mooc模拟电子技术_26章节答案(mooc完整答案)

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第1章常用半导体器件

1.1 本征半导体和杂质半导体随堂测验

1、模拟因为N?电技型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。术章

第1章测验题

1、节答本征半导体是案m案原子排列（）的纯净半导体。
A、整答杂乱
B、模拟整齐
C、电技无序
D、术章定向

2、节答N型半导体是案m案在本征半导体中掺入（）。
A、整答四价元素
B、模拟三价元素
C、电技五价元素
D、术章二价元素

3、P型半导体是在本征半导体中掺入（）。
A、四价元素
B、三价元素
C、五价元素
D、二价元素

4、PN结的单向导电性是指（）。
A、外加电压只能有一个方向
B、外加电压可以有两个方向
C、与外加电压无关
D、外加电压正偏时导通，外加电压反偏时截止

5、PN结正偏是指（）。
A、外加电场与内电场方向相反
B、外加电场与内电场方向相同
C、无外电场
D、外加电压为0

6、PN结反偏是指（）。
A、外加电场与内电场方向相反
B、外加电场与内电场方向相同
C、无外电场
D、外加电压为0

7、半导体器件的温度稳定性较差，主要是因为（）。
A、本征半导体中的自由电子-空穴对的数量受温度的影响
B、N型半导体的自由电子数量受温度的影响
C、P型半导体的空穴数量受温度的影响
D、PN结的尺寸受温度的影响

8、二极管在电路分析中常用的等效模型是（）。
A、理想模型
B、恒压源模型
C、具有内阻的线性模型
D、具有内阻的非线性模型

9、稳压二极管的主要参数是（）。
A、只有稳定电压
B、只有稳定电流
C、稳压电压、稳定电流及额定功率三个主要参数
D、只有额定功率

10、常用硅材料做半导体器件是因为（）。
A、硅的原子序数比锗小
B、硅的导电性能比锗好
C、硅的导电性能受温度影响比锗小
D、硅二极管的导通电压比锗大

11、晶体三极管由（）PN结组成。
A、四个
B、三个
C、一个
D、二个

12、晶体三极管具有电流放大作用，主要是因为（）。
A、发射区具有高掺杂的浓度且基区很薄
B、PN结的单向导电性
C、集结反偏
D、发射结正偏

13、晶体三极管工作在电流放大状态时（）
A、发射结正偏见，集电结正偏
B、发射结正偏，集电结反偏
C、发射结反偏，集结正偏
D、发射结反偏，集电结反偏

14、NPN型晶体三极管工作在放大状态时，三个电极的电位关系是（）。
A、UC<UB<UE
B、UC>UB>UE
C、UB>UC>UE
D、UE>UC>UB

15、PNP型晶体三极管工作在放大状态时，三个电极的电位关系是（）。
A、UC>UB>UE
B、UC<UB<UE
C、UB>UC>UE
D、UE>UC>UB

16、温度升高时，二极管的导通电压（）。
A、增大
B、减小
C、不变
D、变化具有不确定性

17、场效应管分为两大类（）。
A、N沟道型和P沟道型
B、NPN型和PNP型
C、绝缘栅型和结型
D、增强型和耗尽型

18、绝缘栅型场效应管又称为MOS场效应管或简称为MOS管，由于结构上的不同又分（）。
A、N型和P型
B、NPN型和PNP型
C、增强型和耗尽型
D、绝缘栅型和结型

19、场效应管在外电场的作用下，沟道漏极端闭合时称为（）。
A、夹断
B、预夹断
C、截止
D、饱和

20、晶体三极管工作在饱和状态时（）。
A、发射结正偏见，集电结正偏
B、发射结正偏，集电结反偏
C、发射结反偏，集结正偏
D、发射结反偏，集电结反偏

21、自由电子-空穴对在本征半导体中是成对出现的。

22、空穴不是带电粒子。

23、杂质半导体的导电性能是不可以通过掺杂浓度而改变的。

24、本征半导体的自由电子-空穴对与温度无关。

25、在半导体中自由电子与空穴碰撞同时消失称为复合。

26、N型半导体中的多子是空穴。

27、P型半导体中的多子是空穴。

28、杂质半导体主要靠多子导电。

29、杂质半导体中其掺杂浓度远大于本征半导体的载流子浓度。

30、P型半导体带正电，N型半导体带负电。

31、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

32、在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。

33、PN结所加端电压与电流是符合欧姆定律的。

34、稳压二极管是工作在反向击穿区的特殊二极管。

35、稳压二极管可以作一般二极管使用，但一般二极管不能作为稳压二极管使用。

36、稳压二极管可以作一般二极管使用，一般二极管也能作为稳压二极管使用。

37、二极管的工作频率有最大限制，是因为PN结具有电容特性。

38、稳压二极管电路不一定要接限流电阻。

39、三极管具有电流放大作用，二极管也具有电流放大作用。

40、晶体三极管的电流放大关系用数学式表达为:(IE=IB+IC)或近似为(IC=βIB)。

41、晶体三极管放大导通时发射结正偏，集电结反偏见；饱和导通时发射正偏见，集电也正偏。

42、结型场效应管和绝缘栅型场效应管都具有N沟道型和P沟道型，结型场效应管的N沟道与绝缘栅型场效应管的N沟道其沟道结构是相同的

43、场效应三极管具有电流放大作用，所以场效应三极管在电路中也具有电压放大作用

44、晶体三极管在模拟电路中应用较多，场效应三极管在数字电路中应用较多，这主要是因为晶体三极管的电压放大能力比场效应三极管的电压放大能力强，而场效应三极管的开关特性比晶体三极管的开关特性好。

45、场应管在集成电路中应用较多，主要是因为场效应管功耗小、高频特性好、尺寸小。

46、MOS场效应三极管的栅极电流为0，结型场效应三极管的栅极电流不能视为0。

第一章测验题2

1、本征半导体是原子排列（）的纯净半导体。
A、杂乱
B、整齐
C、无序
D、定向

2、N型半导体是在本征半导体中掺入（）。
A、四价元素
B、三价元素
C、五价元素
D、二价元素

3、P型半导体是在本征半导体中掺入（）。
A、四价元素
B、三价元素
C、五价元素
D、二价元素

4、晶体三极管由（）PN结组成。
A、四个
B、三个
C、一个
D、二个

5、NPN型晶体三极管工作在放大状态时，三个电极的电位关系是（）。
A、UC<UB<UE
B、UC>UB>UE
C、UB>UC>UE
D、UE>UC>UB

6、温度升高时，二极管的导通电压（）。
A、增大
B、减小
C、不变
D、变化具有不确定性

7、场效应管分为两大类（）。
A、N沟道型和P沟道型
B、NPN型和PNP型
C、绝缘栅型和结型
D、增强型和耗尽型

8、场效应管在外电场的作用下，沟道漏极端闭合时称为（）。
A、夹断
B、预夹断
C、截止
D、饱和

9、晶体三极管工作在饱和状态时（）。
A、发射结正偏见，集电结正偏
B、发射结正偏，集电结反偏
C、发射结反偏，集结正偏
D、发射结反偏，集电结反偏

10、晶体三极管具有电流放大作用，主要是因为（）。
A、发射区具有高掺杂的浓度且基区很薄
B、PN结的单向导电性
C、集结反偏
D、发射结正偏

11、自由电子-空穴对在本征半导体中是成对出现的。

12、杂质半导体的导电性能是不可以通过掺杂浓度而改变的。

13、在半导体中自由电子与空穴碰撞同时消失称为复合。

14、PN结所加端电压与电流是符合欧姆定律的。

15、二极管的工作频率有最大限制，是因为PN结具有电容特性。

16、晶体三极管的电流放大关系用数学式表达为:(IE=IB+IC)或近似为(IC=βIB)。

17、结型场效应管和绝缘栅型场效应管都具有N沟道型和P沟道型，结型场效应管的N沟道与绝缘栅型场效应管的N沟道其沟道结构是相同的

18、晶体三极管在模拟电路中应用较多，场效应三极管在数字电路中应用较多，这主要是因为晶体三极管的电压放大能力比场效应三极管的电压放大能力强，而场效应三极管的开关特性比晶体三极管的开关特性好。

19、场应管在集成电路中应用较多，主要是因为场效应管功耗小、高频特性好、尺寸小。

20、稳压二极管电路不一定要接限流电阻。

第1章作业题

1、

2、晶体三极管三极电流关系

第2章基本放大电路

第2章测验题

1、放大的特征是（）。
A、电压放大
B、电流放大
C、功率放大
D、频率提高

2、正弦量有几个要素（）。
A、一个
B、二个
C、三个
D、四个

3、放大电路放大倍数的定义是输出量与输入量的比值，则有（）种放大倍数。
A、一
B、二
C、三
D、四

4、电压增益的单位是（）。
A、伏特
B、安培
C、分贝
D、无

5、阻容耦合放大电路中的耦合电容的作用是（）。
A、扩大通频带
B、隔离直流
C、隔离直流，通过交流
D、通过交流

6、共射放大电路的微变等效电路有( )个H参数
A、一
B、二
C、三
D、四

7、共射放大电路的H参数等效电路，其中( )为电流放大倍数。
A、H11
B、H12
C、H21
D、H22

8、分析放大电路静态工作点的稳定性时，主要考虑（）的影响。
A、电源电压
B、偏置电阻
C、负载电阻
D、温度

9、典型的静态工作点稳定电路，起稳定作用的电阻是（）。
A、基极电阻
B、发射极电阻
C、集电极电阻
D、输入电阻

10、共射放大电路最主要的特点是（）。
A、有电压放大
B、有电流放大
C、有功率放大
D、可以同时放大电压和电流

11、在三种基本放大电路中，共射放大电路的输入电阻（）。
A、最大
B、最小
C、一般大
D、无穷大

12、在三种基本放大电路中，共集放大电路的输出电阻（）。
A、最大
B、最小
C、一般大
D、无穷大

13、在三种基本放大电路中，共射放大电路的放大能力（）。
A、最强
B、最弱
C、一般
D、无穷大

14、在模拟电路中，应用最多的基本放大电路是（）。
A、共基电路
B、共射电路
C、共集电路
D、共射电路和共集电路

15、基本放大电路带负载能力最强的是（）
A、共射放大电路
B、共集放大电路
C、共基放大电路
D、共射-共基放大电路

16、基本放大电路中，高频特性最好的电路是（）。
A、共射电路
B、共集电路
C、共基电路
D、共集-共射

17、场效应管共源放大电路的特性最接近晶体三极管（）的特性。
A、共射放大电路
B、共集放大电路
C、共基放大电路
D、共集-共基放大电路

18、场效应管放大电路与晶体三极管放大电路比较其最大的特点是（）。
A、电压放大能力强
B、电流放大能力强
C、带负载能力强
D、输入电阻高

19、两三极管复合成NPN三极管，则（）型。
A、两管都应是NPN型
B、前管一定是NPN型
C、后管一定是NPN型
D、后管一定是PNP型

20、两三极管复合成PNP三极管，则（）型。
A、两管都应是PNP型
B、前管一定是PNP型
C、后管一定是PNP型
D、后管一定是NPN型

21、1、放大的基本要求是输出信号不失真。

22、一般放大电路和功率放大电路的特征是相同的，所以一般放大电路和功率放大电路没有区别。

23、放大电路的输出电阻就是负载电阻。

24、正弦量的三要素是振幅、频率(或角频率)、初相位。

25、对放大信号而言，任何放大电路均可视为二端口网络

26、分析放大电路常常要计算的是电压放大倍数、输出电阻及输入电阻。

27、放大电路的输入电阻与信号源的内阻有关。

28、放大电路的输出电阻与负载电阻有关。

29、放大电路的输出电阻一定与信号源的内阻有关。

30、衡量放大电路对不同信号频率的适用能力的参数称为通频带。

31、当输入电压增大使输出波形刚刚产生失真时的输出电压称为最大不失真输出电压。

32、放大电路直流电源的作用是使放大电路有合适的静态工作点。

33、放大电路有合适的静态工作点就一定能放大输入信号。

34、直流通路用来分析直流信号的放大，交流通路用来分析交流信号的放大。

35、在分析放大电路时，应遵循“先静态，后动态”的原则。

36、分析放大电路的方法有图解法和等效电路法，前者适合分析直流信号，后者适合分析交流信号。

37、交流等效电路(即微变等效电路)适合分析放大电路的动态参数如电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

38、所谓微变等效电路就是用来分析输入电压为微伏量级的电路。

39、三极管的伏安特性是线性的，所以放大电路可等效为线性电路。

40、共射放大电路的输出电阻一般都很小。

41、共集放大电路的输入电阻与负载电阻有关，输出电阻与信号源的内阻有关。

42、共集放大电路没有电压放大能力。

43、共基放大电路没有电流放大能力。

44、一般来说场效应管放大电路的放大功能比晶体三极管放大电路的放大功能强。

45、复合管的特点是提高了电流放大能力。

46、场效应三极管不能组成复合管。

第3章集成运算放大电路

第3章测验题

1、在分立元件的多级放大电路中，常见的耦合方式为（）。
A、直接耦合
B、阻容耦合
C、变压器耦合
D、光电耦合

2、在集成运算放大电路中，级与级之间采用（）。
A、直接耦合
B、阻容耦合
C、变压器耦合
D、光电耦合

3、直接耦合放大电路的特殊问题是（）。
A、不能放大直流信号
B、不能放大交流信号
C、零点漂移
D、共模拟制比小

4、在多级放大电路中抗干扰能力强的耦合方式是（）。
A、直接耦合
B、阻容耦合
C、变压器耦合
D、光电耦合

5、对多级放大电路一般要求输入电阻大，输出电阻小，电压放大倍数较大，而且最大不失真输出电压要（）。
A、小
B、大
C、无穷大
D、无穷小

6、若将集成运放看成为一个“黑盒子”，则可等效为一个（）的差分放大电路。
A、双端输入-双端输出
B、双端输入-单端输出
C、单端输入-单端输出
D、单端输入-双端输出

7、集成运放的主放大级是（）。
A、输入级
B、中间级
C、输出级
D、偏置电路

8、通用型集成运放的开环差模放大倍数高达（）倍。
A、几十
B、几千
C、几万
D、几十万

9、直接耦合产生零点漂移的主要原因是（）。
A、直流电源的波动
B、元件的老化
C、温度的影响
D、电路的不对称

10、集成运算放大电路的输入级一般都采用（）。
A、共射放大电路
B、共集放大电路
C、共基放大电路
D、差分放大电路

11、用恒流源取代长尾式共射差分放大电路的发射极电阻，是为了提高（）。
A、输入电阻
B、差模放大倍数
C、共模拟制比
D、共模放大倍数

12、集成运放中的电流源电路到少由（）个以上的三极管组成。
A、一
B、二
C、三
D、四

13、通用型集成运放一般是一个（）放大电路。
A、两级
B、三级
C、四级
D、五级

14、通用型集成运放适用于放大（）。
A、高频信号
B、低频信号
C、任何频率的信号
D、直流信号

15、集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。
A、便于设计
B、放大交流信号
C、放大直流信号
D、不易制作大容量电容

16、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用（）。
A、共射放大电路
B、共基放大电路
C、共集放大电路
D、共源放大电路

17、阻容耦合放大电路能放大直流信号。

18、直接耦合放大电路能放大直流信号也能放大交流信号。

19、变压器耦合放大电路能放大直流信号。

20、集成运算放大电路是复杂的多级放大电路而且是高性能的多级放大电路。

21、集成运算放大电路的输入级无一例外地都选择差分放大电路。

22、集成运放的共模拟制比越小，共模拟制能力越强。

23、场效应管不能组成差分放大电路。

24、集成运算放大电路的偏置电路都采用电流源电路。

25、场效应管不能组成电流源电路。

26、电流源电路中的基准电流一般都可由相关回路计算出大小。

27、电流源电路在集成运算放大电路中除了为各级提供直流电流还能作有源负载。

28、集成运放的输出级应具有带负载能力强的功能。

29、分析集成运放内部电路时，应先将偏置电路剥离出来。

30、采用多级放大电路的目的只是提高电压放大倍数。

31、直接耦合放大电路只能放大直流信号，阻容耦合放大电路只能放大交流信号。

32、利用分立元件组成和集成运放内部完全相同的电路，则这样的分立元件电路与集成运放具有同样优秀的性能。

33、共射放大电路采用有源负载后放大倍数提高了。

34、共射放大电路采用有源负载后输出电阻减小了。

35、通用型集成运放的各种技术指标适中，价格便宜，所以能用通用型的不用专用型。

36、因为对称性的要求，集成运放只能双电源供电。