mooc模拟电路基础:从系统级到电路级章节答案(mooc完整答案)

mooc模拟电路基础:从系统级到电路级章节答案(mooc完整答案)

1 电路分析方法

H1

1、模拟附图电路中,电路到电答案答案求A、基础B端的从系戴维宁等效电路参数Voc和Ro。然后利用戴维宁等效电路参数,统级求诺顿等效电路参数Isc和Ro。章节

2、完整附图电路中,模拟围绕结点③列写KCL方程。电路到电答案答案

3、基础附图电路中,从系Vs=12V,统级Rs =R0 =R1 =R2 =1kΩ,章节RG =0Ω,完整Rx =1.5kΩ,模拟利用multisim仿真求解I1,要求给出仿真电路图、仿真结果的截图。

2 动态电路瞬态特性分析

H2

1、附件电路中,零状态初始条件,具体可以用哪几个表达式描述?

2、附件电路中,假设满足零状态初始条件,围绕结点④列写KCL方程。请首先给出时域方程形式,再给出复频域方程形式。

3、附件电路中,只有3个节点是基本节点,因此独立的KCL方程只有2个。如果以节点电压v2、v3为独立电压变量,并围绕节点②③列写KCL方程。KCL方程如何列写?

3 动态电路频域特性分析

H3

1、附图电路中,假设R1=R2=R3=100Ω,C1=C2=5uF,L=1H,并以节点③电压为输出电压。 (请利用Multisim仿真,需同时给出仿真电路截图、仿真结果截图) (1) 如果输入为单位阶跃电压u(t),请给出输入输出电压的时域波形,标出最大输出电压与最终输出电压。 (2) 如果输入为幅度1V、频率50Hz的正弦信号,请给出输入输出电压至少2个周期的时域波形。 (3) 如果输入为幅度1V、频率500Hz的正弦信号,请给出输入输出电压至少2个周期的时域波形。 (4) 请给出系统的频域响应(包括幅频响应与相频响应,即波特图),标出频率50Hz、500Hz时的幅度与相位,并与(2)、(3)仿真结果互相参照。

5 模拟运算电路

T1

1、
A、10*I
B、-10*I
C、以上都是
D、以上都不是

2、附图电路中,电流I的表达式为
A、V/R
B、(V-Vs)/R
C、(V+Vs)/R
D、(-V+Vs)/R

3、以下哪些理想电路元件没有记忆效应?
A、R
B、L
C、C
D、以上都不是

4、以下哪些理想电路元件以磁场形式存储能量?
A、R
B、L
C、C
D、以上都不是

5、附图电路中,电流I1
A、大于0
B、等于0
C、小于0
D、条件不够,无法判断

6、附图电路处于平衡状态,说明电阻R的阻值为
A、0.5kΩ
B、1kΩ
C、2kΩ
D、条件不够,无法判断

7、Matlab中,单位阶跃函数heaviside(t)在t=0时的取值为
A、0
B、0.5
C、1
D、不定义

8、单位冲激函数δ(t)变换到复频域后的形式为
A、0
B、1
C、1/s
D、以上都不是

9、附图电路,仿真输出电压波形,仿真时间取多长比较合适?(指仿真时间足够长,使输出波形达到稳定)
A、与C1的取值有关
B、与C2的取值有关
C、与R1*C1的取值有关
D、与R2*C2的取值有关

10、复频域中,如果某元件的电压=A*电流,系数A是复数,其虚部称为
A、电阻
B、电抗
C、电导
D、电纳

11、复频域中,如果某元件的电流=A*电压,系数A是复数,其实部称为
A、电阻
B、电抗
C、电导
D、电纳

12、系统函数的波特图表示中,幅度为-3dB表示
A、输出信号的幅度是0.5
B、输出信号的功率是0.5
C、输出信号的幅度是输入信号幅度的50%
D、输出信号的功率是输入信号功率的50%

13、根据以下系统函数表达式,可以判断电路特性为
A、低通滤波
B、高通滤波
C、带通滤波
D、全通滤波

14、RLC并联电路的导纳大小
A、随着频率升高而增大
B、随着频率升高而减小
C、先随着频率升高而增大、到达某个最大值之后再减小
D、先随着频率升高而减小、到达某个最小值之后再增大

15、对于RLC串联电路,当频率高于谐振频率时
A、电感贡献的电抗大小 > 电容贡献的电抗大小
B、电感贡献的电抗大小 = 电容贡献的电抗大小
C、电感贡献的电抗大小 < 电容贡献的电抗大小
D、条件不足,无法判断

16、以下Matlab代码的输出结果是 tf ([1 2 3], [4 0])
A、
B、
C、
D、

17、以下Matlab代码的输出结果是 syms t; laplace(heaviside(t))
A、0
B、1
C、
D、以上都不是

18、以下哪句Matlab代码可以用于求解方程组AX=B?
A、X = A/B
B、X = B/A
C、X = A\B
D、X = B\A

19、以下哪些理想电路元件有记忆效应?
A、R
B、L
C、C
D、以上都是

20、以下哪些理想电路元件存储能量?
A、R
B、L
C、C
D、以上都是

21、以下哪句Matlab代码可以用于求解方程组AX=B?
A、X = B/A
B、X = A\B
C、X = B*inv(A)
D、X = inv(A)*B

22、附图电路中,具有低通滤波特性的是
A、
B、
C、
D、

23、附图电路中,具有高通滤波特性的是
A、
B、
C、
D、

24、附图电路中,当输入信号频率=电路谐振频率时,
A、输出信号频率与输入信号频率相同
B、输出信号幅度与输入信号幅度相同
C、输出信号相位与输入信号相位相同
D、以上都是

25、系统函数的波特图表示中,幅度为-3dB表示
A、输出信号的幅度是输入信号幅度的50%
B、输出信号的功率是输入信号功率的50%
C、输出信号的幅度是输入信号幅度的70%
D、输出信号的功率是输入信号功率的70%

26、如果不作特别说明,单位阶跃函数u(t)在t=0时的取值可能为
A、0
B、0.5
C、1
D、不定义

27、如果输入信号为周期矩形脉冲信号,以下陈述正确的有
A、信号会有延迟
B、信号的上升时间会增大
C、信号的下降时间会增大
D、以上都是

28、流过电容的电流不能突变。

29、电感两端的电压不能突变。

30、理想电感不消耗能量。

31、理想电阻不消耗能量。

32、储能元件一定有记忆效应。

33、非零值的电流源不可以开路。

34、非零值的电压源不可以短路。

35、实际电路中,单位阶跃函数并不存在。

36、电感的阻抗大小随着频率升高而增大。

37、元件串联对应导纳相加。

38、系数函数H(s)经Fourier反变换,就是单位冲激响应h(t)。

39、时域卷积运算,对应复频域的乘法运算。

40、零状态条件下,时域微分运算,对应复频域的乘s运算。

41、系统函数的极点,对应系统函数H(s)取极小值。

42、值RLC并联电路谐振时,可以等效为纯电阻,阻值约为R。

43、如果元件参数相同,RLC串联电路和RLC并联电路的谐振频率相同。

44、附图电路的连接是允许的(假设电流源非零值)。

45、附图电路的连接是允许的(假设电流源非零值)。

46、附件电路,相对于节点1的电压波形,节点2和节点3的电压波形非常相似。 (即,v2与v3波形接近,都明显区别于v1。)

47、附件电路,相对于节点1的电压波形,节点2和节点3的电压波形非常相似。 (即,v2与v3波形接近,都明显区别于v1。)

48、附图电路中,当输入信号频率为10MHz时,幅频响应达到最大值。

49、附图电路中,当输入信号频率为10MHz时,输出信号相位与输入信号相位相同。

6 有源滤波电路

H4

1、附图同相放大电路中,假设运放是理想的。 (1) 如果输入电压为0.2V,求输出电压是多少? (2) 如果输入电压为0.6V,会发生什么现象?此时输出电压是多少?

2、附图同相放大电路中,采用741运放,±5V供电。 (请利用Multisim仿真,需同时给出仿真结果截图) (1) 如果输入为幅度0.2V、频率50Hz的正弦信号,请给出输出电压的时域波形,标出输出电压峰值,与题1的手算结果相互参照。 (2) 如果输入为幅度0.6V、频率50Hz的正弦信号,请给出输出电压的时域波形,标出741运放的饱和输出电压。 (3) 如果输入为幅度0.2V、频率50Hz的正弦信号,但是包含有1V的直流分量,请给出输出电压的时域波形。

3、附图低通滤波电路中,采用741运放,±5V供电。 (1) 请计算电路的低通截止频率fc(注意不是角频率)。 (2) 请分别给出通带内增益,以及频率fc、10×fc时的增益。 (需同时给出仿真结果截图)

7 微弱信号处理电路

H5

1、请利用AD620设计差分小信号放大电路,要求供电电压±5V,增益100。假设输入信号频率为1kHz。 (1) 请给出外接电阻的阻值,要求考虑实际电阻标称值问题。 (以下请利用Multisim仿真,需同时给出仿真结果截图) (2) 请给出增益的仿真结果。 (3) 请给出共模增益的仿真结果。 (4) 请根据(2)(3)计算共模抑制比,并与AD620芯片数据比较。 提示: (1) 增益仿真可以用瞬态仿真、也可以用AC仿真。一般用AC仿真。 (2) 如果用瞬态仿真,输入信号设置可以参考节7.1 PPT第9、11页。 (3) 如果用AC仿真,输入信号设置如节7.1 PPT第9页时,得到的增益需要减去6。其中原因,留给大家思考。

2、附图带阻滤波电路。 (请参考节7.2 PPT第29页的电路元件参数) (1) 对带阻滤波的原理进行说明。 (以下请利用Multisim仿真,需同时给出仿真结果截图) (2) 请给出电路在20~100 Hz范围内的频率特性(波特图)。 (3) 将阻值为R/2的电阻增大为R,重复(1),适当对比特性,并加以分析说明。 (4) 将容值为2C的电容减小为C,重复(1),适当对比特性,并加以分析说明。 (5) 将σ改为0.8,重复(1),适当对比特性,并加以分析说明。

8 CMOS模拟集成电路I

T2

1、理想电压型运放适合用哪种受控源表示?
A、电压控制电压源
B、电压控制电流源
C、电流控制电压源
D、电流控制电流源

2、理想跨阻型运放具有以下哪些特性
A、跨阻增益无穷大
B、输入电阻无穷大
C、输出电阻无穷大
D、以上都不是

3、理想电压型运放的虚短特性是指
A、同相输入电压Vp=0
B、反相输入电压Vn=0
C、输入电压相等Vp=Vn
D、以上都不是

4、理想跨导型运放适合用哪种受控源表示?
A、电压控制电压源
B、电压控制电流源
C、电流控制电压源
D、电流控制电流源

5、附图电路,采用了哪种类型的反馈?
A、电压串联反馈
B、电压并联反馈
C、电流串联反馈
D、电流并联反馈

6、附图电路,采用了哪种类型的反馈?
A、电压串联反馈
B、电压并联反馈
C、电流串联反馈
D、电流并联反馈

7、附图电路中,假设运放是理想的。如果输入信号直流分量为0.5V,低频交流分量幅度为0.02V,输出电压最小值约为多少?
A、3.0V
B、3.2V
C、3.4V
D、3.6V

8、附图电路中,假设运放是理想的。如果输入信号直流分量为0.5V,低频交流分量幅度为0.02V,输出电压最小值约为多少?
A、-4.6V
B、-4.8V
C、-5.0V
D、-5.2V

9、附图电路中,假设运放是理想的。输出电阻约为多少?
A、0kΩ
B、50kΩ
C、(50+5)kΩ
D、(50║5)kΩ(║表示电阻并联)

10、附图电路中,假设运放是理想的。输入电阻约为多少?
A、10kΩ
B、15kΩ
C、(10+15)kΩ
D、(10║15)kΩ(║表示电阻并联)

11、附图电路中,假设运放是理想的。该电路实现的功能是?
A、vo=v1+v2
B、vo=(v1+v2)/2
C、vo=(v1+v2)/3
D、vo=(v1+v2)/4

12、附图电路中,假设运放是理想的。该电路实现的功能是?
A、vo=v1-v2
B、vo=(v1-v2)/2
C、vo=(v1-v2)/3
D、vo=(v1-v2)/4

13、附图差分电路中,假设运放是理想的。该电路的差模增益是多少?
A、0 dB
B、2 dB
C、4 dB
D、6 dB

14、附图电路中,假设运放是理想的,电路满足零状态初始条件。如果输入信号是幅度±1V,频率500Hz的方波。输出电压最小值约为多少?
A、-1 V
B、-2 V
C、-3 V
D、-4 V

15、附图电路中,假设运放是理想的。输入信号的线性范围(不会导致输出出现饱和)是多大?
A、±1.0 V
B、±1.5 V
C、±2.0 V
D、±2.5 V

16、附图差分电路中,假设运放是理想的。该电路的差模增益是多少?
A、0 dB
B、2 dB
C、4 dB
D、6 dB

17、附图电路中,假设运放是理想的。以下哪种说法是正确的?
A、电路具有低通滤波特性
B、电路具有高通滤波特性
C、电路具有带通滤波特性
D、条件不足,无法判断

18、附图电路中,假设运放是理想的。该电路的增益约是多少?
A、5 dB
B、10 dB
C、15 dB
D、20 dB

19、理想电流型运放具有以下哪些特性
A、电流增益无穷大
B、输入电阻无穷大
C、输出电阻无穷大
D、以上都是

20、理想电压型运放具有以下哪些特性
A、电压增益无穷大
B、输入电阻无穷大
C、输出电阻无穷大
D、以上都是

21、附图滤波电路中,假设运放是理想的。如果希望保持带内增益不变,但是减小截止频率,可以如何修改电路元件参数?
A、增大电阻R,其它参数不变
B、增大电容C,其它参数不变
C、减小电阻R,其它参数不变
D、减小电容C,其它参数不变

22、附图滤波电路中,如果希望保持中心频率不变,但是增大带内增益,可以如何修改电路元件参数?
A、增大电阻Rf,其它参数不变
B、减小电阻Rf,其它参数不变
C、增大电阻R,相应减小电容C,其它参数不变
D、减小电阻R,相应增大电容C,其它参数不变

23、理想电压型运放的虚断特性是指
A、同相输入电流Ip=0
B、反相输入电流In=0
C、输入电流相等Ip=In
D、以上都是

24、附图电路中,假设运放是理想的。如果输入信号直流分量为0.5V,低频交流分量幅度为20mV,输出电压的最大值和最小值分别约为多少?
A、4.6 V
B、4.8 V
C、5.0 V
D、5.2 V

25、附图电路中,如果希望将陷波频率由50Hz修改为60Hz,可以如何修改电路元件参数?
A、将R的数值减小,其它参数不变
B、将C的数值减小,其它参数不变
C、将R和C的数值都减小,其它参数不变
D、以上都是

26、附图差分电路中,假设运放是理想的。该电路的共模抑制比是多少?
A、40 dB
B、42 dB
C、44dB
D、46dB
E、本选项必选

27、附图电路中,以下哪种情况下,会导致附图所示的输入输出信号波形?
A、X1是电阻,X2是电容
B、X1是电容,X2是电阻
C、X1是电阻,X2是电感
D、X1是电感,X2是电阻

28、理想电流型运放的输出电阻为零。

29、理想电压型运放的输入电阻为零。

30、负反馈放大器的增益高于基本放大器的增益。

31、利用深度负反馈技术,即使基本放大器的增益出现较大波动,反馈放大器的增益也基本保持不变。

32、三运放测量放大器电路中,电阻Rg改变,不会影响共模增益,因此电路共模抑制比不变。

33、AD620芯片的外接增益电阻越大,电路增益越小。

34、2阶有源RC滤波器的带外衰减特性为40dB/倍频。

35、2个滤波电路级联之后,在波特图上,对应幅频特性的分贝数相加,相频特性的相位相加。

36、AC仿真是交流小信号线性仿真,所以不能用于分析电路的非线性特性。

37、附图陷波电路中,使用了电压并联反馈。

38、为了实现60dB/10倍频的带外衰减特性,可以将两个截止频率相同、阶数分别为1阶和2阶的无源RC滤波电路级联。

39、附图电路中,假设运放是理想的。由于电阻元件参数未知,无法求解该电路的增益。

40、附图为心电信号处理电路的前置放大电路。其中,连接右腿(Leg)的电极用于采集人体体表的共模干扰,用于共模屏蔽驱动。

41、附图为心电信号处理电路的前置放大电路。其中,电路增益由R4║(R5+R6)的数值决定(║表示电阻并联)。

42、附图滤波电路中,如果希望增大带内增益,必然导致3dB带宽变窄。

43、附图滤波电路中,如果要保证带内增益具有最大平坦度,带内增益就无法自由取值。

44、附图陷波电路中,σ越大,反馈电压越大,电路的Q值越低。

45、附图陷波电路的输出电阻为R1。

46、对于两个单端信号x1和x2,共模分量定义为x1和x2的平均值(x1+x2)/2。

47、心电信号处理电路的前置放大电路中,共模屏蔽驱动的原理是采集人体体表的共模干扰,经过适当反相放大之后、反馈回体表,与原体表电压抵销。

48、心电信号处理电路中,80dB共模抑制比这一指标,是通过AD620芯片保证的。

考试

F

1、附图共源放大电路中,哪个晶体管可能存在背栅效应?
A、M1
B、M2
C、M1和M2
D、都不存在背栅效应

2、附图共源放大电路中,晶体管的衬底应该如何连接?
A、M1和M2的衬底都接地
B、M1的衬底接地,M2 的衬底接VDD
C、M1的衬底接VDD,M2 的衬底接地
D、M1和M2的衬底都接VDD

3、附图电路中,假设运放是理想的。该电路实现的功能是?
A、vo=v1-v2
B、vo=(v1-v2)/2
C、vo=(v1-v2)/3
D、vo=(v1-v2)/4

4、以下Matlab代码的输出结果是 syms t; laplace(dirac(t))
A、0
B、1
C、1/s
D、以上都不是

5、附图电路中,电流
A、大于0
B、等于0
C、小于0
D、条件不足,无法判断

6、附图电路中,假设双电源运放是理想的,电路满足零状态初始条件。如果输入信号是幅度±1V,频率500Hz的方波。输出电压最小值约为多少?
A、-1V
B、-2V
C、-3V
D、-4V

7、根据以下NMOS晶体管模型代码,如果宽长比W/L=10,栅源电压VGS=2V,可以计算得到漏源电流约为 .MODEL n08 NMOS VTO = 0.70 KP = 110U GAMMA = 0.4 LAMBDA = 0.04 + PHI = 0.7 MJ = 0.5 MJSW = 0.38 CGBO = 700P CGSO = 220P CGDO = 220P + CJ = 770U CJSW = 380P LD = 0.016U TOX = 14N
A、0.8mA
B、0.9mA
C、1.0mA
D、1.1mA

8、根据以下NMOS晶体管模型代码,如果衬底接地,源极电压VS=2V,由于受背栅效应影响,可以计算得到阈值电压约为 .MODEL n08 NMOS VTO = 0.70 KP = 110U GAMMA = 0.4 LAMBDA = 0.04 + PHI = 0.7 MJ = 0.5 MJSW = 0.38 CGBO = 700P CGSO = 220P CGDO = 220P + CJ = 770U CJSW = 380P LD = 0.016U TOX = 14N
A、0.8V
B、1.0V
C、1.2V
D、条件不足,无法判断

9、附图共源放大电路中,假设M1、M2都工作在饱和区。接下来,如果将M1栅极直流偏置电压增大为VDD,会发生什么情况?
A、M1和M2始终工作在饱和区
B、M1进入线性区,M2工作在饱和区
C、M1和M2都进入线性区
D、M1进入线性区,M2进入截止区

10、附图共源放大电路的电压增益为?
A、
B、
C、
D、

11、采用以下PMOS晶体管模型,如果沟道尺寸W/L=5U/1U,要求饱和区输出电流IDS约为1mA,则过驱动电压VOD (=VGS-VT)应该取多大? .MODEL p08 PMOS VTO = -0.70 KP = 50U GAMMA = 0.57 LAMBDA = 0.05 + PHI = 0.8 MJ = 0.5 MJSW = 0.35 CGBO = 700P CGSO = 220P CGDO = 220P + CJ = 560U CJSW = 350P LD = 0.014U TOX = 14N
A、-2.4V
B、-2.6V
C、-2.8V
D、-3.0V

12、关于附图二级运放电路,哪些说法是错误的?
A、M1/M2构成NMOS差分输入级,M3/M4是差分输入级的负载
B、M5的作用是为差分输入级提供偏置电流
C、M6构成NMOS共源放大级
D、M7的作用是为共源放大级提供偏置电流
E、Cc的作用是密勒补偿,保证运放具有足够大的相位裕度

13、关于附图二级运放电路的网表,哪句代码是错误的?
A、M1 4 2 3 9 n08 W = 8U L = 1U
B、M2 5 1 3 9 n08 W = 8U L = 1U
C、M6 8 5 6 9 n08 W = 190U L = 1U
D、M8 7 7 9 9 n08 W = 4U L = 1U

14、以下代码中,AD=48P表示什么意思? M1 4 2 3 3 n08 W = 8U L = 1U AD = 48P AS = 48P PD = 28U PS = 28U
A、漏极的电容为48pF
B、漏极的面积为
C、漏极的周长为
D、以上都不是

15、已知OPAMP为运放电路,引脚顺序依次为VDD(正电源)、VSS(负电源)、vip(同相输入)、vin(反相输入)、vo(输出)。以下代码对应的电路(Vin: 输入,Vout: 输出),实现了什么功能? X1 1 0 2 3 Vout OPAMP VDD 1 0 DC 5 R1 2 0 1k R2 Vin 3 1k R3 3 Vout 2k
A、同相放大器(增益>1)
B、反相放大器
C、电压跟随器
D、以上都不是

16、附图为某运放的开环增益。从中可以得到,运放的相位裕度约为
A、-40度
B、-90度
C、90度
D、160度

17、附图为某运放的开环增益。从中可以得到,运放的单位增益带宽约为
A、10MHz
B、20MHz
C、200MHz
D、1000MHz

18、附图差分放大电路中,假设所有MOS晶体管都工作在饱和区。接下来,如果输入共模电压增大,首先可能会发生什么情况?
A、M1和M2进入线性区
B、M3和M4进入线性区
C、M5进入线性区
D、以上都不是

19、附图差分放大电路中,哪个晶体管可能存在背栅效应?
A、M1
B、M2
C、M3
D、M4
E、M5

20、附图电路中,采用了什么反馈类型?
A、电压反馈
B、电流反馈
C、串联反馈
D、并联反馈

21、图示滤波电路,假设运放是理想的。如果希望保持带内增益不变,但是增大中心频率,可以如何修改电路元件参数?
A、增大电容C,其它参数不变
B、减小电容C,其它参数不变
C、增大电阻R,相应增大电阻Rf,其它参数不变
D、减小电阻R,相应减小电阻Rf,其它参数不变

22、附图共源放大电路中,如果希望增大M1的跨导,可以如何修改电路元件参数?
A、适当增大M1的沟道宽度W
B、适当增大M1的沟道长度L
C、适当增大M1的栅极直流偏置电压VG
D、适当增大M2的沟道宽度W
E、适当增大M2的沟道长度L

23、附图运放测试电路,可用于测试运放的哪些指标?
A、开环增益
B、单位增益带宽
C、相位裕度
D、压摆率

24、附图二级运放电路中,所有MOS晶体管的沟道长度L均为1μm。如果采用以下PMOS晶体管模型,可以计算得到M5和M7的电流分别为多少? .MODEL p08 PMOS VTO = -0.70 KP = 50U GAMMA = 0.57 LAMBDA = 0.05 + PHI = 0.8 MJ = 0.5 MJSW = 0.35 CGBO = 700P CGSO = 220P CGDO = 220P + CJ = 560U CJSW = 350P LD = 0.014U TOX = 14N
A、10μA
B、20μA
C、30μA
D、40μA
E、50μA

25、关于附图二级运放电路,哪些说法是正确的?
A、输出电压vout相对于差分输入电压vin,是同相放大
B、第1级差分输入级的增益是
C、第2级共源放大级的增益是
D、运放的输出电阻约为

26、纯净硅中,电子和空穴总是成对出现,密度相同。

27、半导体中,电子和空穴都参与导电,都是载流子。

28、对于纯净硅,温度越低导电能力越高,这一特性与低温超导材料类似。

29、N型硅中因为掺入了三价原子材料,电子成为主要载流子。

30、MOS晶体管的衬底必须接系统最低电压,以防止源极/衬底、漏极/衬底寄生二极管导通。

31、MOS晶体管属于电压控制器件,漏源电流IDS主要由栅源电压VGS控制,与漏源电压VDS无关。

32、假设NMOS晶体管栅源电压大于阈值电压。当漏源电压VDS等于饱和电压VDSsat时,导电沟道靠近漏极处开始出现夹断。如果VDS继续增大,夹断点移向源极侧,沟道有效长度变短。

33、工作于饱和区的MOS晶体管,漏源电流IDS几乎不随漏源电压VDS变化。

34、MOS晶体管漏源之间能够导电的前提,是存在导电沟道。如果导电沟道夹断,则无法导电,漏源电流IDS为零。

35、工作于饱和区的MOS晶体管,漏源电流IDS与栅源电压VGS成线性关系。

36、如果MOS晶体管的输出电导gds等于零,说明漏源电流IDS与漏源电压VDS无关。

37、对于耗尽型PMOS晶体管,即使栅源电压VGS等于零,导电沟道也是存在的。

38、不论是耗尽型还是增强型,PMOS晶体管的阈值电压都是负值。

39、为了避免背栅效应,对于NMOS晶体管,衬底应该接系统最低电压,而PMOS晶体管,衬底应该接系统最高电压。

40、厄尔利电压(early voltage)的数值越小,说明MOS晶体管的沟道长度调制效应越明显,输出电阻rds越小。

41、同一CMOS工艺下,沟道尺寸(W、L)相同的PMOS晶体管和NMOS晶体管,如果漏源电流大小相同,则NMOS管的跨导更大。

42、以下模型代码中,与阈值电压有关的参数,除了VTO,还包括GAMMA和PHI。 .MODEL n08 NMOS VTO = 0.70 KP = 110U GAMMA = 0.4 LAMBDA = 0.04 + PHI = 0.7 MJ = 0.5 MJSW = 0.38 CGBO = 700P CGSO = 220P CGDO = 220P + CJ = 770U CJSW = 380P LD = 0.016U TOX = 14N

43、附图电流镜电路中,输出电压Vo必须高于VGS。如果Vo低于VGS,M2进入线性区,输出电流Io减小,将无法实现正确比例的镜像电流。

44、附图共源放大电路中,如果输入电压vi过小,低于M1的阈值电压,M1进入截止区,电流iD=0,所以输出电压vo=0。

45、附图共源放大电路中,M2的作用是有源负载,阻值约为rds2。

46、附图共源放大电路中,M2的源极S和栅极G交流都相当于接地。

47、2阶有源RC滤波器的带外衰减特性为20dB/10倍频。

48、2个滤波电路级联之后,在波特图上,对应幅频特性的分贝数相加,相频特性的相位相加。

49、零状态条件下,时域积分运算,对应复频域的乘s运算。

50、如果元件参数相同,RLC串联电路和RLC并联电路的谐振频率相同,且谐振时,都相当于电阻R。

51、附图共源放大电路的输入电阻为无穷大,输出电阻约为。

学习通模拟电路基础:从系统级到电路级

模拟电路是电子学中重要的一个分支,其主要研究信号的传输、处理和控制等问题。在现代电子设备中,模拟电路经常用于信号的放大、滤波、调节等方面,具有广泛的应用领域。学习通模拟电路基础课程,是电子工程师必须要掌握的基础知识。

一、系统级

模拟电路系统级主要研究的是信号的传输和处理。在系统级中,我们可以通过信号的传输和处理,实现对信号的调整、放大、采集等功能。

  • 信号源:信号源是模拟电路系统中的重要组成部分,它可以产生各种形式的信号。例如,可以通过信号源产生正弦信号、方波信号、三角波信号、噪声信号等。在实际应用中,还可以通过信号源产生不同频率的信号,实现对信号的采集和处理。
  • 放大电路:模拟电路中最常用的电路之一就是放大电路。在放大电路中,可以通过电路的设计和调整,实现对信号的放大、调整和增强等功能。
  • 滤波电路:滤波电路主要用于对信号进行滤波处理,通过滤波电路的设计和调整,可以实现对信号的去噪、去干扰、增强等功能。
  • 调制电路:调制电路主要用于在信号的传输过程中,将信号与载波信号进行调制,实现信号的传输和调节等功能。
  • 检测电路:检测电路主要用于信号的检测和采集。例如,可以通过检测电路对信号进行采样、数字化等操作。

二、电路级

在模拟电路电路级中,主要研究的是电路的设计和实现。在电路级中,我们需要通过电路的设计和调整,实现信号的处理、控制和传输等功能。

  • 电路元件:电路元件是电路的基本组成部分,例如,电阻、电容、电感等。在电路的设计和调整中,可以通过不同的电路元件的组合和调整,实现对信号的处理和控制等功能。
  • 运算放大器:运算放大器是模拟电路中常用的电路之一,它可以实现对信号的放大、滤波、求和等功能。
  • 反馈电路:反馈电路是电路设计中常用的一种技术,它可以实现对电路的增益、频率响应和稳定性等方面进行控制。
  • 振荡电路:振荡电路主要用于产生周期性的信号。例如,可以通过振荡电路产生正弦波、方波、三角波等周期性信号。
  • 功率放大电路:功率放大电路主要用于对信号进行放大和控制,例如,可以通过功率放大电路实现音频信号、视频信号的放大和控制。

三、总结

总的来说,学习通模拟电路基础课程,可以帮助学生深入了解模拟电路的基本原理和电路设计技术,掌握模拟电路设计和实现的基本方法和技巧。同时,学习通模拟电路基础课程还可以为学生今后从事电子工程相关领域的研究和应用打下坚实的基础。

如果你想要深入了解模拟电路的基本原理和电路设计技术,建议你参加学习通模拟电路基础课程,在学习过程中,你可以逐步掌握模拟电路的设计和实现技术,提高自己的模拟电路设计水平。

中国大学模拟电路基础:从系统级到电路级

模拟电路是电子工程领域中的重要分支之一,主要研究信号的采集、放大、滤波、调制等技术。这门学科涉及的内容非常广泛,从系统级到电路级都有所涉及。

系统级

系统级是模拟电路的最高层次,主要研究模拟信号处理系统的整体设计。该层次的设计需要考虑包括信号的采集、处理、传输、存储在内的所有环节。

在这个层次的设计中,模拟电路工程师必须了解数字信号处理和软件设计的基本原理,同时也需要熟悉嵌入式系统、通信协议等相关知识。

例如,一个音频处理系统可能需要采集外部音频信号,对信号进行放大、滤波、数字转换等处理,最终输出一个高质量的音频信号。在这个系统中,模拟电路工程师需要设计合适的放大电路、滤波电路等模块,同时需要与数字信号处理工程师紧密合作,确保整个系统的稳定性和性能。

电路级

电路级是模拟电路的基本层次,主要研究模拟电路的具体实现。该层次的设计需要考虑电路的稳定性、抗干扰能力、功耗等指标。

在这个层次的设计中,模拟电路工程师需要熟练掌握模拟电路的基本元器件、电路拓扑结构等知识,并能够根据具体需求设计出合适的电路。

例如,一个低噪声放大器的设计可能需要选择合适的放大器管件、电容、电阻等元器件,并采用差分结构、共模反馈等技术来提高电路的性能。

学习建议

想要成为一名优秀的模拟电路工程师,首先需要打好基础。学习过程可以按照以下步骤进行:

  • 学习模拟电路基础理论,了解基本的电路模型、电路元器件、电路拓扑结构等知识。
  • 学习模拟电路设计方法,包括信号放大、滤波、调制等技术,以及常见电路拓扑结构的设计方法。
  • 学习模拟电路仿真工具,例如SPICE、PSPICE等,通过仿真来验证电路设计的正确性。
  • 学习模拟电路实验技能,通过实验来巩固理论知识,同时掌握实际电路设计和调试的方法。

总的来说,模拟电路是一门非常重要的学科,它涉及的领域非常广泛,成为一名优秀的模拟电路工程师需要不断地学习、实践和探索。