mooc2020春季课程模拟电子技术-（高源）期末答案(mooc完整答案)
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第18讲 半导体物理基础随堂测验
1、课程N型半导体的模拟末答自由电子比空穴多,故N型半导体带负电，P型半导体的电技空穴比自由电子多,故P型半导体带正电。
2、术高载流子浓度越大,源期 漂移电流与扩散电流也越大。
第19讲 P--N结随堂测验
1、案m案P--N结正偏时,整答 内外电场迭加时, 使势垒降低, 扩散运动占优势, 形成了较大的正向电流。
2、春季P--N结反偏时,课程 空间电荷区变厚变宽, 故势垒电容变大。
第20讲 晶体二极管特性及参数随堂测验
1、模拟末答理想二极管等效于一个理想开关,电技 正偏导通时相当于短路，反偏截止时相当于开路。术高
第22讲 稳压二极管及其它二极管随堂测验
1、源期稳压二极管的案m案工作区在反向击穿区, 而不是在正向导通区。
2、某稳压二极管的允许功耗为300mW, 稳定电压为6V, 则稳压管最大允许的反向电流为50mA。
第23讲 双极型晶体管工作原理随堂测验
1、晶体管结构特点是：发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。
2、
第24讲 双极型晶体管特性曲线随堂测验
1、晶体三极管放大区的条件是e结正偏、c结反偏,特点是iB对iC的控制能力强, 随着iB增大, 曲线基本平行上升, 其间隔大小表示β值大小。uCE变化对iC影响不大，具有基本的恒流特性。
2、晶体三极管饱和区的条件是e结正偏、c结正偏,特点是iB对iC的 控制能力很弱, β值很小, 甚至趋向于零。
第25讲 双极型晶体管极限参数和工作状态判别举例随堂测验
1、测得三极管三个电极的电压如图所示, 则判断该管属硅NPN管, 且工作在放大区, 其中U1对应的是发射极e, U2对应的是集电极c, U3对应的是基极b。
第26讲 结型场效应管的工作原理和特性参数随堂测验
1、
第27讲 MOS场效应管的工作原理和特性参数随堂测验
1、有关场效应管，以下说法错误的是（ ）
A、场效应管主要靠导电沟道中的多数载流子实现导电
B、在恒流区，漏极电流基本不受漏源极电压的控制
C、在恒流区，场效应管的漏极电流和栅源极电压之间是平方率关系
D、发生预夹断后，场效应管的漏极电流因为沟道被部分夹断而会减小
第28讲 各类场效应管对比，双极型三极管与场效应管对比随堂测验
1、
A、N沟道JFET
B、P沟道JFET
C、N沟道增强型MOSFET
D、P沟道耗尽型MOSFET
第29讲 双极型三极管和场效应管的低频小信号模型随堂测验
1、降低工作点电流和提高β值可以增大管子的输入电阻rbe 。
2、rce 和 rds 分别表示晶体管和场效应管的输出电阻，他们的计算公式均为 厄尔利电压UA/工作点电流ICQ(IDQ)。
常用半导体器件原理、特性及参数
1、N 型半导体是在本征半导体内掺入
A、三价元素, 如硼等
B、四价元素, 如锗等
C、五价元素, 如磷等
D、二价元素
2、双极型晶体三极管工作在放大区的条件是
A、e结正偏, c结正偏
B、e结反偏, c结正偏
C、e结正偏, c结反偏
D、e结反偏, c结反偏
3、测得工作在放大区的双极型晶体三极管各极电压如图所示,则该管的类型以 及各管脚为
A、锗管, U1对应为基极b, U2对应为发射极e, U3对应为集电极c
B、锗管, U3对应为基极b, U2对应为发射极e, U1对应为集电极c
C、硅管, U3对应为基极b, U1对应为发射极e, U2对应为集电极c
D、硅管, U1对应为基极b, U2对应为发射极e, U3对应为集电极c
4、测得工作在放大区的双极型晶体三极管各极电流如图所示,则该管的类型、各管脚电流以及β值为
A、NPN管
B、PNP管
C、PNP管
D、NPN管
5、某管特性曲线如下图所示, 则该为
A、P沟道增强型MOS场效应管
B、N沟道结型场效应管
C、N沟道耗尽型MOS场效应管
D、N沟道增强型MOS场效应管
6、N 型半导体多数载流子是自由电子, P型半导体多数载流子是空穴
7、漂移电流与电场强度成正比
8、扩散电流与载流子浓度梯度成正比
9、二极管电路如下图，当E=4V, 电流表指示I=3.35mA, 则可判断该二极管为硅管
10、本征半导体温度升高后自由电子和空穴浓度增大, 但二者仍然相等
11、施主电离产生等量的自由电子和正离子, 受主电离产生等量的空穴和负离子
12、二极管特性符合指数特性, 并存在一定的死区电压.硅约为0.5-0.7V, 锗约为0.2--0.3V
13、二极管所加正向电压增大时, 其动态电阻增大
14、只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用
15、二极管最重要的特性是单向导电性,在整流、限幅、电平选择、开关等应用中,一定要保证不能反向击穿
16、PN结加正向偏压时, 其耗尽层变厚, 加反向偏压时, 其耗尽层变薄
17、温度上升会使二极管反向饱和电流增大, 死区电压变小。 硅管的温度稳定性比锗管好
18、稳压管电路如下图, 若Ui=20V, RL=250Ω, 稳压管击穿电压UZ=10V, 限流电阻R=100Ω, 则稳压管流过的工作电流为60mA
19、理想二极管的正向导通电阻为零, 反向截止阻抗为无穷大
20、双极型晶体三极管的集电极电流与发射结电压成指数关系
21、场效应管的漏极电流与栅源之间的电压成平方率关系
22、双极型晶体三极管的集电极与发射极可以互换使用
23、结型场效应管的漏极与源极可互换使用
24、场效应管的栅流趋于零, 输入电阻趋于旡穷大
25、无论在放大区或饱和区, 集电极电流总随着基极电流增大而增大
26、场效应管的跨导gm表示栅源电压对漏极电流的控制能力
27、在相同工艺和外加电压情况下, MOS场效应管的尺寸越大(即宽长比W/L越大),漏极电流将越大, 跨导gm也越大
28、MOS场效应管的导电沟道是平行于器件表面的,且是多数载流子的漂移电流,故温度稳定性较好,抗辐射能力较强
第二章-第一次作业
1、常见半导体材料有哪几种？
2、本征半导体中的载流子有哪几种？
3、N型半导体和P型半导体的多子与少子分别是什么？
4、简述PN结的形成过程
5、计算题--详见附件pdf文档
第二章-第二次作业-学完23、24讲完成
1、简述放大状态下载流子传输过程，并尝试说明晶体管放大作用的关键是什么
2、简述晶体管工作在放大区、饱和区和截止区时，晶体管发射结与集电结的工作状态
3、计算题2道，参见附件
第二章-第三次作业-学完25-28讲完成
1、计算题
第三章：双极型晶体管和场效应管放大器基础
第31讲 典型放大电路结构特点, 三种阻态放大器电路随堂测验
1、放大器待放大信号必须要加到基极和发射极回路, 因为发射结电压对集电极电流有很强的控制能力
2、三种组态电路结构的不同点在于信号的输入、输出回路的不同
第32讲 放大器的偏置电路和直流工作点的判断随堂测验
1、晶体管电流方程为指数特性, 即使电流变化很大, 结电压UBEQ却变化很小, 故算直流工作点时, UBEQ可用一估算值来代替, 一般硅管为0.7V, 锗管为0.3V
2、电路如下图, 则该电路为分压式--电流负反馈偏置电路
3、上图中, 若计算得UcEQ=5V, 则该管工作在放大区, 若计算得UcEQ=0.3V, 或为负值, 则该管工作在饱和区
第33讲 共射放大器性能分析随堂测验
1、共射放大器放大倍数与集电极交流负载电阻(RC//RL)成正比
2、共射放大器放大倍数与β值成正比
3、共射放大器放大倍数大小与工作点电流ICQ无关
第34讲 带电流负反馈的共射放大器性能分析随堂测验
1、电路如下图所示, 则放大倍数为
A、
B、
C、
D、
第35讲 共集放大器性能分析随堂测验
1、共集放大器输出电压太小与输入信号差不多, 而且相位相同, 所以共集放大器又称射极跟随器
2、在共集放大器中, 将发射极电阻拆合到基极去要乘以(1+β), 反之, 将基极电阻拆合到发射极去要除以(1+β)。原因是发射极电流是基极的(1+β)倍
第36讲 共基放大器性能分析及三种组态性能对比随堂测验
1、三种组态放大器中, 唯有共射放大器的输出信号与输入信号相位相反, 共集和共基放大器的输出与输入信号是同相的
2、三种组态放大器中,共集的输出电阻最小, 带负载能力最强
第37讲 场效应管放大器偏置电路及共源放大器分析随堂测验
1、自偏压仅适合于结型和耗尽型MOS场效应管放大器电路
第38讲 共漏放大器和共栅放大器分析随堂测验
1、因为场效应管本身输入电阻为无穷大, 所以场效应管放大器的输入电阻完全取决于偏置电路的电阻
2、漏放大器的输出电阻
第39讲 放大器图解分析法----静态分析随堂测验
1、电路如下图(a)所示, RC增大,则直流负载线将向倒, 工作点向饱和区移动, 如图(b)所示
第40讲 放大器图解分析法---动态分析随堂测验
1、工作点太高, 容易产生截止失真; 工作点太低, 容易产生饱和失真
第41讲 多级放大器分析随堂测验
1、共射放大器一般作为多级放大器的主放大器
2、直接耦合放大器也称直流放大器，它只能放大直流信号
3、在直接耦合放大器中, 计算直流工作点和各项指标时，必须考虑前后级的相互影响
第42讲 赵老师小结----共射、共集、共基放大器分析与对比随堂测验
1、有关晶体管基本放大器，以下说法错误的是（ ）
A、电压放大倍数和输入电阻可能和负载电阻有关
B、输出电阻可能和信号源内阻有关，和负载电阻无关
C、输入电压从基极引入时，集电极的输出电压反相，发射极的输出电压同相
D、共集电极放大器电压放大倍数很小，不能有效放大交流信号的功率
2、带负反馈的共发射极放大器如图所示，晶体管的rbe = 2 kW，b = 100。电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻是（ ）
A、Au = - 0.49，Ri = 20.3 kW，Ro = 10 kW
B、Au = - 250，Ri = 20.8 kW，Ro = 10 kW
C、Au = - 0.49，Ri = 2 kW，Ro = 5 kW
D、Au = -250，Ri = 20.8 kW，Ro = 5 kW
第43讲 赵老师小结----多级放大器分析随堂测验
1、有关多级放大器，以下说法正确的是（ ）
A、多级放大器的级数越多，性能越好
B、放大器一般采用共发射极放大器
C、场效应管放大器都可以作为输入级放大器
D、输出级放大器的输出电阻小，可以获得稳定的输出电流
双极型晶体管和场效应管放大器
1、放大电路如下图如示, 则该放大器增益近似等于
A、
B、
C、
D、
2、放大电路如下图如示, 则该放大器增益等于
A、
B、
C、
D、
3、放大电路如下图如示, 则该放大器输入电阻为
A、
B、
C、
D、
4、放大电路如下图如示, Rc增大, 则
A、电压放大倍数增大;
B、输出电阻增大;
C、输入电阻增大;
D、工作点电流不变。
5、放大电路如下图所示，RB增大, 则
A、电压放大倍数减小;
B、输出电阻增大;
C、输入电阻增大;
D、工作点电流减小。
6、晶体管放大器待放大信号一定要加到发射极或基极,不能加到集电极。
7、共射、共集、共基三种组态电路中, 输入、输出信号同相的是共集与共基，反相的是共射。
8、放大电路如下图如示, 该电路不能正常放大, 因为缺Rc, 输出交流电压信号恒等于零。
9、放大电路如下图如示, 该电路不能正常放大, 因为两个电路发射结均无正偏压, 管子工作在截止状态。
10、放大电路如下图如示, 该电路不能正常放大, 因为没有RB, 发射结偏压太大,管子要烧坏, 而且基极交流接地, 信号加不进来。
11、放大电路如下图如示, 该电路不能正常放大, 因为PNP管发射结被反偏, 管子截止。
12、共射、共集、共基三种组态电路中, 输入电阻最大, 输出电阻最小的是共集电极放大器。
13、共射、共集、共基三种组态电路中, 带负载能力最强的是共射放大器。
14、共射、共集、共基三种组态电路中, 输入电阻最小的是共基极放大器。
15、所有场效应管放大器都可以采用自偏压做为偏置电路。
16、由于场效应管本身输入电阻为无穷大, 所以场效应管放大器的输入电阻主要由偏置电路的电阻决定。
17、放大电路如下图如示, 则该放大器增益等于
18、放大电路如下图如示, 则该放大器增益等于
19、放大电路如下图如示, 则该放大器输出电阻为
20、放大电路如下图如示, 该电路从集电极输出为共射放大器,增益输出电阻。该电路从发射极输出为共集电极放大器, 增益输出电阻
21、放大电路及其交直流负载线如下图如示, 由图可见该电路的参数如下：
22、放大电路如下图如示, 其输出电压波形出现如图的畸变, 则该电路产生了截止失真。
23、放大电路如下图如示, 其输出电压波形出现如图的畸变, 为消除失真, 工作点应该上移, RB应该减小。
24、放大电路如图(a)如示, 若负载RL变为50Ω, 为了不使放大倍数下降太多, 必须加共集电路隔离，如图(b)如示。
25、多级放大器常用共发射极放大器作为主放大器。
26、直接耦合放大器在计算直流工作点和电压放大倍数时, 均要考虑前后级的相互影响。
3.24作业
1、计算题
3.31作业
1、计算题
4.7作业
1、计算题
第四章：频率响应
第58讲 话说“频率响应”（1.A）---频率响应概念随堂测验
1、上限频率fH定义是当频率升高时, 放大器放大倍数绝对值下降到中频区的0.707倍所对应的频率, 上限频率点也称-3dB点, 或半功率点。( )
2、线性失真是由于电路中存在电抗元件而改变信号各频率分量的大小比例关系或相对相位关系而引入的失真。( )
第59讲 话说“频率响应”（1.B）---波特图随堂测验
1、波特图是一种快速而近似的频率特性绘制方法, 振幅频率特性波特图的横轴是以对数标定的频率轴, 纵轴是以dB标定的增益绝对值轴。( )
第60讲 话说“频率响应” （2）---共射放大器高频响应分析随堂测验
1、
2、集电极电阻Rc减小, 密勒电容CM将减小, 输入回路时常数减小, 同时Rc减小, 输出电阻减小, 使输出回路时常数减小, 这两项都有利于上限频率提高, 频带展宽, 所以宽带放大器的Rc取值都较小, 一般为几百欧姆。( )
第61讲 话说“频率响应” （3）---共集和共基放大器高频响应分析随堂测验
1、
2、共集放大器做为多级放大器输入级的好处是其输入电阻很大, 输出电阻很小, 可减小信号源内阻Rs对增益和频率响应的影响, 共集放大器做为多级放大器输出级的好处是其输出电阻很小,能减小负载电容CL对频率响应的影响, 有利于整机上限频率的提高。( )
第62讲 话说“频率响应” （4）---场效应管放大器高频响应分析及放大器低频响应分析随堂测验
1、
2、在阻容耦合放大器中, 耦合电容C1、C2、旁路电容CE越大, 下限频率越低, 失真越小。( )
3、直接耦合放大器的下限频率fL=0, 不存在低频失真问题。( )
第63讲 话说“频率响应” （5）---多级放大器频率响应及建立时间与上限频率的关系随堂测验
1、多级放大器上限频率比所有单级上限频率都要低, 多级放大器下限频率比所有单级下限频率都要高。( )
2、多级放大器上限频率主要取决于上限频率最低的那一级, 该级称之为”主极点”级。( )
频率响应
1、某音频放大器高、低频截止频率分别为,中频放大倍数, 输出不失真动态范围, 输入信号为,则会：
A、产生线性失真;
B、产生非线性失真;
C、同时产生线性失真和非线性失真;
D、仅产生幅频失真, 不产生相频失真。
2、共射放大器电路如图所示, 增大集电极电阻RC, 则
A、放大倍数增大
B、上限频率下降
C、输出电阻增大
D、工作点电流减小
3、共射放大器电路如上图所示, 去掉电容C3, 则
A、工作点降低
B、输入电阻增大
C、增益减小
D、频带展宽
4、某放大器上限频率, 输入信号,则会产生频率失真和相位失真。
5、某音频放大器高、低频截止频率分别为 输入信号为, 则会产生频率失真和相位失真。
6、某晶体管 则特征频率
7、共集电路由于输出电阻特别小, 所以呈受容性负载能力最強, 且负载电容引入的上限频率。
8、共射与共基放大器电路如下图, 由于输出电路相同, 故由负载电容引入的上限频率相同, 且
9、共射与共基放大器电路如上图所示, 由于共基不存在密勒电容倍增效应, 且输入电阻极小, 所以共基高频特性远优于共射。
10、共射电路如上图, C1引入的下限频率。若C3开路, 则
11、共射电路如上图, C2引入的下限频率
12、多级放大器的上限频率比其中的任何一级的上限频率都要高。
13、多级放大器的下限频率比其中的任何一级的下限频率都要低。
14、多级放大器中, 有一级的上限频率比其它各级都低, 则多级放大器总的上限频率基本上由该级决定, 称该级为主极点级。
15、如果负载电容大, 则需加射随器隔离(即采用共射--共集级联), 有助于总频带展宽。
第五章：集成运算放大器内部电路简介
第48讲 集成运放特点及恒流源电路（A）随堂测验
1、
A、0.5mA
B、0.25mA
C、≈0.2mA
D、≈0.8mA
第49讲 集成运放特点及恒流源电路（B）随堂测验
1、
第50讲 长尾式差分放大器（1A）随堂测验
1、
第51讲 长尾式差分放大器（1B）随堂测验
1、差模增益、共模增益及共模抑制比等指标与单端输入或是双端输入无关, 但与输出信号是单端或是双端有关。 ( )
2、共模抑制比定义为差模增益和共模增益之比, 或 KCMR=20Log(Aud/Auc)(dB)
第52讲 带恒流源差分放大器及CMOS差分放大器随堂测验
1、将RE用恒流源代替, 可提高对共模信号的抑制能力, 对差模增益没有影响。
第53讲 差分放大器传输特性随堂测验
1、
A、一对等值反相的正弦波
B、一对等值反相的方波
C、一对等值同相的正弦波
D、一对含有直流分量的等值反相的方波
第54讲 话说“有源负载”随堂测验
1、下图是一个用镜像电流源做负载的CMOS有源负载差分放大器电路, 虽为单端输出, 但与电阻负载差分放大器的双端输出性能相同, 即差模增益为单端输出的两倍, 共模增益为零, 共模抑制比为无穷大。
第55讲 集成运放输出级及典型内部电路举例随堂测验
1、下图中, 二极管及V4、R1、R2组成的电路都是为了克服交越失真, 它们呈现的交流电阻都很小, 所以加到输出管V1、V2基极的交流信号电压可视为相等。
第56讲 集成运放主要参数及应用注意事项随堂测验
1、
集成运算放大器内部电路简介
1、在差分放大器中,用恒流源取代发射极电阻RE能够使( )
A、差模放大倍数增大
B、工作点稳定
C、共模抑制比提高
D、共模增益增大
2、电路如下图所示, 其基准电流Ir和输出恒流电流IC2分别等于( )
A、
B、
C、
D、
3、镜像电流源电路如下图所示, 其中V5管的作用是( )
A、
B、增加电流源的输出电阻
C、增加电流源的增益
D、增加电流源的输出电流
4、差分放大器电路如下图所示, 则集电极输出直流电平为( )
A、
B、
C、
D、
5、差分放大器电路如上图所示, 其单端输出差模增益和双端输出共模增益分别为 ( )
A、
B、
C、
D、
6、差分放大器电路如图所示,则双端输出差模增益、双端输出共模增益、双端输出直流电压分别为( )
A、
B、
C、
D、
7、集成运放是在一微小硅片上通过复杂工艺实现的高增益直接耦合放大器。
8、直接耦合放大器只能放大直流信号, 不能放大交流信号。
9、用恒流源做有源负载代替电阻负载的目的是增大单级电压增益和节省硅片面积。
10、差分放大器具有相减功能, 故可放大差模信号, 抑制共模信号。
11、在差分放大器中, 凡两边输入等值同相的信号统称为共模信号, 温度漂移、电源电压变化, 管子老化等对差分放大器的影响均可等效为共模信号。
12、在差分放大器中, 差模信号是两边输入信号之差, 共模信号是两边输入信号之和。
13、单端输出差分放大器是靠射极共模负反馈电阻RE来提高共模抑制比的。
14、双端输出差分放大器是靠电路对称性和射极共模负反馈电阻RE共同来提高共模抑制比的。
15、
16、
17、带恒流源的差分放大器电路如图所示, 恒流源I的大小只对直流工作点有影响, 对差模增益没有影响( )
18、如图加入电阻R是为了展宽差分放大器的输入动态范围, 同时会减小差模增益, 增大输入电阻,( )
19、场效应管差分放大器电路如下图所示, 已知跨导为gm=8mA/V, 则单端输出差模增益和双端输出差模增益分别为
20、场效应管差分放大器电路如上图所示, 若要求, 则基准偏置电阻Rr, V1、V2漏极对地直流电压UD1Q：双端输出直流电压UOQ分别为：
21、运放输出级电路如下图所示, 图中二极管VD1、VD2以及V4都是为了克服交越失真的。
22、压摆率SR的定义为, 它标致着运放工作速度的快慢
第六章：放大器中的反馈
第65讲 反馈概念及负反馈方程随堂测验
1、负反馈条件下, 净输入, 正反馈条件下, 净输入。
第68讲 负反馈对放大器性能的改善(A)随堂测验
1、信号含有的噪声干扰或非线性失真, 用负反馈都能得到改善。
2、反馈深度越大, 性能攺善程度也越大。
第69讲 负反馈对放大器性能的改善(B)随堂测验
1、电压负反馈取样的是输出电压, 所以稳定了输出电压, 电流负反馈取样的是输出电流, 所以稳定了输出电流。
2、电流负反馈稳定了输出电流, 即展宽了输出电流的带宽, 但对攺善电压增益的高频响应没有多大好处。
第72讲 如何正确引入反馈?随堂测验
1、要求提高输入电阻, 同时展宽输出电压频带, 应引入串联电压负反馈。
2、要求提高输入电阻, 同时展宽输入、输出电压动态范围, 应引入串联电压负反馈或串联电流负反馈。
放大器中的反馈
1、电路如下图所示,该电路两级间引进了
A、串联电流负反馈
B、并联电流负反馈
C、并联电压负反馈
D、串联电压负反馈
2、电路如下图所示,该电路引进了
A、串联电流负反馈
B、串联电压正反馈
C、并联电压负反馈
D、串联电压负反馈
3、电路如下图所示,该电路引进了
A、串联电流负反馈
B、串联电压正反馈
C、并联电压负反馈
D、串联电压负反馈
4、电路如下图所示,该电路引进了
A、串联电流负反馈
B、串联电压正反馈
C、并联电压负反馈
D、串联电压负反馈
5、电路如下图所示,该电路引进了
A、串联电流负反馈
B、串联电压正反馈
C、并联电压负反馈
D、串联电压负反馈
6、电路如下图所示,该电路引进了
A、串联电流负反馈
B、串联电压正反馈
C、并联电压负反馈
D、串联电压负反馈
7、电路如上图所示,该电路闭环电压增益
A、
B、
C、
D、
8、电路如下图所示,该电路引进了
A、串联电流负反馈
B、串联电压负反馈
C、并联电压负反馈
D、并联电流负反馈
9、电路如上图所示,如果信号从V4射级输出，则电路闭环电压增益
A、
B、
C、
D、
10、若要增大放大器输入电阻, 应引入的反馈是
A、串联电流负反馈
B、串联电压负反馈
C、并联电压负反馈
D、并联电流负反馈
11、若要展宽放大器的频带, 可引入的反馈是
A、串联电流负反馈
B、串联电压负反馈
C、并联电压负反馈
D、并联电流负反馈
12、放大器电路及运放开环特性如下图所示, 其中R2=999kΩ, R1=1kΩ, 则有：
A、闭环增益
B、电路能稳定工作，相位裕度为45度
C、闭环宽度
D、闭环增益
13、在负反馈放大器中，闭环放大倍数与开环放大倍数以及反馈系数 三者关系符合负反馈方程
14、深反馈条件下,
15、电路如下图所示，图中RS既引进了直流负反馈, 又引进了交流负反馈, 而RS1仅引进了直流负反馈。
16、电路如下图所示，信号从?端输出, RE引进了串联电流负反馈, 而信号从?端输出,则 RE引进了%串联电压负反馈。
17、共集电路是引进%串联电压负反馈电路, 所以其放大倍数减小,放大倍数稳定度提高, 输入电阻很大,输出电阻很小,频带很宽,输入动态范围大。
18、电路如下图所示, 第一级和第二级均引进了串联电流负反馈, 两级之间无反馈。
19、电路如下图所示,这是一个共射--共基级联电路, 其中R4引进了第一级的串联电流负反馈, R5引进了第二级的串联电流负反馈。
20、电路如下图所示,该电路没有引进任何交流负反馈
21、电路如下图所示,若要求增大输入电阻,减小输出电阻,展宽频带,减小非线性失真,则要引入串联电压负反馈,如图虚线所示
