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智慧树模拟电子技术(中南大学)答案(知到期末答案)

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智慧树模拟电子技术(中南大学)答案(知到期末答案)

1、智慧中南知判断题:
BJT管的树模输入电阻比MOSFET的输入电阻高。
选项:
A:对
B:错
答案:【错】

2、拟电判断题:
稳压管的技术稳压作用是利用了PN结的反向截止特性。
选项:
A:对
B:错
答案:【错】

3、大学答案答案单选题:
要实现BJT的期末放大作用,对发射结与集电结的智慧中南知要求是()。
选项:
A:发射结正偏,树模集电结正偏
B:发射结反偏,拟电集电结反偏
C:发射结反偏,技术集电结正偏
D:发射结正偏,大学答案答案集电结反偏
答案:【发射结正偏,期末集电结反偏】

4、智慧中南知单选题:
工作在放大区的树模某晶体三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,拟电IC从1mA变为2mA,那么它的β约为()。
选项:
A:50
B:90
C:100
D:83
答案:【100】

5、单选题:
在放大电路中,测得BJT管三个管脚电位分别为6V、6.7V、12V,则这三个管脚分别是()。
选项:
A:C、E、B
B:E、C、B
C:E、B、C
D:C、B、E
答案:【E、B、C】

6、单选题:

选项:
A:5.7
B:8.7
C:73
D:4.3
答案:【5.7】

7、单选题:
设某增强型N沟道MOS管UGS(th)=3V,试问当它的栅源电压uGS=2.5V时,该管处于()区。
选项:
A:截止
B:击穿
C:放大
D:可变电阻
答案:【截止】

8、多选题:

选项:
A:d
B:b
C:c
D:a
答案:【c;
a】

9、多选题:

选项:
A:b
B:d
C:a
D:c
答案:【a;
c】

10、多选题:

选项:
A:b
B:a
C:d
D:c
答案:【b;
d】

第二章单元测试

1、判断题:
阻容耦合两级放大电路各级的Q点相互独立,所以可以各级独自计算各自的Q点。
选项:
A:对
B:错
答案:【对】

2、判断题:
耗尽型NMOS管的多子与少子都参与导电。()
选项:
A:错
B:对
答案:【错】

3、单选题:

选项:
A:0.7
B:6
C:12
D:0.5
答案:【12】

4、单选题:
设某增强型N沟道MOS管UGS(th)=3V,试问当它的栅源电压uGS=2.5V时,该管处于()状态。
选项:
A:截止
B:饱和
C:放大
D:击穿
答案:【截止】

5、单选题:

选项:
A:5.7
B:4.03
C:6
D:4.24
答案:【4.03】

6、单选题:

选项:
A:=1200
B:<1200
C:>1200
D:=-1200
答案:【<1200】

7、单选题:

选项:
A:10
B:100
C:40
答案:【100】

8、多选题:
现有直接耦合基本放大电路如下,有电流放大作用的电路是()。
选项:
A:共源电路
B:共漏电路
C:共射电路
D:共基电路
E:共集电路
答案:【共源电路;
共漏电路;
共射电路;
共集电路】

9、多选题:

选项:
A:
B:
C:                       
D:
答案:【;
                       ;

10、多选题:
在多级放大电路下列三种三种耦合方式中,()耦合不能放大直流信号。
选项:
A:阻容
B:直接
C:变压器
答案:【阻容;
变压器】