尔雅半导体物理A_1期末答案(学习通2023完整答案)
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第一章 半导体的晶体结构与价键模型测试题
1、晶体是半导指固体材料中的原子无规律的周期性排列。
2、体物通完非晶态固体材料中的期末原子有规律地长程有序地排列，但在几个原子的答案范围内保持着有序性，或称为短程有序。学习
3、整答理想晶体由相同的尔雅结构单元在空间无限重复排列而构成。
4、半导密勒指数是体物通完描写布喇菲点阵中晶面方位的一组互质的整数。
5、期末原子最外层的答案电子称为芯电子。
6、学习共价键是整答相邻原子间通过共用自旋方向相同的电子对与原子核间的静电作用形成的。
7、尔雅共价键成键的条件是成键原子得失电子的能力差别较大。
8、共价键的数目遵从8-N原则。
9、半导体中有两种载流子。
10、C、Si、Ge晶体都属于闪锌矿型结构。
第二章 半导体的电子结构
第二章 半导体的电子结构测试题
1、德布罗意（De Broglie）波长是普朗克常数（Planck）和粒子的（ ）的比值。
A、动能
B、动量
C、速度
D、势能
2、海森伯堡?测不准原理是指对于同一粒子不可能同时确定其（ ）动量。
A、??动能和动量
B、势能和动量
C、坐标和动量
D、势能和坐标
3、量子化能级是（ ）的能级。
A、分立
B、连续
C、很多
D、很少
4、波粒二象性是指微观粒子有时表现为（ ），而电磁波有时表现为粒子性。
A、高温性
B、低温性
C、波动性
D、粒子性
5、光照产生的载流子叫（ ）载流子。
A、光生
B、电生
C、热生
D、冷生
6、热激发产生的载流子叫（ ）载流子。
A、光生
B、电生
C、热生
D、冷生
7、空带上能量最低的允带称为（ ）。
A、价带
B、导带
C、禁带
D、能带
8、价电子所在的允带称为（ ）。
A、价带
B、导带
C、禁带
D、能带
9、导带底与价带顶之间的能量区域称为（ ）。
A、价带
B、导带
C、禁带
D、能带
10、禁带宽度是导带底与价带顶之间的能量之（ ）。
A、和
B、差
C、?积
D、商
11、载流子跃迁前后在（ ）所对应的波数(ke)与价带顶所对应波数(kh) 相同的能隙类型称为直接能隙，相应的半导体称为直接能隙半导体。
A、导带底
B、导带顶
C、禁带中
D、禁带外
12、载流子跃迁前后在（ ）所对应的波数(ke)的位置与价带顶所对应波数(kh)不同的能隙类型称为间接能隙，相应的半导体称为间接能隙半导体。
A、导带底
B、导带顶
C、禁带中
D、禁带外
第三章 半导体中的载流子
"半导体中的载流子的定性描述”测试题
1、在纯Si中掺入下列（ ）元素，Si将变为n型半导体。
A、Ca
B、As
C、Ga
D、C
2、在纯Ge中掺入下列（ ）元素，Ge将变为p型半导体。
A、In
B、Si
C、Br
D、N
3、某Si半导体掺有2×10^17cm^-3的硼原子以及 3×10^16cm^-3的磷原子，那么此Si半导体主要是（ ）导电。
A、电子
B、空穴
C、声子
D、不确定
4、对应于n型半导体，电子为 （ ）
A、多子
B、少子
C、中子
D、不确定
5、某Si半导体掺有2×10^17cm^-3的硼原子以及 3×10^16cm^-3的磷原子，有效空穴浓度为 （ ）。
A、2×10^17cm^-3
B、3×10^16cm^-3
C、1.7×10^17cm^-3
D、不确定
6、Si材料的主要复合机制是（ ）
A、直接复合
B、间接复合
C、激子复合
D、施主-受主对复合
7、对应于直接能隙半导体，禁带宽度越大，发光波长越（ ）
A、长
B、短
C、中间值
D、不确定
8、对应于p型半导体，平衡状态时，多子、少子和本征载流子之间相互关系为（ ）
A、
B、
C、
D、
9、杂质能级的作用包括以下（ ）
A、提供导电载流子
B、复合中心
C、散射中心
D、陷阱
10、根据掺入的杂质类型以及数量，半导体可分为（ ）
A、本征半导体
B、n型半导体
C、p型半导体
D、高度补偿半导体
11、下面（ ）过程属于间接复合的微观过程
A、发射电子
B、发射激子
C、俘获空穴
D、声子发射
12、对应于一掺杂Si半导体，室温时空穴的来源包括（ ）
A、掺入n型杂质
B、掺入p型杂质
C、本征激发
D、引入深能级
第四章 半导体中载流子的定量统计描述
“半导体中载流子的定量统计描述”测试题
1、T>0K时，位于EF以上的能级，随着温度的升高，电子占据能级的几率（ ）
A、增加
B、下降
C、不变
D、不确定
2、根据费米分布函数，电子占据（）能级的几率（ ）
A、等于空穴占据（）能级的几率
B、等于空穴占据（）能级的几率
C、大于电子占据的几率
D、大于空穴占据的几率
3、对于只含有一种杂质的非简并n型半导体，费米能级随温度升高而（ ）
A、单调上升
B、单调下降
C、经过一极小值趋近
D、经过一极大值趋近
4、对于掺杂浓度相同的下列半导体，工作温度最高的为（ ）
A、Si
B、Ge
C、SiC
D、GaAs
5、若某半导体在价带中发现空穴的几率为零，则该半导体必定（ ）
A、不含受主杂质
B、不含施主杂质
C、不含任何杂质
D、处于绝对零度
6、对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（ ）
A、
B、
C、
D、
7、对于一中等掺杂的n型半导体，最有效的陷阱能级位置为（ ）
A、
B、
C、位于以上，且很接近EF的能级
D、位于以下，且很接近EF的能级
8、B掺杂浓度为的Si半导体，再掺入的P原子后，在禁带的位置将( )
A、更靠近
B、更靠近
C、位于
D、不确定
9、P型半导体中往往存在（ ）陷阱
A、空穴
B、电子
C、声子
D、多子
10、对n型半导体，如果以和的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，强简并条件为（ ）
A、
B、
C、
D、不确定
11、对于GaAs半导体材料，小注入时样品在（ ）中寿命最大。
A、本征半导体
B、弱N型半导体
C、强N型半导体
D、弱P型半导体
12、本征载流子浓度随着温度的升高而（ ）
A、增大
B、减少
C、不变
D、指数增加
13、对应于一非平衡状态的p型半导体，（ ）
A、
B、
C、=
D、
14、对于仅掺入一种受主杂质的p型半导体，当 时，受主杂质（ ）
A、全部电离
B、部分电离
C、几乎没电离
D、不确定
15、少子寿命表征了复合的强弱，寿命越长，复合几率越（ ）
A、大
B、小
C、中等
D、不确定
16、对于本征半导体，几乎和重合
17、浅受主能级也能成为有效的复合中心
18、对于掺杂浓度一定的Si半导体材料，温度越高，载流子浓度越高
19、在半导体工艺中，掺Au工艺是很重要的一道工艺，因为Au是有效的复合中心， Au在Si中产生一个深受主能级和一个深施主能级。对中等掺杂n-Si，只有起作用
20、陷阱中心的存在会增加少子寿命
第五章 三维半导体中载流子的电输运
第五章 三维半导体中载流子的电输运
1、电子的漂移电流的方向，与( )相同。
A、电子流密度的方向
B、电子扩散方向
C、电子浓度梯度方向
D、电场方向
2、对于工作在强电场下（达到速度饱和）的本征半导体，决定其迁移率的主要的散射机制是（ ）。
A、电离杂质散射
B、库仑散射
C、声学波声子散射
D、光学波声子散射
3、下列关于硅的电子电导率的描述正确的是（ ）。
A、表示单位电场下的电流大小
B、与电场大小无关
C、只要本征激发不起主导作用，温度越高，则电导率越大
D、室温下，同一块本征硅的电子电导率比空穴电导率大
4、已知仅掺杂磷的n型硅样品，且其室温时的电阻率为，则其掺杂浓度最可能为( ) 。
A、
B、
C、
D、
5、室温下，某半导体的本征载流子浓度为,掺杂浓度为，电子和空穴的迁移率分别为和。若外加电场强度为，则其漂移电流密度为（ ）。
A、
B、
C、
D、
6、对于某均匀掺杂的半导体，若当体内某处电场与浓度梯度的方向相同时，多子漂移电流密度与多子扩散电流密度方向相反，则该半导体的掺杂类型为（ ）。
A、N型
B、P型
C、本征型
D、无法判断
7、对于中等掺杂的某半导体样品，时，其空穴扩散系数为，则空穴迁移率大约为（ ）。
A、
B、
C、
D、
8、下列情形中，室温下扩散系数最小的为( )。
A、含硼、磷的硅
B、含硼、磷的硅
C、含硼、磷的硅
D、本征硅
9、根据散射概率的定义，设有个电子以速度沿某方向运动，表示在时刻尚未遭到散射的电子数，则在时间内被散射的电子数为( )。
A、
B、
C、
D、
10、电子迁移率通常高于空穴迁移率，这是由于电子电导有效质量（ ）空穴电导有效质量。
A、大于
B、等于
C、小于
D、无法比较
11、半导体中载流子的电输运包括（ ）。
A、漂移
B、扩散
C、产生
D、复合
12、决定半导体的载流子迁移率的因素有（ ）。
A、禁带宽度
B、电导有效质量
C、状态密度有效质量
D、温度
13、在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理有（ ）。
A、电离杂质散射为主
B、晶格散射为主
C、本征激发起主要作用
D、杂质完全电离
14、假设其它条件不变，可以通过（ ）降低半导体材料的电阻率。
A、提高掺杂浓度
B、提高温度
C、采用迁移率高的半导体材料
D、采用禁带宽度窄的半导体材料
15、连续性方程所描述的物理现象包括（ ）。
A、漂移、扩散
B、复合、产生
C、电荷产生电场
D、隧穿效应
第六章 金属和半导体的接触
第六章金属半导体的接触测试题
1、考虑镜像力后，金属半导体接触的势垒高度将( )
A、降低
B、不变
C、升高
D、无法判断
2、已知某种金属与p型硅半导体接触时形成阻挡层，且金属一侧的势垒高度比半导体一侧的高k0T，则该p型半导体为( )半导体。
A、非简并
B、弱简并
C、简并
D、以上均不对
3、金属与N型半导体形成阻挡层，满足（ ）
A、Wm > Ws
B、Wm < Ws
C、Wm = Ws
D、无法确定
4、半导体的功函数定义为真空能级E0和（ ）之差
A、Ec
B、Ev
C、Eg
D、费米能级
5、肖特基势垒二极管是一种 （）载流子器件
A、多子
B、少子
C、双极
D、复合型
6、金属和N型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正压于金属，随电压增加，则半导体表面电子势垒高度将（ ）
A、不变
B、增加
C、减小
D、无法确定
7、由某金属和n-Si（ND=5x10^16cm-3）组成的Schottky二极管的J-V特性如图所示，已知理查逊常数A*=252(A/cm2k2),Nc=10^19cm-3,χ(Si) = 4.0 eV,在J = 4.72 A/cm2时半导体需要施加的偏压为（）
A、0.4V
B、0.5V
C、0.6V
D、0.7V
8、在磷掺杂浓度为 2 × 10 16 cm -3 的硅衬底（功函数约为 4.25eV ）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适 合的是 （ A 在磷掺杂浓度为 2 × 10 16 cm -3 的硅衬底（功函数约为 4.25eV ）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适 合的是 （ A 在磷掺杂浓度为2e16 cm-3的硅衬底（功函数约为4.25eV）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适合的是（）
A、In (Wm=3.8eV)
B、Cr (Wm=4.6eV)
C、Au (Wm=4.8eV)
D、Al (Wm=4.3eV)
9、金属和N型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正压于金属，随电压增加，空间电荷区宽度将（ ）
A、不变
B、增加
C、减小
D、不能确定
10、N型半导体形成的肖特基势垒二极管，其正向电流是（ ）。
A、半导体的多子流向金属形成，方向从金属指向半导体
B、半导体的多子流向金属形成，方向从半导体指向金属
C、半导体的少子流向金属形成，方向从金属指向半导体
D、半导体的少子流向金属形成，方向从半导体指向金属
11、隧道效应引起肖特基势垒高度的变化量随（ ）的增加而增大
A、正偏电压的增加而增大
B、反偏电压绝对值的增加而增大
C、正偏电压的增加而减小
D、反偏电压绝对值的增加而减小
12、金属与N型半导体形成的整流接触，扩散理论适用于（ ）半导体
A、势垒区宽度远小于电子的平均自由程
B、势垒区宽度远大于电子的平均自由程
C、势垒区宽度等于电子的平均自由程
D、不确定
13、金属与N型半导体形成的整流接触，热电子发射理论适用于（ ）半导体
A、势垒区宽度远小于电子的平均自由程
B、势垒区宽度远大于电子的平均自由程
C、势垒区宽度等于电子的平均自由程
D、不确定
14、欧姆接触有哪些实现的方式（）
A、选择适当的金属，形成阻挡层
B、选择适当的金属，形成反阻挡层
C、半导体表面高掺杂，利用隧道效应原理制备欧姆接触
D、半导体表面通过磨砂处理，形成大量的复合中心
15、硅肖特基二极管的特点（）
A、多子和少子同时参与导电
B、开关速度快
C、反向泄漏电流较PN结二极管大
D、不存在少子存储效应
第七章 半导体表面效应和MIS结构
第七章 半导体表面效应和MIS结构 测试题
1、对于非理想的MIS结构，当半导体功函数小于金属功函数时，引起平带电压为（ ）；当绝缘层中存在负电荷时，若电荷密度（ ），或者电荷分布越（ ）金属一侧，平带电压的绝对值越大。
A、正值，越大，靠近
B、正值，越大，远离
C、正值，越小，靠近
D、正值，越小，远离
E、负值，越大，靠近
F、负值，越大，远离
G、负值，越小，靠近
H、负值，越小，远离
2、P型半导体构成的MIS结构，若，假定绝缘层中无电荷且不存在界面态时，则其平带电压( )。
A、
B、
C、
D、无法判断
3、在MIS结构的金属栅极和半导体上加一变化的电压，在栅极电压由负值增加到足够大的正值的的过程中，如半导体为P型，则在半导体的接触面上依次出现的状态为( )。
A、少数载流子反型状态，多数载流子耗尽状态，多数载流子堆积状态
B、多数载流子堆积状态，多数载流子耗尽状态，少数载流子反型状态
C、多数载流子耗尽状态，多数载流子堆积状态，少数载流子反型状态
D、少数载流子反型状态，多数载流子堆积状态，多数载流子耗尽状态
4、MOS器件绝缘层中的可动电荷是（ ）
A、电子
B、空穴
C、钠离子
D、硅离子
5、设在金属与n型半导体之间加一电压，且接高电位，金属接低电位，使半导体表面层内出现耗尽状态。若表面势；外加电压为, 施主浓度，则耗尽层厚度约为（ ）。
A、
B、
C、
D、
6、MIS结构的表面发生强反型时，其表面的导电类型与体材料的（ ），若增加掺杂浓度，其开启电压将（ ）。
A、不同/增加
B、不同/减小
C、相同/增加
D、相同/减小
7、对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将( )。
A、向负偏压方向平行移动
B、向正偏压方向平行移动
C、不变
D、无法判断
8、半导体表面达到强反型以后，随外加电压的增加，耗尽层宽度( )。
A、增加
B、不变
C、减小
D、无法判断
9、如图所示为Al/SiO2/Si组成的MOS结构实验测得的高频C-V曲线，和理想C-V曲线比较，实验曲线沿电压轴平移了-1.6V，则该半导体的导电类型为( )。
A、n型
B、p型
C、本征
D、不能判断
10、一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为。当氧化层厚度为时，阈值电压为，则当氧化层厚度为时的阈值电压为( )。
A、
B、
C、
D、
11、下图是理想MOS电容在室温下的能带图，其中施加一个栅极偏压使得能带弯曲，且在Si-SiO2界面处半导体的费米能级与本征费米能级重合。已知Si的禁带宽度为1.18 eV，电子亲合势为4.0 eV，导带底有效状态密度为，则Si-SiO2界面处的电子浓度为( )。
A、
B、
C、
D、
12、理想结构必须满足的条件有（ ）
A、金属与半导体的功函数差为零
B、绝缘层内没有任何电荷且绝缘层完全不导电
C、绝缘层与半导体界面处不存在任何界面态
D、半导体必须为本征半导体
E、绝缘层材料为二氧化硅
13、当在理想MIS结构上外加电压时，可能发生的状态有( )
A、多子积累
B、多子耗尽
C、少子反型
D、少子积累
E、少子耗尽
F、多子反型
14、由硅半导体构成的某理想MOS结构上外加电压时，已知在绝缘层与硅界面处存在超过体内多子浓度的空穴浓度，则可能的原因有（ ）。
A、n型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的正向偏压
B、n型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压
C、p型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的正向偏压
D、p型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压
15、以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是（ ）
A、表面处费米能级与本征费米能级重合
B、表面处费米能级处于本征费米能级与导带底能级的中央
C、表面处费米能级与本征费米能级之差与体内处本征费米能级与费米能级之差相等
D、表面势等于费米势的两倍
E、表面反型电子浓度等于体内空穴浓度
16、以下可能导致MIS结构（p型衬底）的阈值电压提高的因素有（ ）
A、提高衬底的掺杂浓度
B、增加绝缘层的厚度
C、降低金属的功函数
D、提高平带电压
E、提高绝缘层的介电常数
17、“表面电场效应”是指载流子被平行于半导体表面的电场加速的现象。（ ）
《半导体物理》期末考试 （考试时间2021年6月21日上午8:30开始，6月23日晚上23:30结束）
《半导体物理》期末考试
1、由二种原子分别构成的面心立方格子沿体对角线方向滑1/4长度套构而成的复式结构是( ) 结构。
A、闪锌矿型
B、金刚石型
C、纤锌矿型
D、氯化钠型
2、以电子为少子的半导体称为( )半导体。
A、本征
B、P型
C、N型
D、i型
3、表征n型杂质半导体的非本征激发特性的最重要参数是( )。
A、
B、
C、
D、
4、本征激发发生在（ ）的附近。
A、
B、
C、
D、
5、完全被电子填满的能带( )导电。空穴是( )。
A、能；粒子
B、不能；粒子
C、能；准粒子
D、不能；准粒子
6、图1中的A、B 分别为半导体材料的价带中载流子的E-k关系抛物线，从绝对数值来看，价带顶附近的空穴有效质量关系为( )。
A、A大于B
B、A小于B
C、A等于B
D、无法判断
7、下图为某固体的能带结构，阴影区域是被电子填充的能带区域，下面的能带被电子填满，上面的能带被电子部分填充，则该能带结构所对应的固体呈现的电导性能为( )。
A、导体
B、半导体
C、绝缘体
D、无法判断
8、通常情况下半导体的导电性能比绝缘体更好，这是由于绝缘体的禁带宽度比半导体( )。
A、窄
B、宽
C、相等
D、无法判断
9、绝缘体的本征激发比半导体的 ( )。
A、容易
B、困难
C、相等
D、无法判断
10、的半导体因以( )导电为主而成为( )半导体。
A、空穴；N型
B、电子；P型
C、空穴；P型
D、电子；N型
11、对本征半导体，温度越( )则本征载流子浓度越高；在相同温度下，禁带宽度越窄的半导体，则本征载流子浓度越( )。
A、低；低
B、低；高
C、高；低
D、高；高
12、最有效的陷阱对应的陷阱能级位于（ ）。
A、
B、
C、
D、
13、强简并半导体是指( )的半导体。
A、或 ≤ 0
B、或 = 0
C、或 ≥ 0
D、以上都错误
14、有4个硅样品，其掺杂情况分别是： 甲、含砷； 乙、含硼和磷各； 丙、含硼； 丁、含砷。 室温下假设杂质完全电离，则这些样品的空穴浓度由高到低的顺序是（ ）。
A、丁甲乙丙
B、甲丙丁乙
C、丙乙甲丁
D、丁丙甲乙
15、对于强N型半导体的直接复合，小注入时的非平衡载流子的寿命与（ ）成反比，大注入时则与（ ）成反比。
A、
B、
C、
D、
16、杂质半导体进入全电离的温度存在( )规律，进入本征激发区的温度存在( )规律。
A、杂质浓度越高，该温度越低；禁带宽度越大，该温度越低
B、杂质浓度越高，该温度越低；禁带宽度越大，该温度越高
C、杂质浓度越高，该温度越高；禁带宽度越大，该温度越低
D、杂质浓度越高，该温度越高；禁带宽度越大，该温度越高
17、金属-半导体（p型中等掺杂）接触在( )条件下形成阻挡层，其电学特性为( )。
A、；整流特性
B、；欧姆特性
C、；整流特性
D、；欧姆特性
18、对于n型半导体构成的非理想MIS结构，在( )条件下半导体表面达到强反型。
A、高频
B、低频
C、
D、
19、若不考虑镜像力和隧道效应，则金属半导体接触的势垒高度将( )，反向电流将( )。
A、降低；降低
B、降低；升高
C、升高；降低
D、升高；升高
20、金属-绝缘层-p型半导体构成的理想MIS结构，当在半导体上施加一个相对于金属的负电压时，则表面势为( )。
A、正
B、负
C、零
D、无法判断
21、已知某种金属与p型硅半导体接触时形成阻挡层，且在平衡状态下，金属一侧的空穴势垒高度比半导体一侧空穴势垒高度大，则该p型半导体为( )半导体。
A、非简并
B、弱简并
C、简并
D、无法判断
22、空穴的扩散电流的方向，与( )相反。
A、空穴扩散的方向
B、空穴浓度梯度方向
C、空穴浓度逆梯度方向
D、电场方向
23、对于硅锗半导体，若其体内某处的电场从 V/cm降低至 V/cm，则其电子迁移率将( )。
A、增大
B、不变
C、减小
D、无法判断
24、设几种半导体的本征性质相同，在的情况下，则( )半导体电导率将取得最小值。
A、n型
B、p型
C、本征
D、无法判断
25、对于由P型半导体构成的理想的MIS结构，当半导体表面少子浓度是体内多子浓度的2倍时，表明此时表面为（ ）状态。
A、多子积累
B、平带
C、弱反型
D、强反型
26、对于掺杂浓度较高的硅、锗半导体，温度很低时，__________散射起主要作用。
27、在室温下，某半导体样品中均匀地掺入两种杂质，其中掺硼，掺磷,且杂质完全电离，已知，，若对该样品施加的均匀电场，则该样品的空穴漂移电流密度为__________。（基本电荷量）
28、在p型半导体基体上制备出一个MOS器件，其栅结构处为金属-SiO2-P型Si构成的MIS结构，常温下其阈值电压的实际测试值比设计值低，则可能是栅氧化层厚度的实际值比设计值更________。（填“薄”或“厚”）
29、一块半导体材料，当光照在材料中被均匀吸收且产生非平衡载流子，已知当光照突然停止20微秒时，其中非平衡载流子衰减至停止前的倍，则该半导体材料的寿命为_________微秒。
30、对于硅半导体，当施主杂质能级与费米能级重合时，则未电离施主杂质与已电离施主杂质的比值为__________。
31、在室温条件下，对于非简并的n型半导体，则当掺杂浓度提高一个数量级，费米能级将大约提高______。（结果取2位有效数字。室温下。）
32、已知在硅中的某位置，扩散作用可忽略，在电场作用下，电子漂移电流密度是空穴漂移电流密度的2倍，且假设电子迁移率是空穴迁移率的3倍，则在该位置的净载流子浓度为_______。（填“正”或“负”或“零”）
33、对于衬底掺杂浓度为的n型硅的MIS结构，当表面势时,耗尽层的宽度为_________。(结果保留2位有效数字。基本电荷量，硅的相对介电系数为，真空介电系数为)
34、对于由金属-SiO-n型半导体构成的理想MIS结构，当考虑栅氧化层中的固定正电荷时，则C-V特性将沿栅压轴的_________方向移动。（填“正”或“负”）
35、对于弱p型半导体(即)，平衡时电子、空穴浓度分别为、，费米能级与复合中心能级重合时导带电子浓度和价带空穴浓度分别为、，则甲=、乙=、丙=、丁=从大到小排序为______________。（按甲乙丙丁排序）
《半导体物理》 期末考试
1、（简答题）画出肖特基接触的 曲线，解释其单向导电性。
2、（证明题）证明MIS结构的总电容 为绝缘层电容 与半导体表面电容 串联，即
3、(计算题) 如图是理想电容在室温下的能带图，其中施加一个栅极偏压使得能带弯曲，且在界面处半导体的费米能级与本征费米能级重合。已知的禁带宽度，电子亲合势，。 (1) 计算界面处的电子浓度，同时画出与该能带图对应的空间电荷分布图。 (2) 计算衬底掺杂浓度，并写出所施加栅极电压的表达式。 (3) 绘出 时，该理想电容的能带图、对应的空间电荷分布图以及 特性曲线(要求标出的对应位置)。
学习通半导体物理A_1
半导体物理是电子科学的一个重要分支，主要研究半导体材料的电学、光学和热学等性质，以及半导体元件的制造和应用。学习通半导体物理A_1是一门面向大学本科生开设的课程，旨在帮助学生深入了解半导体物理的基本概念、理论模型和实际应用，为他们今后从事相关领域的科研和工作打下坚实的基础。
课程内容
学习通半导体物理A_1共分为15个章节，内容涵盖了以下方面：
- 半导体材料的晶体结构和晶格缺陷
- 半导体材料的能带结构和载流子动力学
- pn结和二极管的原理和性质
- 场效应晶体管和双极型晶体管的基本原理和性质
- 太阳能电池和发光二极管的原理和应用
- 半导体微加工技术和集成电路的制造
通过学习这些内容，学生可以了解到半导体物理的基本概念和理论模型，掌握半导体元件的基本工作原理和性质，了解半导体器件的实际应用和制造技术。
课程特点
学习通半导体物理A_1的主要特点有：
- 内容简洁全面：课程内容既涵盖了半导体物理的基本概念和理论模型，又介绍了半导体器件的实际应用和制造技术，内容简明扼要，全面详实。
- 理论联系实际：课程内容不仅涵盖了基本理论知识，还介绍了半导体器件的实际应用和制造技术，将理论联系到了实际应用中，增强了学生的学习兴趣。
- 知识点讲解清晰：课程老师的讲解清晰明了，结合图例和实验演示，使得学生更容易理解和掌握所学知识点。
- 学习方式多样：学生可以通过课堂听讲、课后习题、实验演示等多种方式学习，其中实验演示尤其重要，可以帮助学生更好地理解和掌握所学知识。
学习体验
学习通半导体物理A_1是一门非常有趣和有挑战性的课程。在学习过程中，我不仅学到了许多半导体物理的基本概念和理论模型，还了解了半导体器件的实际应用和制造技术。
学习通半导体物理A_1的课程老师非常优秀，他的讲解清晰明了，结合图例和实验演示，使得学生更容易理解和掌握所学知识点。此外，课程中的实验演示环节非常重要，可以帮助学生更好地理解和掌握所学知识，同时也增强了学生的实践能力和动手能力。
总之，学习通半导体物理A_1是一门非常有价值的课程，它将为学生今后从事相关领域的科研和工作打下坚实的基础。
