中国大学电子电路基础_1期末答案(慕课2023课后作业答案)
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第一周单元测验
1、大学电电以下不属于半导体独特性质的础期是_______。
A、末答掺杂特性
B、案慕案热敏特性
C、课课光敏特性
D、后作热胀冷缩
2、业答设室温情况下某二极管已经正向导通，中国则当其正偏电压增加100mV时，大学电电正偏电流的础期变化是______。
A、末答增加100%
B、案慕案基本不发生变化
C、课课远大于原值
D、后作远小于原值
3、设室温情况下某二极管的反偏电压绝对值为1V，则当其反偏电压值减少100mV时，反向电流的变化是______。
A、远大于原值
B、远小于原值
C、变为0
D、基本不发生变化
4、魔电部分无法使用以前电路分析学的知识。
5、不管温度有多高，本征半导体中自由电子的浓度等于空穴的浓度。
6、N型半导体对外呈现出带有负电荷的特性，P型半导体则正好相反。
7、正常情况下，稳压二极管和变容二极管都必须工作在反偏状态 。
8、二极管模型有很多种，其中交流小信号模型最符合实际情况，故而应用范围也最广。
9、.在P型半导体中：多子是______，少子是______（空穴、自由电子）；在室温下，当温度升高时，空穴的浓度将会______（升高、降低、近似不变），自由电子的浓度将会______（升高、降低、近似不变）。
10、温度每增加10摄氏度，硅或锗二极管的反向饱和电流约增为原来的______倍
11、二极管的伏安特性曲线可以被分为三个工作区域，分别为正向工作区、反向工作区和______。
第一周仿真作业
1、本周仿真作业为二极管特性曲线仿真。要求： 1.从元器件库中自选两个二极管，分别仿真其伏安特性曲线。 2.对比这两个伏安特性曲线，寻找其差别。 3.将仿真电路图及结果截图，合并成一张图片，并对仿真结果进行简单分析。 4.上传该图片
半导体基础知识及二极管电路（二）
第二周单元测验
1、二极管正向导通时的交流电阻表达式如下______。
A、
B、
C、
D、
2、如图所示电路中，若二极管采用恒压降模型( 伏），且输入均值为零、振幅为10V的正弦波，则输出信号的波形最有可能为______。
A、
B、
C、
D、
3、二极管的反向电流大小主要决定于少子浓度。
4、半波整流电路只能在输入信号的正半周或负半周时有输出。
5、整流电路与稳压电路均使用了二极管的开关特性来实现电路功能。
6、由于全波整流电路同时利用了输入正弦波信号的正半周和负半周，故其输出信号的均值为0。
7、若二极管的工作点电流增大，则其静态电阻值将变______。
第二周仿真作业
1、仿真如下电路图。要求： 1.可自行在元器件库中任选一个二极管模型，无需修改其参数。 2.分析电路的直流传输特性并说明二极管工作状态的变化。 3.设输入信号是均值为1V、振幅为4V、频率为1kHz的正弦波，仿真输出信号的波形。 4.设输入信号是电压最大值6V、最小值0V、周期1ms、上升时间0.5ms的三角波，仿真输出信号的波形
双极型晶体管及其放大电路（一）
第三周单元测验
1、设有一PNP型三极管的发射结正偏、集电结正偏，则关于各极电位描述中正确的是_______。
A、集电极电位最低
B、基极电位最低
C、发射极电位最低
D、根据具体情况而定
2、PNP型晶体管工作在饱和区时______。
A、发射结正偏，集电结反偏
B、发射结反偏，集电结正偏
C、发射结正偏，集电结正偏
D、发射结反偏，集电结反偏
3、厄尔利（Early）电压反映的是晶体管的______。
A、温度效应
B、击穿特性
C、放大能力
D、基区调宽效应
4、 。
A、
B、
C、
D、
5、给放大电路设置合适直流工作点的目的是___C___。
A、使得输入信号能够有效的送给晶体管
B、使得输出信号能够有效的送给负载
C、保证晶体管始终工作在放大区
D、早期晶体管工艺不成熟时的方法，目前已可不用这种方法
6、在下图的四个电路形式中，能正常完成对交流输入信号放大的电路是______。
A、
B、
C、
D、
7、通常的晶体三极管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
8、某器件的电流、电压关系如图所示，则可以用（室温）)计算Q点处的交流电阻。
9、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
10、所谓晶体管的工作状态是指其输入回路与输出回路共用的是哪个电极，如共集电极（CC）、共基极（CB）、共发射极（CE）
11、在放大区内，共发射极输出特性曲线基本水平略有上翘，说明此时输出电压变化时，输出电流基本不变。
12、由于晶体三极管可以被看做为两个背靠背的PN构成，因此温度变化所产生的影响可以相互抵消，故温度变化对晶体三极管的参数基本没有影响。
13、放大电路能够将输入的微小信号无失真放大后输出，体现了“永动机”的特点。
14、晶体管放大电路只能放大正弦信号。
15、特征频率是随频率的升高，=________时对应的频率。
第三周仿真作业
1、三极管特性曲线仿真。要求： 1.从元器件库中分别选择一个NPN、一个PNP管，仿真其伏安特性曲线。 2.对比这两个伏安特性曲线，寻找其差别。
双极型晶体管及其放大电路（二）
第四周单元测验
1、放大电路如图所示。电路中的各电容呈交流短路，则关于该电路交流通路的描述中正确的是_________。
A、R1与R2并联
B、R2与R3并联
C、R3与RL串联
D、R1与R2串联
2、使用等效电路法可以得出放大电路的如下参数_____________。
A、电压增益
B、最大输出电压
C、最大输出功率
D、电路的工作效率
3、设有下图所示放大电路，则直流分析时，C1的处理方式为_________________。
A、开路
B、短路
C、保留
D、随机处理
4、图29所示放大电路中，直流分析时C2的处理方式为______________________。
A、开路
B、短路
C、保留
D、随机处理
5、图29所示放大电路中，直流分析时Ce的处理方式为______________________。
A、开路
B、短路
C、保留
D、随机处理
6、图29所示放大电路中，直流分析时的处理方式为______________________。
A、开路
B、短路
C、保留
D、随机处理
7、图29所示放大电路中，直流分析时的处理方式为______________________。
A、开路
B、短路
C、保留
D、随机处理
8、图29所示放大电路中，直流分析时的处理方式为______________________。
A、开路
B、短路
C、保留
D、随机处理
9、图29所示放大电路中，直流分析时的处理方式为______________________。
A、开路
B、短路
C、保留
D、随机处理
10、图29所示放大电路中，直流分析时的处理方式为______________________。
A、开路
B、短路
C、保留
D、随机处理
11、图29所示放大电路中，在中频段做交流分析时，C1通常的处理方式为______________________。
A、开路
B、短路
C、保留
D、随机处理
12、图29所示放大电路中，在中频段做交流分析时，C2通常的处理方式为______________________。
A、开路
B、短路
C、保留
D、随机处理
13、图29所示放大电路中，在中频段做交流分析时，Ce通常的处理方式为______________________。
A、开路
B、短路
C、保留
D、随机处理
14、图29所示放大电路中，在中频段做交流分析时，通常的处理方式为______________________。
A、开路
B、短路
C、保留
D、随机处理
15、图29所示放大电路中，在中频段做交流分析时，通常的处理方式为______________________。
A、开路
B、短路
C、保留
D、随机处理
16、图29所示放大电路中，在中频段做交流分析时，通常的处理方式为______________________。
A、开路
B、短路
C、保留
D、随机处理
17、图29所示放大电路中，在中频段做交流分析时，通常的处理方式为______________________。
A、开路
B、短路
C、保留
D、随机处理
18、图29所示放大电路中，在中频段做交流分析时，通常的处理方式为______________________。
A、开路
B、短路
C、保留
D、随机处理
19、图29所示放大电路中，在中频段做交流分析时，和的连接关系是______________________。
A、串联
B、并联
C、条件不全，无法判断
D、随机处理
20、在下图所示的电路中， ，则该电路工作于___________状态。
A、放大
B、截止
C、饱和
D、倒置
21、题46所示电路中，若忽略晶体管的饱和压降，可近似认为此时的=______________V
A、0
B、4
C、8
D、12
22、题46所示电路中，若忽略晶体管的饱和压降，可近似认为此时的_____________mA
A、0
B、1
C、2
D、3
23、混合模型适用于处理工作于_________________状态下的晶体管。
A、倒置
B、饱和
C、截止
D、放大
24、混合模型适用于处理电路中的_______________。
A、交流小信号
B、直流工作点
C、全值信号
D、以上均可
25、放大电路如下图所示，且，晶体管的，，则其电路增益
A、100
B、-100
C、200
D、-200
26、放大电路及参数如题51所示，则其从电容C1右侧看过去的输入电阻___________________
A、
B、
C、
D、
27、放大电路及参数如题51所示，则其输出电阻
A、
B、
C、
D、
28、放大电路及参数如题51所示，且信号源内阻，则其源电压增益_______________
A、-66.7
B、-100
C、66.7
D、100
29、在交流分析时，当输入正弦信号为负半周时，总的输入信号也是负值
30、在分析一个完整的放大电路时，通常应该采用先直流后交流的方法
31、当放大电路的输入信号为电流源形式时，放大电路的输出必须也采用电流源形式，以便进行分析
32、饱和失真和截止失真都是非线性失真
33、可以通过减小输入信号的幅度来减小甚至消除饱和失真和截止失真
34、交流负载线和直流负载线分别应用不同的场合，不可混用
35、大部分情况下，交流负载线斜率的绝对值要大于直流负载线斜率的绝对值
36、直流负载线和交流负载线都经过Q点
37、晶体管特性的变化不会对直流负载线产生影响
38、如图所示为晶体管的混合等效模型，则其中是描述基区宽度调制效应的输出电阻
39、问题10的模型图中，两个电容分别描述了两个PN结的等效电容
40、问题10的模型图中，用于描述基区体电阻
41、问题10的模型图中，受控电流源描述了发射结电压对集电极电流的控制
42、由于PNP管放大状态下的电压极性、电流流向与NPN管相反，故其小信号模型也存在相应的区别
43、在中频和低频时，问题10的模型图中的电容可以被视为开路处理
44、由于问题10的模型图中的参数分别描述了器件内部不同的物理现象，故命名为混合等效模型
45、问题10中的晶体管混合等效模型只能应用于共发射极放大电路的分析
46、图中(a)为单管共射放大电路，晶体管的输出特性曲线和直、交流负载线如图(b)所示，可以看出，A、B两根线中，线_________________为直流负载线（本空填写一个大写字母即可）
47、问题18的A、B两根线中，线_________________为交流负载线（本空填写一个大写字母即可）
48、问题18的图中，电压电压的值为________________V（本空填写一个整数即可）
49、问题18的图中，静态集电极电流的值为________________mA（本空填写一个整数即可）
50、问题18的图中，静态管压降的值为________________V（本空填写一个整数即可）
51、问题18的图中，集电极电阻的值为________________（本空填写一个整数即可）
52、问题18的图中，晶体管的共发射极电流增益的值为________________（本空填写一个整数即可）
53、问题18的图中，放大电路的最大不失真输出正弦电压峰值约为________________V（本空填写一个整数即可）
54、问题18的图中，若欲使放大电路不失真且忽略、，则基极正弦电流的最大幅值应小于_____________（本空填写一个整数即可）
第四周仿真作业
1、下图所示放大电路中存在错误，所以无法有效放大输入信号（设图中各电容C均为10微法）。请： 1.找出错误所在，并提出修改方案。 2.自选器件及元器件参数，使用仿真验证所提出的修改方案。
双极型晶体管及其放大电路（三）
第五周单元测验
1、在下图所示的电路中，假设晶体管的和 均为已知量，忽略基区宽度调制效应，各耦合电容视为交流短路。则电压增益
A、
B、
C、
D、
2、题1所示电路中，电压增益
A、
B、
C、
D、
3、题1所示电路中，输出电阻
A、
B、
C、
D、
4、题1所示电路中，输出电阻
A、
B、
C、
D、
5、以下关于放大电路输入电阻的描述中正确的是
A、放大电路的输入电阻与负载值始终无关
B、若信号源为电压源，则放大电路的输入电阻越大越好
C、三种基本组态中，共基极放大电路的输入电阻最大
D、可直接以直流工作点的电流电压值来计算输入电阻
6、以下关于放大电路输出电阻的描述中正确的是
A、放大电路的输出电阻与信号源内阻大小始终无关
B、负载电阻越大，输出电阻越大
C、若放大电路采用电流源形式输出，则输出电阻越大越好
D、三种基本组态中，共集电极放大电路的输出电阻最大
7、当双极型晶体管处于放大状态时，其集电极输出电阻呈现如下特征
A、若忽略基区调宽效应，集电极交流电阻可视为无穷大
B、集电极交流电阻近似为零
C、若忽略基区调宽效应，集电极直流电阻可视为无穷大
D、要根据工作点、管自身参数及负载电阻等具体情况而定
8、设如图所示放大电路中的电容均可视为交流短路，则T1管的组态为
A、共发射极
B、共基极
C、共集电极
D、待定
9、题8所示电路中T2管的组态为
A、共发射极
B、共基极
C、共集电极
D、待定
10、题8所示电路中T3管的组态为
A、共发射极
B、共基极
C、共集电极
D、待定
11、放大电路如图所示，设 ，晶体管的。则当短路时，T的工作状态是
A、饱和
B、截止
C、放大
D、待定
12、题11所示电路及参数，当短路时，T的工作状态是
A、饱和
B、截止
C、放大
D、待定
13、在晶体三极管的三种组态中，既可能放大电压也可能放大电流的是
A、共发射极组态
B、共基极组态
C、共集电极组态
D、以上均可
14、在晶体三极管的三种组态中，只可能放大电压的是
A、共发射极组态
B、共基极组态
C、共集电极组态
D、以上均可
15、在晶体三极管的三种组态中，只可能放大电流的是
A、共发射极组态
B、共基极组态
C、共集电极组态
D、以上均可
16、放大电路如下图所示，且 ，且晶体管的 ， 发射结压降为0.7V，，且C1、C2交流短路，若忽略基极电流，则该电路的组态为
A、共发射极组态
B、共基极组态
C、共集电极组态
D、待定
17、题16中，基极静态电压
A、0V
B、-1.5V
C、-3V
D、-6V
18、题16中，发射极静态电压
A、-2.3V
B、-3V
C、-3.7V
D、-6V
19、题16中，发射极静态电流
A、1mA
B、0.5mA
C、2mA
D、1.15mA
20、题16中，晶体管T的
A、
B、
C、
D、
21、题16中，发射极交流负载电阻
A、
B、
C、
D、
22、题16中，从基极看进去的输入电阻为
A、
B、
C、
D、
23、题16中，从电容C1右侧看进去的输入电阻为
A、
B、
C、
D、
24、题16中，电路的源电压增益
A、0.5
B、0.9
C、1.0
D、10.0
25、题16中，电路的输出电阻为
A、
B、
C、
D、
26、题16中，若将电源的电压值增大为10V，且不考虑管的基区调宽效应，则电路的电压增益将
A、增大
B、减小
C、不变
D、以上皆有可能
27、使用恒流源作为放大电路的有源负载可以在电源电压不变的情况下取得诸多好处，以下说法中错误的是
A、较高的电路增益
B、合适的静态工作点
C、较宽的动态范围
D、更好的频率特性
28、如图所示电路中，设各管特性相同：，则输出电流
A、0.279mA
B、0.837mA
C、1.116mA
D、1.674mA
29、如图所示电路中，T1、T2特性完全对称，，若电容器在开关合上前的端电压为0，则开关合上后电容C两端建立10V电压所需的时间约为
A、83秒
B、83毫秒
C、12秒
D、12毫秒
30、题29中，若晶体管的均为10，且其他条件保持不变，则开关合上后电容C两端建立10V电压所需的时间约为
A、100毫秒
B、10毫秒
C、10秒
D、100秒
31、所谓晶体管的工作状态是指其输入回路与输出回路共用的是哪个电极，如共集电极（CC）、共基极（CB）、共发射极（CE）
32、由于三极管三种不同组态下的输入变量、输出变量均不相同，故其处于放大状态下的PN结偏置状态也不同
33、若某放大电路的直流通路如下图所示，则该电路必为共发射极放大电路或共集电极放大电路。
第五周仿真作业
1、电路如下图所示，设所有电容的取值均为10微法。请： 1. 任选一三极管，并完成电路的搭建。 2. 将Z端接地，X端接一个振幅为1mV、频率为10kHz、内阻为10千欧的正弦波信号源，Y端接一个10千欧的负载电阻，仿真输出信号的波形。 3. 将X端接地，Z端接一个振幅为1mV、频率为10kHz、内阻为200欧的正弦波信号源，Y端接一个10千欧的负载电阻，仿真输出信号的波形。 4. 将Y端接地，X端接一个振幅为1mV、频率为10kHz、内阻为100千欧的正弦波信号源，Z端接一个1千欧的负载电阻，仿真输出信号的波形。 5. 将2、3、4所得三个电路及输出波形合并在一张图上，并对其结果进行比较和分析。
双极型晶体管及其放大电路（四）
第六周单元测验
1、纯阻负载的差分放大电路的差模电压放大倍数与________有关。
A、输入信号是单端还是双端输入
B、输出信号是单端还是双端输出
C、输入共模信号的大小
D、输入差模信号的大小
2、在下图所示电路中，晶体管可以起到______的作用。
A、增大差模增益
B、增大共模抑制比
C、增大差模输入电阻
D、增大共模增益
3、差分放大电路中的共模抑制比是指________。
A、差模输入信号绝对值与共模输入信号绝对值之比
B、输出量中差模成分与共模成分之比
C、差模放大倍数绝对值与共模放大倍数绝对值之比
D、交流放大倍数绝对值与直流放大倍数绝对值之比
4、在集成电路中，应尽量避免使用过高阻值的电阻。
5、差分放大电路的基本特性是放大________，抑制________。
6、在差分放大电路中，差模输入信号是两个输入端信号的______，共模信号是两个输入端信号的_____。
7、差分放大电路如图所示。T1、T2管(硅管)参数相同（）。T3、T4管(硅管)参数相同（），所有发射结压降为0.7V，电容C1交流短路。则T3、T4及附属器件所构成的电路为___________（镜像电流源、比例电流源、微电流源），其作用是作为差分放大电路的__________（偏置、有源负载）。
8、差分放大电路如图所示。T1、T2管(硅管)参数相同（）。T3、T4管(硅管)参数相同（），所有发射结压降为0.7V，电容C1交流短路。则（采用近似估算，所有计算结果四舍五入至小数点后1位）差模输入电阻Rid=__________kΩ。
9、设如图所示电路中，所有晶体管均为硅管，β非常大，静态时｜UBEQ｜≈0.7V，则T1、T2的发射极电流约为______mA（所有计算结果若为小数则四舍五入至小数点后两位，若舍入后的最后一位为0可直接略去，若为整数则可直接写出原值）。
第六周仿真作业
1、请自选电路并设置参数，验证使用镜像电流源作为差分放大电路有源负载时能够提高增益。
双极型晶体管及其放大电路（五）
第七周单元测验
1、以下关于功率放大电路的描述中错误的是______________
A、由于功率放大电路中的晶体管处于大信号工作状态，所以微变等效电路方法不再适用
B、顾名思义，只有功率放大电路才有功率放大作用，三种基本组态放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用
C、在输出同等功率的前提下，功率放大电路自身所消耗的功率越小越好
D、对于乙类互补功放来说，电路输出功率最大时刻并非管耗功率最大时刻
2、设某放大电路的输出信号功率为10W，直流电源供给的平均功率为25W，则该电路的效率为_____________
A、250%
B、40%
C、167%
D、60%
3、设有如下图所示单电源供电的功放，， 且不能忽略，负载电阻，输入电压为正弦波，则该电路为______________功率放大电路
A、甲类
B、乙类
C、甲乙类
D、以上均可
4、题3中，静态时的输出电压________V
A、0V
B、3V
C、6V
D、12V
5、题3中，静态时电容两端的电压为____________V
A、0V
B、3V
C、6V
D、12V
6、题3中，输出电压的最大振幅为____________V
A、0V
B、5V
C、6V
D、12V
7、题3中，输出电流的最大振幅为________A
A、0A
B、0.5A
C、0.6A
D、1.2A
8、题3中，输出信号的最大功率约为_______________W
A、1.25W
B、1.8W
C、6.05W
D、7.2W
9、题3中，直流电源供给的最大功率约为__________W
A、1.15W
B、1.91W
C、2.29W
D、4.59W
10、题3中，电路的最大效率约为__________________
A、25%
B、50%
C、65.4%
D、78.5%
11、题3中，若欲该电路能正常工作，则选择T1、T2管时，最大电流应不低于___________A
A、0.5A
B、0.6A
C、1.1A
D、1.2A
12、题3中，若欲该电路能正常工作，则选择T1、T2管时，击穿电压应不低于_____________V
A、5V
B、6V
C、11V
D、12V
13、题3中，若欲该电路能正常工作，则选择T1、T2管时，所能承受的最大管耗应不低于_______________W
A、0.1W
B、0.2W
C、0.3W
D、0.4W
14、题3中，若在连接电路时忘记连接二极管D2而直接将D1与T1、T2的基极相连，则将产生__________失真
A、截止失真
B、饱和失真
C、交越失真
D、A+B
双极型晶体管及其放大电路（六）、场效应晶体管及其放大电路（一）
第八周单元测验
1、为减小多级直接耦合放大电路的零点漂移，首级电路经常采用______电路。
A、共集组态
B、共射组态
C、共射-共基组合
D、差分放大
2、若一个增强型N沟道MOS管，开启电压为3V，源极电位为0V，栅极电位为5V，漏极电位为______时，工作在可变电阻区。
A、1V
B、3V
C、5V
D、7V
3、某N沟道场效应管的符号如图所示，它的转移特性曲线是___B___。
A、
B、
C、
D、
4、图所示各电路中，半导体器件不可能工作在放大区（饱和区）的是 ________。
A、
B、
C、
D、
5、下列耗尽型场效应管微变跨导公式中（设），不正确的为________。
A、
B、
C、
D、
6、场效应管源极跟随器与双极型晶体管射极跟随器相比，其______。
A、跟随特性更好
B、跟随特性较差
C、输出阻抗更低
D、输入阻抗更低
7、放大（饱和）状态下，场效应型晶体管的输出电流和输入电压的（全值）关系为________。
8、电路如图所示。设场效应管的参数为： mA, V，且。则 该场效应管的类型为_______________________。
9、电路如图所示。设场效应管的参数为： mA, V，且。若的取值为，场效应管处于_________。
第八周仿真作业
1、场效应管特性曲线仿真。要求： 1.分别选择一N沟道增强型MOS管、一P沟道耗尽型MOS管，仿真其伏安特性曲线。 2.对比这两个伏安特性曲线，寻找其差别。
场效应晶体管及其放大电路（二）
第九周单元测验
1、场效应管放大电路的三种组态共源、共漏、共栅电路分别可以和双极型三极管的______电路类比。
A、共集、共射、共基
B、共射、共集、共基
C、共集、共基、共射
D、共基、共射、共集
2、图所示电路的主要功能为___________.
A、场效应管功率放大电路
B、场效应管恒流源
C、CMOS反相器
D、场效应管差分放大电路
3、以下电路中增益最高的是____C_____.
A、PMOS共源E/E型放大电路
B、NMOS共源E/D型放大电路
C、CMOS共源E/E型放大电路
D、PMOS共源E/D型放大电路
4、如图所示电路中，，，场效应管的，，各电容器的容量均足够大。若要求管子的，且管子工作在饱和区，则IDQ=________mA。（所有计算结果若为小数则四舍五入至小数点后两位，若舍入后的最后一位为0可直接略去，若为整数则可直接写出原值）
5、.如图所示电路中，，场效应管的，各电容器的容量均足够大。若要求管子的，且管子工作在饱和区，则VS=________V。（所有计算结果若为小数则四舍五入至小数点后两位，若舍入后的最后一位为0可直接略去，若为整数则可直接写出原值）
6、.如图所示电路中，，场效应管的，各电容器的容量均足够大。若要求管子的，且管子工作在饱和区，则VG=_________V。（所有计算结果若为小数则四舍五入至小数点后两位，若舍入后的最后一位为0可直接略去，若为整数则可直接写出原值）
7、.如图所示电路中，，场效应管的，各电容器的容量均足够大。若要求管子的，且管子工作在饱和区，则RG1=________MΩ。（所有计算结果若为小数则四舍五入至小数点后两位，若舍入后的最后一位为0可直接略去，若为整数则可直接写出原值）
第九周仿真作业
1、下图所示为一场效应管共源放大电路。请： 1.设输入信号是振幅为50mV、频率为1kHz的正弦波，请仿真输出信号的波形 2.使用参数扫描仿真，求当R3分别为1千欧、3千欧、5千欧时输出信号的波形，并进行解释。
小信号放大电路的频率特性（一）
第十周单元测验
1、以下哪种失真属于线性失真______。
A、相位失真
B、交越失真
C、饱和失真
D、截止失真
2、欲通过实验电路来观察频率响应，以下测试方法中正确的为_________。
A、由零开始增大输入信号电压幅度，直至输出出现非线性失真
B、同时改变输入信号电压的幅度与频率
C、保持输入信号电压幅度不变，改变其频率
D、保持输入信号电压频率不变，改变其幅度
3、设波特图中横轴某点的频率为，则自该点向左移动一个单位长度后的频率应为______。
A、
B、
C、
D、
4、设某放大电路的幅频和相频特性曲线如图所示，则该电路的极点个数为______。
A、1
B、2
C、3
D、4
5、设某放大电路的幅频和相频特性曲线如图所示，则该电路的上截止频率为______。
A、100Hz
B、1000Hz
C、100kHz
D、1MHz
6、设某放大电路的幅频和相频特性曲线如图所示，则该电路所对应的正弦稳态传递函数的表达式为______。
A、
B、
C、
D、
7、图为某放大电路的电压增益的幅频特性的波特图，则增益下降段的斜率为________dB/十倍频程。（所有计算结果若为小数则四舍五入至小数点后两位，若舍入后的最后一位为0可直接略去，若为整数则可直接写出原值）
8、图为某放大电路的电压增益的幅频特性的波特图，则上限截止频率________KHz.（计算时使用1.1的修正系数）（所有计算结果若为小数则四舍五入至小数点后两位，若舍入后的最后一位为0可直接略去，若为整数则可直接写出原值）
9、图为某放大电路的电压增益的幅频特性的波特图，若该电路为反相放大电路，则频率为100kHz时的相移为______度。（所有计算结果若为小数则四舍五入至小数点后两位，若舍入后的最后一位为0可直接略去，若为整数则可直接写出原值）
小信号放大电路的频率特性（二）
第十一周单元测验
1、晶体管频率特性参数中，、、之间关系最准确的描述为______。
A、
B、
C、
D、
2、如果低频时晶体管的，共射截止频率是=________时对应的频率。
A、
B、
C、
D、
3、导致放大电路在高频段产生频率失真的主要原因是______。
A、三极管结电容
B、旁路电容
C、耦合电容
D、隔直电容
4、为提高单管共射放大电路的上限截止频率，以下措施可行的是______。
A、降低耦合电容容量
B、选择结电容大的晶体管
C、减小负载电阻
D、选择特征频率低的晶体管
5、如下公式中，不正确的是________。
A、
B、
C、
D、
6、以下关于多级放大电路频率特性中正确的是________。
A、多级放大电路的相频特性为各单级放大电路的相频特性之和
B、多级放大电路的幅频特性为各单级放大电路幅频特性的分贝数之积
C、多级放大电路的通频带宽大于任一单级放大电路的带宽
D、若多级放大电路中每级的频率特性都相同，则其带宽与单级放大电路的带宽相同
7、特征频率是随频率的升高，=________时对应的频率
8、共射-共基电路提高上限截止频率的原因在于共基电路的输入阻抗小，减小了共射电路的 电容。
9、对于共源放大电路的上限截止频率，相比密勒电容影响更大的可能是 负载。
反馈放大电路（一）
第十二周单元测验
1、在使用瞬时极性法判定反馈极性时，可以在假定输入信号的极性后______。
A、根据输出信号的极性来判定反馈极性
B、根据反馈信号的极性来判定反馈极性
C、根据输入信号和反馈信号的极性是否相同来判定反馈极性
D、其他的选项皆不是
2、在一个反馈放大电路中，若基本放大电路的增益为互导形式，则反馈系数表现为______反馈。
A、电压
B、电流
C、互阻
D、互导
3、设深负反馈电路如图所示，则由引入的交流负反馈类型为________。
A、电压串联
B、电压并联
C、电流串联
D、电流并联
4、有一单环深负反馈放大电路，其开环放大倍数为A，闭环放大倍数为，反馈系数为F。若F不变，A增大一倍，则将________。
A、约增大一倍
B、约减小一半
C、减小为0
D、基本不变
5、有一单环深负反馈放大电路，其开环放大倍数为A，闭环放大倍数为，反馈系数为F。若A不变，F增大一倍，则将________。
A、约增大一倍
B、约减小一半
C、基本不变
D、减小为0
6、设电路如图所示，若1采用电压并联负反馈，则2最好采用_______。
A、电压取样负反馈
B、电流取样负反馈
C、串联相加负反馈
D、并联相加负反馈
7、题中所示电路的输入电阻Rif= ________。
A、
B、
C、
D、0
8、题中所示电路的输出电阻= ________。
A、
B、
C、
D、
9、如果希望增大放大电路从信号源索取的电流（减小放大电路输入电阻），则可采用_________负反馈。
反馈放大电路（二）
第十三周单元测验
1、在三极管负反馈放大电路中，若保持负载不变，欲从信号源获取较小的电流，并能够在更换放大管时稳定输出电流，可在放大电路中引入________负反馈。
A、电压串联
B、电压并联
C、其他的选项都不对
D、电流并联
2、以下说法中正确的有_______。
A、负反馈放大电路的增益带宽积基本上是一个常数
B、负反馈只能改善反馈环路内的电路性能，对反馈环路之外无效
C、当输入信号是一个失真的正弦波时，引入负反馈后能使失真得到改善
D、只要放大电路的负载恒定，不管哪种反馈都能稳定输出电压
3、如果希望增大放大电路从信号源索取的电流（减小放大电路输入电阻），则可采用________负反馈。
4、如果负反馈放大电路的信号源内阻很小，希望实现深负反馈，则采用_________负反馈。
5、如果希望负反馈放大电路的负载变化时，输出电压稳定，则采用_________负反馈。
6、下图所示三级放大电路中，要求达到以下效果，应该引入什么负反馈。 要求：增大从b1端看进去的输入电阻，Rf从e1接到e3，构成 负反馈电路。
7、下图所示三级放大电路中，要求达到以下效果，应该引入什么负反馈。 要求：若信号源内阻很大，为了有较好的反馈效果，Rf从b1接到c3，构成_____负反馈电路。
模拟集成电路及其应用（一）
第十四周单元测验
1、设反馈电路如图所示，其中运放为理想运放，则其反馈类型为________。
A、电压串联负反馈
B、电压并联正反馈
C、电流串联正反馈
D、电流串联负反馈
2、要实现在正弦电压输入信号上叠加一个直流电压，应选用______。
A、加法运算电路
B、积分运算电路
C、对数运算电路
D、比例运算电路
3、由理想运放构成积分电路，当输入为固定电压时，到达某一电压所需的积分时限与______无关。
A、输入电压
B、运放的限幅电压和
C、时间常数RC
D、负载电阻的大小
4、设由运放构成的电路如图(I)所示，且其输入电压波形如图(II)所示，则输出电压波形为_______。
A、
B、
C、
D、
5、若反馈深度很深，则本题所示电路的输出电阻为______。
A、
B、
C、
D、0
6、由运放构成的同相输入放大器，若输入电压为2V，则运放的共模输入电压为________V。
7、已知电路如图所示，设图中运放均工作在深负反馈条件下，其运放输出电压的最大幅值为V；输入电压为0.1V。引入的交流负反馈的取样方式为＿＿____取样，
8、已知电路如图所示，设图中运放均工作在深负反馈条件下，其运放输出电压的最大幅值为V；输入电压为0.1V。正常工作时，=＿＿＿V。
模拟集成电路及其应用（二）
第十五周单元测验
1、在图所示的两个由理想运放构成的电压比较器电路中，当V时，两个运放分别工作于______。
A、线性区、限幅区
B、限幅区、线性区
C、线性区、线性区
D、限幅区、限幅区
2、在图所示的两个由理想运放构成的电压比较器电路中，当V时，运放反相输入端对地电位分别为______。
A、0V、0.5V
B、VZ（稳压管两端电压）、0.5V
C、0.5V、0V
D、0.5V、 VZ
3、下列电路均由理想运放构成，只有 中的运放工作在非线性区。
A、加法运算电路
B、比例运算电路
C、积分电路
D、过零比较器
4、欲将三角波信号转换成矩形波，可选用 。
A、滞回比较电路
B、钳位电路
C、稳压电路
D、半波整流电路
5、某波形发生器电路如图所示，由A1构成的单元电路一般称为 。
A、积分电路
B、乘法电路
C、微分电路
D、滞回比较器
6、某波形发生器电路如图所示，由A2构成的单元电路一般称为 。
A、积分电路
B、乘法电路
C、微分电路
D、滞回比较器
7、某波形发生器电路如图1.9所示，输出 。
A、正弦波
B、三角波
C、方波
D、锯齿波
8、某波形发生器电路如图所示，输出 。
A、正弦波
B、三角波
C、方波
D、锯齿波
学习通电子电路基础_1
学习通电子电路基础_1是电子工程师的必备课程，该课程主要介绍了电子电路的基础知识，包括电路元件、电路定理、电路分析等内容。下面将逐一介绍。
1. 电路元件
电路元件是电子电路中的基本构成单元，主要包括电阻、电容、电感和二极管等。
电阻是电子电路中最基本的元件之一，它的作用是阻碍电流的流动。电容是一种存储电荷的元件，可以用来存储和释放电能。电感是一种存储磁能的元件，可以用来存储和释放电能。二极管是一种电子器件，可以实现电流的单向导通。
2. 电路定理
电路定理是电子电路分析和设计中的重要理论基础，主要包括欧姆定律、基尔霍夫定律、戴维南-诺尔顿定理、超前电流和滞后电流等。
欧姆定律是电子电路中最基本的定律之一，它表示电阻两端的电压与电流成正比。基尔霍夫定律是电子电路中的重要定理，它表述了电流守恒和能量守恒的基本原理。戴维南-诺尔顿定理是电子电路中的重要定理，可以将电路分解为电压源和电阻网络两部分。
3. 电路分析
电路分析是电子电路设计和优化中的重要步骤，主要包括节点分析法、闭合回路分析法、戴维南-诺尔顿方法、拉普拉斯变换和频率响应等。
节点分析法是一种常用的电路分析方法，它利用基尔霍夫定律和欧姆定律等基本电路定理，将电路分析为节点电位的求解问题。闭合回路分析法是电子电路分析的常用方法，它利用基尔霍夫定律和欧姆定律等基本电路定理，将电路分析为回路电流的求解问题。
4. 总结
学习通电子电路基础_1是一门非常重要的课程，对电子工程师的专业技能和实践能力提升具有重要意义。通过学习该课程，可以掌握电子电路的基础知识、电路定理和电路分析方法，进一步提高电子电路设计的能力和水平。
