超星模拟电子技术(徐卫林，段吉海)课后答案(学习通2023题目答案)

点击查看答案

第一章 绪论

第一章 测试题

1、超星已知某正弦电压信号的模拟峰-峰值为10V，频率为1kHz，电技段吉答案初始相角为0，术徐则该信号的卫林表达式为（ ）。
A、海课后答10sin（1000*t）
B、案学10sin（2000p*t）
C、习通5sin（1000p*t）
D、题目5sin（2000p*t）

2、超星模拟信号是模拟指（ ）。
A、电技段吉答案时间离散、术徐数值连续的卫林信号
B、时间连续、海课后答数值离散的信号
C、时间连续、数值连续的信号
D、时间离散、数值离散的信号

3、某电压放大电路的开路输出输出电压为4V，接入1kW的负载电阻后，输出电压为1V。则该放大电路的输出电阻为（ ）。
A、1kW
B、2kW
C、3kW
D、4kW

4、已知某信号源内阻为1kW，未接放大电路时测得信号源电压为10mV，接入放大电路后测得放大电路输入端口电压为8mV，则该放大电路的输入电阻为（ ）。
A、1kW
B、2kW
C、4kW
D、5kW

5、已知某放大电路的最大不失真输出电压范围是－10V～＋10V，若放大电路的通带电压增益是40dB，则放大电路不失真放大时的输入电压范围是（ ）。
A、－1.0V～＋1.0V
B、－0.5V～＋0.5V
C、－0.25V～＋0.25V
D、－0.1V～＋0.1V

6、由于放大电路带宽所限，导致对不同频率信号幅值的放大倍数不同而产生的失真，称为（ ），这种失真属于（ ）。
A、幅度失真，非线性失真
B、幅度失真，线性失真
C、频率失真，非线性失真
D、饱和失真，线性失真

7、电路模型如图所示，其代表的是（ ）。
A、电压放大电路
B、电流放大电路
C、互阻放大电路
D、互导放大电路

8、图中所示的电压放大电路模型中，AVO为（ ）。
A、负载电阻为RL时电路的电压增益
B、输出端开路时电路的电压增益
C、输出端短路时的电流增益
D、负载电阻为RL时电路的电流增益

9、某放大电路的频率特性如图所示，则该电路的中频电压增益等于 （ ）。
A、10
B、100
C、1000
D、10000

10、某放大电路的频率特性如图所示，则该电路的下限频率和上限频率分别为 （ ）。
A、20Hz；20kHz
B、20Hz；2kHz
C、200Hz；20kHz
D、100Hz；200kHz

11、在时域中，信号不失真地放大表现为：任何一点的幅值放大倍数完全相同。

12、只要放大电路的传输特性曲线是线性的，就不会出现失真现象。

13、用放大电路放大单一频率正弦波信号时，不可能出现频率失真。

14、放大电路的增益只能保证在一定频率范围内与频率无关。

15、放大电路只有电压增益、电流增益、互阻增益和互导增益四种增益形式。

第三章 二极管及其基本电路

第三章测试题

1、N型半导体中的多子是（ ），P型半导体中的多子是（ ）。
A、自由电子，空穴
B、空穴，自由电子
C、自由电子，正离子
D、负离子，空穴

2、P型半导体中的少数载流子是（ ）。
A、正离子
B、负离子
C、自由电子
D、空穴

3、N型半导体（ ）。
A、带负电
B、带正电
C、呈中性
D、不确定

4、半导体中空穴的移动实际上反映了半导体中（ ）的移动。
A、共价键中价电子
B、正离子
C、负离子
D、自由电子

5、杂质半导体中，少子的浓度主要取决于（ ）。
A、温度
B、杂质浓度
C、杂质类型
D、晶格缺陷

6、杂质半导体中，多子的浓度主要取决于（ ）。
A、温度
B、杂质浓度
C、杂质类型
D、晶格缺陷

7、在一定的温度下，杂质半导体中杂质浓度越高，少子的浓度（ ）。
A、越低
B、越高
C、不变
D、不确定

8、PN结的内建电场方向是（ ）。
A、由P区指向N区
B、由N区指向P区
C、外加电压方向
D、随机的

9、点亮发光二极管应加（ ）；变容二极管正常工作时应加（ ）。
A、正偏电压；正偏电压
B、反偏电压；正偏电压
C、反偏电压；反偏电压
D、正偏电压；反偏电压

10、PN结中，扩散电流的方向是（ ）。
A、从N区指向P区
B、从P区指向N区
C、双向流动
D、随机变化

11、PN结正偏是指（ ）。
A、N区电位高于P区电位
B、N区电位等于P区电位
C、P区电位高于N区电位
D、与外加电压无关

12、PN结反偏时，耗尽层（ ），扩散电流（ ）漂移电流。
A、变宽；大于
B、变宽；小于
C、变窄；小于
D、变窄；大于

13、PN结正偏时，耗尽层（ ），扩散电流（ ）漂移电流。
A、变宽；大于
B、变宽；小于
C、变窄；小于
D、变窄；大于

14、设二极管两端电压为vD，反向饱和电流为IS，则二极管的电流方程是（ ）。
A、
B、
C、
D、

15、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流IS将增大，是因为此时PN结内部的（ ）。
A、少数载流子浓度增加
B、少数载流子浓度减少
C、多数载流子浓度增加
D、多数载流子浓度减少

16、电路如图所示，假设二极管是理想的，则电路的输出电压VO1、VO2分别为（ ）。
A、-6V，-15V
B、6V，-12V
C、0V，3V
D、-6V，-12V

17、二极管电路如图所示，忽略二极管导通压降，则D1，D2，D3三个二极管的状态分别为（ ）。
A、导通，导通，导通
B、导通，截止，导通
C、导通，导通，截止
D、截止，导通，截止

18、二极管电路和输入ui的波形如图所示，忽略二极管导通压降，其输出波形为（ ）。
A、
B、
C、
D、

19、硅二极管电路如图所示，用恒压降模型分析，在输入电压VI1VI2的不同组合下，输出VO为右图表中的哪一列？（ ）。
A、a列
B、b列
C、c列
D、d列

20、硅二极管电路如图所示，已知R= 1kW。当VDD =5V时，分别用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为（ ）。
A、5mA；4mA
B、1mA；5mA
C、5mA；4.3mA
D、5mA；4.8mA

21、稳压管正常稳压时，应工作在（ ）。
A、正向导通区
B、死区
C、反向截止区
D、反向击穿区

22、稳压电路如图所示，已知稳压管的稳定电压VZ=6V，R=RL=1kW，当输入电压VI=10V时，输出VO=（ ）；当输入电压VI=15V时，输出VO=（ ）。
A、6V，6V
B、-6V，-6V
C、5V，7.5V
D、5V，6V

23、对于实际的二极管，只要二极管正偏，则二极管导通。

24、在相同温度下，硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流。

25、硅二极管的正向导通压降一般为0.2V ~0.3V。

26、半导体二极管温度升高时，少数载流子的浓度明显增大，因此二极管反向饱和电流明显增大。

27、稳压管的动态电阻越小，稳压性能越好。

第四章 场效应三极管及其放大电路

第四章测试题

1、场效应管利用（ ）来控制漏极电流，因此它是（ ）器件。
A、栅源电压，电压控制
B、漏源电压，电压控制
C、栅源电压，电流控制
D、漏源电压，电流控制

2、在饱和区，MOS场效应管栅、漏、源三个电极的电流关系为（ ）。
A、漏极电流和栅极电流成正比，源极电流等于漏极电流与栅极电流之和
B、源极电流和栅极电流成正比，漏极电流等于源极电流与栅极电流之和
C、源极电流近似为零，栅极电流等于漏极电流
D、栅极电流近似为零，漏极电流等于源极电流

3、N沟道MOSFET的漏极电流由（ ）形成。
A、电子的扩散运动
B、电子的漂移运动
C、空穴的扩散运动
D、负离子的漂移运动

4、N沟道增强型MOSFET的开启电压为（ ），P沟道增强型MOSFET的开启电压为（ ）。
A、正值，正值
B、负值，负值
C、正值，负值
D、负值，正值

5、N沟道耗尽型MOSFET的夹断电压为（ ），P沟道耗尽型MOSFET的夹断电压为（ ）。
A、正值，正值
B、负值，负值
C、正值，负值
D、负值，正值

6、某MOSFET当UGS=0时存在导电沟道，并且在正的栅源电压作用下，其漏极电流增大，则可以判断该场效应管的类型是（ ）。
A、N沟道增强型MOSFET
B、P沟道增强型MOSFET
C、N沟道耗尽型MOSFET
D、P沟道耗尽型MOSFET

7、MOS场效应管作为放大器件使用时，应该工作在（ ）。
A、可变电阻区
B、截止区
C、饱和区（恒流区）
D、击穿区

8、MOSFET转移特性曲线如下图所示，它们分别是什么类型是MOSFET?（ ）。
A、（a）N沟道增强型；（b）N沟道耗尽型；（c）P沟道增强型；
B、（a）N沟道耗尽型；（b）N沟道增强型；（c）P沟道增强型；
C、（a）P沟道增强型；（b）N沟道耗尽型；（c）N沟道增强型；
D、（a）P沟道增强型；（b）P沟道耗尽型；（c）N沟道增强型；

9、耗尽型MOS场效应管的转移特性曲线如下图示，其夹断电压VPN和饱和漏电流IDSS分别是（ ）。
A、3V，2mA
B、-3V，2mA
C、3V，4mA
D、-3V，4mA

10、当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（ ）。
A、增大为原来的倍
B、增大为原来的2倍
C、减小为原来的1/2
D、不变

11、放大电路中的静态分量是指（ ）；动态分量是指（ ）。
A、直流电源所提供的电压、电流 ；电压、电流中随输入信号变化的部分
B、电压、电流中不随输入信号变化的部分；电压、电流中随输入信号变化的部分
C、直流电源所提供的电压、电流 ；正弦交流输入、输出信号
D、电压、电流中不随输入信号变化的部分；正弦交流输入、输出信号

12、在画放大电路的直流通路时，错误的是（ ）。
A、将信号源置零
B、将直流电源置零
C、耦合电容、旁路电容开路
D、电感短路

13、在画放大电路的交流通路时，错误的是（ ）。
A、将信号源置零
B、恒压源短路，恒流源开路
C、耦合电容、旁路电容等大电容短路
D、大电感开路

14、下图所示电路中，能够正常放大交流信号的是（ ）。
A、（a）图、（c）图
B、（b）图、（c）图
C、只有（c）图
D、只有（d）图

15、试判断如图所示各FET的类型，它们各工作在哪个区？（ ）
A、（a）截止区，（b）饱和区
B、（a）截止区，（b）可变电阻区
C、（a）可变电阻区，（b）截止区
D、（a）饱和区，（b）饱和区

16、试判断如图所示各FET的类型，它们各工作在哪个区？（ ）
A、（a）截止区,（b）饱和区
B、（a）饱和区,（b）饱和区
C、（a）可变电阻区,（b）截止区
D、（a）饱和区（b）截止区

17、图示两个MOSFET的开启电压绝对值|VT|=1V，则它们各工作在哪个区？（ ）
A、（a）截止区,（b）饱和区
B、（a）饱和区,（b）饱和区
C、（a）饱和区,（b）截止区
D、（a）截止区,（b）截止区

18、下面各电路中场效应管的类型是（ ）。
A、（a）绝缘栅，耗尽型，N沟道（b）结型，P沟道（c）绝缘栅，增强型，P沟道
B、（a）绝缘栅，耗尽型，P沟道（b）结型，P沟道（c）绝缘栅，增强型，N沟道
C、（a）绝缘栅，耗尽型，N沟道（b）绝缘栅，耗尽型，N沟道（c）结型，P沟道
D、（a）绝缘栅，耗尽型，P沟道（b）结型，P沟道（c）绝缘栅，耗尽型，N沟道

19、图示电路中，电压放大倍数绝对值一定小于1的电路有（ ）。
A、(b)， (c)
B、(a)， (c)
C、(b)， (a)
D、仅有(a)

20、图示电路中，输出电压和输入电压反相的电路有（ ）。
A、(b)， (c)
B、(a)， (c)
C、(b)， (a)
D、仅有(a)

21、图示电路中，电压放大倍数绝对值能大于1的电路有（ ）。
A、(a) (b)
B、(b)
C、(a)，（c）
D、（c）

22、有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下测得A的输出电压比B的小，这说明（ ）。
A、电路A的输入电阻比电路B的小
B、电路A的输入电阻比电路B的大
C、电路A的输出电阻比电路B的大
D、电路A的输出电阻比电路B的小

23、有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个内阻等于零的信号源电压进行放大，并接有相同大小的负载电阻，测得A的输出电压比B的大。这说明（ ）。
A、电路A的输入电阻比电路B的小
B、电路A的输入电阻比电路B的大
C、电路A的输出电阻比电路B的大
D、电路A的输出电阻比电路B的小

24、放大电路如图所示，各电容对交流信号均可视为短路，则其小信号等效电路为（ ）。
A、
B、
C、
D、

25、放大电路如图所示，已知场效应管的低频跨导gm，则电路的电压增益AV、输入电阻Ri、输出电阻Ro的表达式分别为（ ） 。
A、
B、
C、
D、

26、MOSFET的低频跨导gm是一个常数。

27、作为放大器件工作时，耗尽型MOSFET的栅源电压可正、可负，也可以是0。

28、放大电路的静态是指输入信号为零时的状态。

29、FET放大电路的小信号模型参数与静态工作点无关。

30、FET放大电路的三种基本组态中，只有共源放大电路具有电压放大作用。

31、设N沟道增强型MOS管的VTN＝1.5V，测得其在电路中的VDS＝3V，VGS＝1V，可以判断该MOS管工作在可变电阻区。

32、设N沟道耗尽型MOS管的VPN＝-2V，测得其在电路中的VDS＝3V，VGS＝-1V，可以判断该MOS管工作在饱和区。

学习通模拟电子技术(徐卫林，段吉海)

在如今的信息时代，电子技术已经成为了人们生活中必不可少的一部分。而模拟电子技术则是电子技术中的重要一环，它广泛应用于各个领域，如通信、计算机、医疗等等。

因此，学习模拟电子技术已经成为了现代人必备的技能之一。而学习通模拟电子技术这门课程，则是帮助大家快速掌握这门技术的重要途径。

课程介绍

学习通模拟电子技术课程是由知名电子工程师徐卫林和段吉海共同开发的一门课程。这门课程主要涵盖以下内容：

• 模拟信号的基本概念
• 放大电路的设计与分析
• 滤波电路的设计与分析
• 振荡电路的设计与分析
• 稳压电源的设计与分析
• 集成电路的原理与应用

通过这门课程的学习，学生可以深入了解模拟电子技术的基本理论和实践知识，从而能够自主设计和分析各种电路，为电子工程领域的发展做出贡献。

教学团队

徐卫林和段吉海是这门课程的主要教学团队。他们分别是中国工程院院士、上海交通大学教授和南京大学教授。他们在电子工程领域有着丰富的教学和实践经验，并且在国内外学术界享有很高的声誉。

除了教学团队外，课程还邀请了多位电子工程领域的专家担任客座教授，为学生们的学习提供更多的帮助。

教学方式

学习通模拟电子技术采用线上教学的方式。学生可以通过网络随时随地访问课程内容和学习资源，灵活自由地安排自己的学习时间。

课程设置了丰富的学习内容，包括课程视频、课程讲义、习题和实践案例等。学生可以通过观看视频、阅读讲义、完成习题和实践案例等方式进行学习，从而全面掌握课程内容。

教学效果

学习通模拟电子技术的教学效果是非常显著的。在过去的几年中，课程已经成功地培养了大量的电子工程师和科研人员，他们在电子工程领域的表现非常出色。

此外，学习通模拟电子技术的课程成绩也十分优秀。根据统计数据显示，该课程的平均学习成绩高达90分以上，证明了它在教学质量上的出色表现。

总结

学习通模拟电子技术是一门非常优秀的电子工程课程，它能够帮助学生深入了解模拟电子技术的理论和实践知识，从而掌握自主设计和分析各种电路的能力。如果你对电子工程领域有浓厚的兴趣，那么学习通模拟电子技术课程将是你的不二选择。

学习通模拟电子技术(徐卫林，段吉海)

在如今的信息时代，电子技术已经成为了人们生活中必不可少的一部分。而模拟电子技术则是电子技术中的重要一环，它广泛应用于各个领域，如通信、计算机、医疗等等。

因此，学习模拟电子技术已经成为了现代人必备的技能之一。而学习通模拟电子技术这门课程，则是帮助大家快速掌握这门技术的重要途径。

课程介绍

学习通模拟电子技术课程是由知名电子工程师徐卫林和段吉海共同开发的一门课程。这门课程主要涵盖以下内容：

• 模拟信号的基本概念
• 放大电路的设计与分析
• 滤波电路的设计与分析
• 振荡电路的设计与分析
• 稳压电源的设计与分析
• 集成电路的原理与应用

通过这门课程的学习，学生可以深入了解模拟电子技术的基本理论和实践知识，从而能够自主设计和分析各种电路，为电子工程领域的发展做出贡献。

教学团队

徐卫林和段吉海是这门课程的主要教学团队。他们分别是中国工程院院士、上海交通大学教授和南京大学教授。他们在电子工程领域有着丰富的教学和实践经验，并且在国内外学术界享有很高的声誉。

除了教学团队外，课程还邀请了多位电子工程领域的专家担任客座教授，为学生们的学习提供更多的帮助。

教学方式

学习通模拟电子技术采用线上教学的方式。学生可以通过网络随时随地访问课程内容和学习资源，灵活自由地安排自己的学习时间。

课程设置了丰富的学习内容，包括课程视频、课程讲义、习题和实践案例等。学生可以通过观看视频、阅读讲义、完成习题和实践案例等方式进行学习，从而全面掌握课程内容。

教学效果

学习通模拟电子技术的教学效果是非常显著的。在过去的几年中，课程已经成功地培养了大量的电子工程师和科研人员，他们在电子工程领域的表现非常出色。

此外，学习通模拟电子技术的课程成绩也十分优秀。根据统计数据显示，该课程的平均学习成绩高达90分以上，证明了它在教学质量上的出色表现。

总结

学习通模拟电子技术是一门非常优秀的电子工程课程，它能够帮助学生深入了解模拟电子技术的理论和实践知识，从而掌握自主设计和分析各种电路的能力。如果你对电子工程领域有浓厚的兴趣，那么学习通模拟电子技术课程将是你的不二选择。