超星认识实习_1答案(学习通2023完整答案)

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绪论

关于集成电路的超星调研

1、作业题1 1.观看本慕课绪论中的认识4个知识点，完成视频中关联的实习测试。 2.通过东北大学的答案VPN连接图书馆查阅文献，阅读3篇以上关于集成电路的学习综述性论文（至少1篇英文论文），撰写集成电路发展的通完调研综述（1000字左右）。 要求图文并茂，整答图须有图号和图名，超星并被正文引用。认识 论文最后附参考文献，实习参考文献在论文中有引注。答案需将个人撰写的学习综述和.主要参考文献压缩后作为附件上传。 综述按照“班级_学号_姓名_综述”命名，通完参考文献按照文献主题（论文名）命名。整答

关于集成电路的超星调研（这个有效）

1、1.观看本慕课绪论中的4个知识点，完成视频中关联的测试。 2.通过东北大学的VPN连接图书馆查阅文献，阅读3篇以上关于集成电路的综述性论文（至少1篇英文论文），撰写集成电路发展的调研综述（1000字左右）。 要求图文并茂，图须有图号和图名，并被正文引用。 论文最后附参考文献，参考文献在论文中有引注。需将个人撰写的综述和.主要参考文献压缩后作为附件上传。 综述按照“班级_学号_姓名_综述”命名，参考文献按照文献主题（论文名）命名。

集成电路的调研补交链接

1、集成电路的调研补交链接

第1章 硅片的制备

第一章 测试

1、在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60o可知硅片是什么晶向?
A、（100）
B、（111）
C、（110)
D、(211)

2、磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率：
A、轴向均匀
B、轴向递减
C、轴向递増
D、径向递减

3、关于拉单晶时进行的缩颈步骤，下面的说法那种正确
A、可以多次缩颈
B、为了能拉出与籽晶相同的硅锭
C、为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸
D、为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸

4、在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭

5、拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的 造成。

（选学章节）第2章 外延，包括：外延概述、汽相外延、分子束外延、其它外延、外延层缺陷及检测共五节内容

第二章测试

1、VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：
A、自掺杂效应
B、互扩散效应
C、衬底表面没清洗干净的缘故。
D、掺杂气体不纯

2、在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？
A、MBE
B、VPE、LPE
C、UHV/CVD
D、SEG、SPE

3、如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。

4、外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长 薄膜。

5、VPE制备n-/n+ -Si用硅烷为源，硅烷是在 完成的分解。 可从下面选择： 气相 硅片表面 n-/n+Si界面

第3章 热氧化，包括：SiO2薄膜概述、硅的热氧化、初始氧化阶段及薄氧化层制备等6节内容

第三章 测试

1、通常掩膜氧化采用的工艺方法为：
A、掺氯氧化
B、干氧
C、干氧-湿氧-干氧
D、低压氧化

2、关于氧化速率下面哪种描述是正确的：
A、生长非常薄（<十几nm）的栅氧化层时，氧化速率服从线性规律
B、温度升高氧化速率迅速增加
C、（111）硅比（100）硅氧化得快
D、有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低
E、生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律
F、生长的氧化层较厚时，氧化速率服从线性线规律

3、制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。

4、热氧化速率快慢排序： 氧化最快、 氧化次之、 氧化最慢。 （从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空，中间用“、”隔开）

5、热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质 引起的。（两个字）

（选学章节）第4章 扩散，包括：扩散机构、晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程、杂质的扩散掺杂等共7节内容。

第四章 测试

1、
A、图（a）是限定源扩散，图（b）恒定源扩散
B、图（a）、（b）都是限定源扩散
C、图（a）、（b）都是恒定源扩散
D、图（a）是恒定源扩散，图（b）限定源扩散

2、扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸 ，这是 效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。
A、大，横向扩散
B、小，横向扩散
C、大，场助扩散
D、大，氧化增强

3、扩散系数在何时不可以看成是常数：
A、在中等浓度p型硅上扩散掺入n型杂质；
B、在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质；
C、在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼。
D、在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化。

4、一扩散，采取两歩工艺：预淀积温度高（1200℃）时间长（50min），再分布温度低（970℃）时间短（30min），杂质近似为服从高斯分布。

5、在p-Si中扩磷13分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到1.5μm，在原条件下还要扩 分钟。（只保留整数）

第5章 离子注入，包括：离子注入原理、注入离子在靶中的分布、注入损伤等，共八节内容

第五讲 测试

1、在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是 。当偏离晶向 ψc注入时，可以避免。
A、沟道效应，<
B、沟道效应，>
C、横向效应，<
D、横向效应，>

2、形成B的超浅结掺杂（剂量为QB)时，为了避免沟道效应可否先注入锑（剂量为QSb）再注入硼？实际注入了多少硼？
A、不可以
B、可以，实际注硼：QB+QSb
C、可以，实际注硼：QB-QSb
D、可以，实际注硼：QB

3、基于LSS理论，判断对下图分析的对错：
A、该入射离子是低能注入；
B、该入射离子是高能注入；
C、入射离子在靶中由A运动到B主要受到靶原子核阻滞；
D、入射离子在靶中由A运动到B主要是受到靶电子阻滞；
E、入射离子在靶中由B运动到C主要受到靶原子核阻滞；
F、入射离子在靶中由B运动到C主要是受到靶电子阻滞。

4、关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确：
A、注入离子越轻，临界剂量越小；
B、靶温升高，临界剂量上升；
C、注入离子能量越高，临界剂量越低；
D、注入离子剂量率增大，临界剂量降低。

5、离子注入硼无需退火就有电活性，所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。

第6章 化学汽相淀积，包括：CVD概述，CVD工艺原理、方法，二氧化硅薄膜淀积等共七节内容。

第六章 测试

1、LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>>hg，此时淀积速率的特点为：
A、温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响；
B、淀积速率受气相质量输运控制；
C、淀积速率受表面化学反应控制；
D、反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。

2、poly-Si薄膜通常是采用什么方法制备的？
A、PECVD
B、LPCVD
C、APCVD
D、LCVD

3、关于PECVD-Si3N4薄膜的下列说法哪个对？
A、含H；
B、抗腐蚀性好；
C、台阶覆盖性较好；
D、是中温工艺；
E、常作为芯片的保护膜；
F、常作为腐蚀掩膜。

4、等离子体是物质的一种热平衡存在形态。

5、CVD工艺反应剂气体分子到达衬底表面特殊位置的机制有：扩散； ；表面迁移。（三个字）

第7章物理汽相淀积，包括PVD概述、真空系统及真空的获得、真空镀铝等五节内容

第七章 测试

1、为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合金制备IC内电极，多采用下列哪种工艺方法：
A、磁控溅射
B、反应溅射
C、电阻蒸镀
D、LPCVD
E、射频溅射
F、PECVD

2、从两电极面积判断射频溅射时，靶放在那个电极上、衬底放在那个电极上？
A、靶放在面积小的电极上
B、靶放在面积大的电极上
C、衬底放在面积大的电极上
D、衬底放在面积小的电极上

3、溅射与蒸镀比较，下列那种说法正确：
A、溅射工艺薄膜质量（如粘附性、保形性等）更好
B、蒸镀工艺薄膜质量（如粘附性、保形性等）更好
C、蒸镀工艺的普适性更好
D、溅射工艺的普适性更好

4、薄膜应力与测量时的温度有关。

5、铝的蒸发温度是1250℃，这时它的平衡蒸汽压是 Pa。（精确到小数点后两位）

第8章 光刻工艺，包括光刻概述，光刻工艺流程以及光刻技术等8节内容。

第八章 测试

1、光刻工艺是按照下列哪种流程顺序进行操作？
A、打底膜、涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、刻蚀、去胶
B、打底膜、前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、刻蚀、去胶
C、打底膜、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶
D、打底膜、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶、刻蚀

2、下列有关曝光的描述正确的是：
A、确定图案的精确形状和尺寸；
B、步进曝光机一次就可以完成曝光；
C、使受光照射区域的光刻胶膜发生化学反应形成潜影；
D、需要进行准确对版后再曝光，才能保证各次光刻的套准精度。

3、关于光学光刻，下列哪种方法可以获得高分辨率？
A、采取浸入式光刻方法
B、光源为紫光
C、驻波效应对分辨率无影响
D、使用移相掩膜技术制备的光刻版

4、正胶的感光区域在显影时不溶解，负胶的感光区域在显影时溶解。

5、IC芯片的横向结构是通过 工艺实现的。（填2个字）

第九章 刻蚀技术 包括：刻蚀技术概述、湿法刻蚀技术、干法刻蚀技术及常用薄膜的刻蚀等共5节内容。

第九章 测试

1、光刻工艺所需要的三要素为：
A、光刻胶、掩模版和光刻机
B、光源、光刻胶和曝光时间
C、光刻胶、掩模版和光刻焦深
D、光源、掩模版和超净间
E、光源、光刻胶和掩模版

2、涂胶以后的晶片，需要在一定的温度下进行烘烤，这一步骤称为 。
A、后烘
B、去水烘烤
C、预烘
D、烘烤

3、大尺寸硅片上生长的 的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性 。
A、薄膜厚度
B、图形宽度
C、图形长度
D、图形间隔

4、在SiO2/Si刻蚀过程中等离子体对硅的刻蚀速率必须控制在非常低的程度，否则SiO2被清除的同时硅也大量被侵蚀。

5、单晶硅刻蚀一般采用 做掩蔽层。（在下面选择一个，填入） 光刻胶、金属、二氧化硅、多晶硅

虚拟实验作业

1、1. 下载 UnityWebPlayerFull5.3.8.zip,解压后安装UnityWebPlayerFull5.3.8.exe; 2. 用360安全浏览器打开此地址 http://vlab.rainier.net.cn/ 3. 页面下方找到学校名称，点击学校名称（东北大学）进入登录页面。 账户为本人学号，默认密码为本人学号。 4.进入系统后完成下面实验。将实验结果和主要步骤截图，在Word中撰写实验报告，然后在慕课作业链接中用附件上传。 实验报告要求： *1.实验报告封面：班级、学号、姓名、实验名称（4个实验分别写实验报告，每个实验10分）、实验日期。 *2.实验任务简述 *3.实验过程介绍（截图+文字描述） *4.实验体会

学习通认识实习

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3. 实习评价

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4. 实习心得交流

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总结

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