、e、c、b；NPN
D、b、c、e；PNP
E、f、b、e；PNP
F、e、c、b；PNP
6、复合管如图所示，等效为一个BJT时，2端是 ，3端是 。
A、基极，集电极
B、集电极，发射极
C、发射极，集电极
D、发射极，基极
7、图示各电路中，能正常放大正弦交流信号的电路是_______ （设各电容的容抗可忽略）。
A、图(a)
B、图(b)
C、图(c)
D、图(d)
8、测量若干硅NPN型BJT各电极对地的电压值如下，工作在放大区的BJT是________。
A、VC＝6V，VB＝2V，VE＝1.3V
B、VC＝6V，VB＝6V，VE＝5.6V
C、VC＝6V，VB＝4V，VE＝3.6V
D、VC＝3.6V，VB＝4V，VE＝3.4V
9、设原理图中各电容容抗均可忽略，其小信号等效电路为________。
A、图(a)
B、图(b)
C、图(c)
D、图(d)
10、电路如图(a)所示，若vo中的交流成分出现图(b)所示的失真现象，为消除此失真，又基本不改变输出电阻，应调整电路中的________元件，将其________。
A、Rb，调小
B、Rc，调小
C、Rb，调大
D、Rc，调小
E、Cb1，调大
F、Cb2，调大
11、射极偏置电路如图所示，已知b = 60。该电路的电压增益约为________。
A、-90
B、-103
C、-110
D、-120
12、在图示电路中，已知Rb＝260kW，Re＝RL＝5.1kW，Rsi＝500W，VEE＝12V，b＝50，|VBE|＝0.2V，则电路的输入电阻约为________，输出电阻约为________。
A、87.3W，36W
B、87.3 kW，36W
C、110.3 kW，33 kW
D、87.3 kW，33 kW
13、共基极电路如图所示。设b＝100，Rs＝0，RL＝￥，则电路的电压增益约为_______，输入电阻约为________，输出电阻约为________。
A、268，28W，7.5kW
B、288，5.5kW，7.5kW
C、288，5.5kW，28W
D、268，5.5kW，20W
14、NPN型BJT只能在正电源电压下工作，而PNP型BJT只能在负电源电压下工作。
15、同一只BJT，无论在什么情况下，它的b 值始终不变。
16、BJT放大电路在不失真地放大动态信号时，其三个电极的实际电流方向始终不变。
17、在阻容耦合放大电路中，信号源和负载电阻会影响电路的Q点。
18、直接耦合放大电路可以放大频率很低的信号甚至直流信号。
19、BJT的小信号模型只能用于分析放大电路的动态情况，不能用来分析静态工作点。
20、可以用万用表的“W”挡测量出BJT的H参数rbe电阻。
21、BJT组成复合管时最重要的特性是极大地提高了电流放大倍数。
第7章 模拟集成电路
模拟集成电路测验题
1、当差分式放大电路两输入端电压为vi1=250mV，vi2= 150mV，则vid= mV，vic= mV。
A、100，200
B、100，400
C、200，100
D、50，200
2、双端输出的理想差分放大电路，已知|Avd | = 40，|Avc | = 0。若vi1=20mV，vi2= -5mV 。则|vo |为 mV。
A、1000
B、600
C、-200
D、800
3、电流源电路如图所示，VDD = VSS =5V，T1～T3的VTN = 2V，l = 0，而Kn1 = Kn3 = 0.25 ，Kn2=0.10，则IREF = mA和IO = mA。
A、2.25，0.9
B、22.5，0.9
C、1，0.1
D、5，0.2
4、电流源电路是一个___________，其交流等效电阻__________。
A、双口网络，恒定
B、单口网络，很小
C、单口网络，很大
D、双口网络，很小
5、放大电路产生零点漂移的主要原因是 。
A、采用了直接耦合方式
B、采用了阻容耦合方式
C、采用了正负双电源供电
D、增益太大
6、差分放大电路共模抑制比的大小反映了__________。
A、差模增益的大小
B、共模增益的大小
C、抑制零漂的能力
D、带负载能力
7、差分式放大电路最重要的特点是 。
A、较高的差模增益和很低的共模增益
B、零点漂移严重
C、频带很宽
D、输入电阻很小
8、在差分式放大电路中，源极或发射极公共支路上采用电流源进行直流偏置，带来的好处是 。
A、提高输入电阻
B、提高差模电压增益
C、提高共模电压增益
D、提高共模抑制比
9、集成运算放大器的输入级采用差分放大电路的主要原因之一是它的 能力强。
A、电压放大
B、电流放大
C、带负载
D、抑制零点漂移
10、设在差分式放大电路中输入信号为vi1=1050uV，vi2=950uV，若电路的| Avd | = 100，| Avc | = 2。则最大输出电压| vo|=________。
A、12mV
B、10mV
C、200mV
D、120mV
E、100mV
11、在电路图示的源极耦合差分式放大电路中，VDD = VSS =5V，IO = 0.2mA，电流源输出电阻ro=100kW，Rd1 =Rd2 =Rd = 10kW，FET的Kn= 1.5m，且ro >>rds >>Rd，那么T2漏极单端输出时的差模电压增益Avd2 =________，共模抑制比KCMR =________。
A、3.85, 77
B、3.85, 110
C、-3.85, 77
D、-3.85, 110
12、在图示的射极耦合差分式放大电路中，VCC＝VEE＝10V，IO＝1mA，ro＝25kW，Rc1＝Rc2＝10kW，BJT的β＝200，VBE＝0.7V。当vi1＝vi2＝0时，VCE1＝VCE2＝________；由T1集电极单端输出时的差模电压增益Avd1?________，共模抑制比KCMR ?________。
A、5.7V, -93.5, 467.5
B、5V, -93.5, 467.5
C、5.7V, 93.5, 467.5
D、5V, 93.5, 767.5
13、通用型集成运算放大器高频区的电压增益幅频响应在0dB以上的斜率一般是 。
A、3dB/十倍频
B、-20dB/十倍频
C、20dB/十倍频
D、40dB/十倍频
E、-40dB/十倍频
14、运放的单位增益带宽fT＝1MHz，转换速率SR＝1V/μs，当运放构成反相放大电路时的闭环增益Av＝-10，则小信号闭环带宽fH＝______；当输出电压不失真最大幅度Vom＝10V时，那么全功率带宽BWP＝______。
A、100kHz, 15.9kHz
B、10kHz, 15.9kHz
C、100kHz, 159kHz
D、100Hz, 159Hz
E、100kHz, 159Hz
15、交流放大电路如图所示。电容对信号来说可视为短路。其交流电压增益表达式为________。
A、
B、
C、
D、
16、运放单电源阻容耦合放大电路如图所示，其交流电压增益表达式为_______。
A、
B、
C、
D、
17、图示电路中，已知运放741的IIO＝20nA，IIB＝100nA，VIO＝5mV，且R2＝R1//Rf ，那么电路的输出直流误差电压VO =________。
A、507mV
B、505mV
C、517mV
D、515mV
18、差分式放大电路与单管放大电路相比，增加了大约一倍的元器件，但获得了抑制零点漂移的能力。
19、共模抑制比是衡量放大电路电压放大能力的指标。
20、差分式放大电路中源极或射极公共支路上的电流源动态电阻ro对共模输入信号来说相当于短路。
21、差分式放大电路的漏极或集电极带镜像有源负载时，可以使单端输出等效为双端输出。
22、因为集成运放内部电路是直接耦合放大电路，所以它只能放大直流信号，不能放大交流信号。
23、当希望集成运放尽可能接近理想运放时，要求Avo、rid、KCMR越大越好。
24、当希望集成运放尽可能接近理想运放时，要求ro、IIB、IIO、VIO、DIIO/DT、DVIO/DT越小越好。
25、当希望集成运放尽可能接近理想运放时，要求BW(fH) 、SR越小越好。
26、运放的开环差模电压增益下降3分贝所对应的频率fH是较低的，一般通用型运放的fH约为几赫兹至几十赫兹。
27、在设计运放构成的交流放大电路时，需要特别关注运放输入端的直流通路。
28、在单电源工作的运放电路中，输出静态电压的设置都与输入信号无关。
29、IIB、IIO、VIO的影响只会产生输出静态误差，不会导致运放工作异常。
30、轨到轨运算放大器消除了失调电压和失调电流的影响。
31、图示电路是可以正常工作的交流电压跟随器电路。
第8章 反馈放大电路
反馈放大电路测验题
1、对于放大电路，所谓开环是指 。
A、无电源
B、无信号源
C、无反馈通路
D、无负载
2、对于放大电路，所谓闭环是指 。
A、有信号源
B、有反馈通路
C、接入了电源
D、接入了负载
3、温度升高时，若想稳定放大电路的静态工作点，应当引入 负反馈。
A、交流
B、直流
C、电压
D、电流
4、在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的反馈是负反馈。
A、输入电阻增大
B、输出量增大
C、净输入量增大
D、净输入量减小
5、为了稳定放大电路的输出电压，应引入 负反馈。
A、电压取样
B、电流取样
C、串联输入
D、并联输入
6、为了减小放大电路的输入电阻，应引入 负反馈。
A、电压
B、电流
C、串联
D、并联
7、为了增大放大电路的输出电阻，应引入 负反馈。
A、电压取样
B、电流取样
C、串联输入
D、并联输入
8、图示电路级间引入了 反馈，该反馈属于 反馈。
A、正，直流
B、负，交流
C、负，直交流
D、正，直交流
9、图示电路级间引入了 反馈，该反馈属于 反馈。
A、正，直流
B、负，交流
C、负，直交流
D、正，直交流
10、图示电路级间引入了 反馈，该反馈属于 反馈。
A、正，直流
B、负，交流
C、负，直交流
D、正，直交流
11、图示电路中级间的交流反馈属于_________。
A、电流串联正反馈
B、电流串联负反馈
C、电压串联负反馈
D、电流并联负反馈
E、电压并联负反馈
F、电压并联正反馈
12、图示电路中级间的交流反馈属于__________。
A、电压串联正反馈
B、电流串联负反馈
C、电压串联负反馈
D、电流并联负反馈
E、电压并联负反馈
F、电流并联正反馈
13、图示电路中级间的交流反馈属于_________。
A、电压串联正反馈
B、电流串联负反馈
C、电压串联负反馈
D、电流并联负反馈
E、电压并联负反馈
F、电流并联正反馈
14、图中最适合用于电流到电压转换的电路是 。
A、
B、
C、
D、
E、
15、已知放大电路的开环增益为2000，反馈系数为0.01，则闭环增益为 ，反馈深度为 。
A、95.2，21
B、100，21
C、95.2，20
D、100，20
16、已知放大电路输入信号电压为1mV，输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出时需要加的输入信号为50mV，那么电路的反馈深度为 ，反馈系数为 。
A、50，0.049
B、20，0.05
C、50，0.001
D、20，0.01
17、由运放组成的同相放大电路中，已知运放的开环增益为，Rf =51kW，R1 =5.1kW，那么反馈系数约为 ，闭环电压增益约为 。
A、0.098，10.2
B、0.091，11
C、0.1，-10
D、10，-10
18、设图示电路满足深度负反馈条件，则其闭环电压增益为 。
A、
B、
C、
D、
19、设图示电路满足深度负反馈条件，则它的反馈系数为________，闭环增益约为________，闭环电压增益约为________。
A、，，
B、，，
C、，，
D、，，
20、设图示电路满足深度负反馈条件，则它的闭环电压增益 ________。
A、
B、
C、
D、
21、某负反馈放大电路的高频区频率响应如图示。反馈网络由纯电阻组成。若要求电路稳定工作（保证45°相位裕度），则要求反馈系数________。
A、小于等于0.001
B、大于等于0.001
C、小于等于0.1
D、大于等于0.1
E、小于等于0.01
F、大于等于0.01
22、图示电路中级间的交流反馈属于_________，（电路中的电容对交流信号均可视为短路）。
A、正反馈
B、负反馈
C、电压反馈
D、电流反馈
E、串联反馈
F、并联反馈
23、图示电路中的交流反馈属于_________，（电路中的电容对交流信号均可视为短路）。
A、正反馈
B、负反馈
C、电压反馈
D、电流反馈
E、串联反馈
F、并联反馈
24、图示电路中级间的交流反馈属于_________。
A、正反馈
B、负反馈
C、电压反馈
D、电流反馈
E、串联反馈
F、并联反馈
25、图示电路中级间的交流反馈的作用是________。
A、稳定输出电压
B、稳定输出电流
C、增大输入电阻
D、减小输入电阻
E、增大输出电阻
F、减小输出电阻
26、图示电路中级间的交流反馈的作用是_________。
A、稳定输出电压
B、稳定输出电流
C、增大输入电阻
D、减小输入电阻
E、增大输出电阻
F、减小输出电阻
27、图示电路中级间的交流反馈的作用是_________。
A、稳定输出电压
B、稳定输出电流
C、增大输入电阻
D、减小输入电阻
E、增大输出电阻
F、减小输出电阻
28、由于引入负反馈后，放大电路的增益会明显下降，所以引入负反馈对放大电路没有好处。
29、环路增益就是闭环增益。
30、负反馈只能改善环路内的放大电路性能，对反馈环外的电路无效。
31、放大电路的增益-带宽积在任何情况下都是一个常数。
32、无论在什么情况下，分析运算放大器组成的电路时，都可以运用虚短和虚断的概念。
33、为了改善反馈放大电路的性能，引入的负反馈深度越深越好。
34、只要反馈放大电路由负反馈变成了正反馈，就一定会产生自激。
35、只要基本放大电路的幅频响应在0dB以上的衰减斜率只有-20dB/十倍频，那么由电阻网络引入任何深度的负反馈时，都不会产生自激振荡。
36、某负反馈放大电路的高频区频率响应如图示，那么该电路由电阻网络引入任何深度的负反馈时都能稳定工作。
第9章 功率放大电路
功率放大电路测验题
1、为了使负载获得尽可能大的功率，对功率放大电路的基本要求是 。
A、输出信号电压尽可能大
B、输出信号电流尽可能大
C、输出信号的电压和电流都尽可能大
D、输出信号的电压大电流小
2、放大电路的工作方式有甲类、乙类和甲乙类等，其中甲乙类放大器中放大管的导通角 。
A、π
B、2π
C、大于π小于2π
D、小于π
3、以下放大电路中，效率最高的是 。
A、甲类放大器
B、乙类放大器
C、甲乙类放大器
D、差分式放大器
4、功率管2N6078室温下的参数为，VCE(max)=250V，IC(max)=7A，PC(max)=45W，若电路工作时VCE＝20V，则IC的最大电流为 。
A、7A
B、3.5A
C、2.25A
D、无限制
5、电路如图示，设VCC＝12V，RL＝8Ω，输入信号vi为正弦波，若BJT的饱和压降为2V，负载可得到的最大的输出功率为 。
A、12.5W
B、6.25W
C、18W
D、9W
6、电路如图所示，设RL＝8Ω，输入信号vi为正弦波，若BJT的饱和压降可忽略不计，负载可得到的最大不失真的输出功率为9W时，电源电压VCC至少应该为 。
A、大于等于12V
B、大于等于24V
C、大于等于6V
D、大于等于18V
7、图示电路属于 。
A、甲类放大器
B、乙类放大器
C、甲乙类放大器
D、丙类放大器
8、在图示电路中，二极管D1、D2和R3的作用是 。
A、整流
B、克服交越失真
C、滤波
D、限幅
9、设计一个输出功率为100W的功率放大电路，则该功放电路的每个功放管的最大管耗至少应该为 。
A、20W
B、30W
C、40W
D、50W
10、乙类互补对称功率放大电路如图所示，采用双电源供电，若忽略BJT的饱和压降，则功率管承受的最大反向电压为 。
A、VCES
B、2VCC
C、2VCC－VCES
D、2(VCC－VCES)
11、图示MOSFET功率放大器，当输入为正弦交流信号时，输出会有交越失真。
12、为了克服功率放大电路的交越失真，图中(a)电路更好。
13、图示电路工作时，会产生明显的交越失真。
第10章 信号处理与信号产生电路
信号处理与信号产生电路测验题
1、若信号频率低于20Hz，应选用______滤波器。
A、低通
B、高通
C、带通
D、带阻
2、希望抑制50Hz的交流电源干扰，应选用______滤波器。
A、低通
B、高通
C、带通
D、带阻
3、信号频率覆盖500Hz~50kHz，应选用______滤波器。
A、低通
B、高通
C、带通
D、带阻
4、单门限比较器只有______个门限值，而迟滞比较器则有______个门限电压值。
A、1，2
B、2，3
C、2，1
D、1，1
5、若希望在输入电压小于-3V时，输出电压为高电平；而在输入电压大于+3V时，输出电压为低电平。可采用________电压比较器。
A、反相迟滞
B、同相迟滞
C、反相单门限
D、同相单门限
6、电路如图示。已知= 500HZ，电容C取1微法，则电路的巴特沃斯低通滤波器参数：R?________，________。
A、318.5W，
B、318.5kW，
C、3.18kW，
D、318.5kW，
7、电路如图示，为了使电路能够起振，R3至少应该 。电路的振荡频率约为 。
A、大于1.3kW，1kHz
B、大于2.7kW，1kHz
C、小于1.3kW，1kHz
D、小于1.3kW，100Hz
E、大于1.3kW，10kHz
F、大于2.7kW，10kHz
8、图示电压比较器的门限电压为 。（图中VZ＝9V）。
A、0V
B、+3V和-3V
C、+5V和-5V
D、+6V和-6V
9、方波-三角波产生电路如图示，但是该电路有错误，其错误是 。
A、电容参数不合适
B、C1的两个输入端接反了
C、A2的两个输入端接反了
D、不能用D2
10、有源滤波电路通常由集成运放和电阻、电容组成。
11、带通滤波器的Q值越大，它的通带宽度就越窄（设它的中心频率远大于带宽）。
12、低通滤波器的通带上限截止频率一定低于高通滤波器的通带下限截止频率。
13、在采用正反馈方框图的条件下，如果正弦波振荡电路反馈网络的相移为jf，放大电路的相移为ja，那么只有，才能满足相位平衡条件。
14、只要满足相位平衡条件，且，就能产生自激振荡。
15、在放大电路中，只要具有正反馈，就会产生自激振荡。
16、在RC桥式正弦波振荡电路中，实现稳幅的指导思想通常是，使负反馈随着输出电压幅值的增加而加强（即电压增益下降）。
17、图示电路满足正弦波振荡的相位平衡条件。
18、图示电路满足正弦波振荡的相位平衡条件。
19、非正弦波产生电路的振荡条件与正弦波振荡电路的振荡条件相同。
20、用于电压比较器的运放总是工作在开环状态或正反馈状态下。
第11章 直流稳压电源
直流稳压电源测验题
1、整流是________。
A、将交流变为直流
B、将高频变为低频
C、将正弦波变为方波
D、电压变为电流
2、在桥式整流电路中，负载流过电流IL，则每只整流管中的平均电流ID为________。
A、IL/2
B、IL
C、IL/4
D、2IL
3、在单相桥式整流电路中，输出电压的平均值VL与变压器副边电压有效值V2的关系为_______。
A、VL=0.9 V2
B、VL=1.4 V2
C、VL=0.45 V2
D、VL=1.2 V2
4、在单相桥式整流电容滤波电路中，输出电压的平均值VL与变压器副边电压有效值V2的关系为通常为_______。
A、VL=0.9 V2
B、VL=1.4 V2
C、VL=0.45 V2
D、VL=1.2 V2
5、在图示电路中，忽略二极管的正向压降，每个二极管的最大反向电压为_____（V2为变压器副边电压的有效值）。
A、
B、
C、
D、
6、具有放大环节的串联型线性稳压电路在正常工作时，调整管始终处于_____工作状态。
A、放大
B、开关
C、截止
D、恒流
7、如图所示电路中，若变压器副边电压有效值为20V，此时图中A点电压约为_____。
A、20V
B、24V
C、28V
D、30V
8、如图所示电路中，若齐纳二极管DZ1的稳定电压为6V，那么负载上电压的最大值为______，最小值为______。
A、20V，9V
B、28V，9V
C、18V，9V
D、28V，18V
9、图示电路中，图中A点对地的电压为_____，B点对地的电压为_____。
A、-15V，+15V
B、+9V，-9V
C、-18V，+18V
D、+15V，-15V
10、开关稳压电源比线性稳压电源效率高的原因是_____。
A、可以不加散热器
B、可以不用电源变压器
C、调整管工作于开关状态
D、调整管工作于放大状态下
11、图示的开关稳压电源在结构上是______型，属于_____型电路。
A、串联，降压
B、并联，降压
C、并联，升压
D、串联，升压
12、在选择整流元件时，只要考虑负载所需的直流电压和直流电流。
13、单相桥式整流电路的输出电压平均值比半波整流时增加了一倍。
14、在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，将造成短路。
15、串联型线性稳压电路中，调整管与负载串联且工作于放大区。
16、开关稳压电路中，开关管导通时，工作于放大区。
17、开关稳压电源的输出电压动态范围宽，且纹波小于串联反馈式稳压电源。
中国大学模拟电子技术基础_7
随着时代的发展，电子技术已经成为了人们生活和工作中不可或缺的一部分。而模拟电子技术基础作为电子技术的基础，对于从事电子技术相关行业的人员来说显得尤为重要。在中国大学，学生们通过学习模拟电子技术基础课程，了解电子技术的基本概念和原理，为今后的学习和工作打下坚实的基础。
模拟电子技术的定义
模拟电子技术是指用模拟电路来实现各种功能，包括信号处理、信号传输、信号转换、功率放大和电源供给等方面的技术。它是电子科技中最基础、最重要的一门科学，是数十年来电子领域不断发展的基础。
模拟电子技术的特点
模拟电子技术具有以下几个特点：
- 1.模拟电子技术是一个基础性的学科，它是电子学的基础。
- 2.模拟电子技术和数字电子技术是相辅相成的，二者之间互相补充。
- 3.模拟电子技术的应用广泛，它涉及到电力、通信、军事等各个领域，是现代工业和生活不可或缺的技术之一。
模拟电子技术的基本原理
模拟电子技术的基本原理有以下几个方面：
- 1.模拟电路的设计：电路的设计是模拟电子技术的重要内容，要考虑电路参数、稳定性、可靠性等因素。
- 2.信号的处理：信号的处理是模拟电子技术的主要任务之一，包括滤波、放大、衰减等方面。
- 3.电源的供给：电源的供给是模拟电子技术的重要环节，要注意电源的稳定性、纹波和噪声等因素。
模拟电子技术的应用
模拟电子技术在现代工业、科学研究和生活中都有广泛的应用，主要有以下几个方面：
- 1.模拟电子技术在通信领域的应用：包括电视、电话、无线电和卫星通信等。
- 2.模拟电子技术在音频领域的应用：包括音响设备、录音和音乐制作等。
- 3.模拟电子技术在医疗领域的应用：包括心电图、脑电图、血压计等。
- 4.模拟电子技术在工业控制领域的应用：包括工业自动化、智能控制、能源管理等。
结语
随着社会的进步和科学技术的发展，模拟电子技术在各个方面都有着广泛的应用，成为推动人类社会发展的基石之一。中国大学模拟电子技术基础_7课程的学习，对于从事电子技术相关行业的学生来说，能够更好的掌握电子技术的基本原理和应用方法，为今后的学习和工作打下坚实的基础。
