尔雅半导体工艺制程II（中级）课后答案(学习通2023完整答案)
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第一章 测验
1、尔雅第一个锗晶体管是半导（）年发明
A、1946
B、体工1947
C、艺制1957
D、后答1958
2、案学集成电路的习通英文简称为（ ）。
A、完整IC
B、答案MCU
C、尔雅LCC
D、半导MIC
3、体工8英寸硅片的艺制直径大约（）mm。
A、后答150
B、案学200
C、300
D、450
4、微电子学的核心是集成电路。
5、集成电路按器件结构分主要可分为：双极型集成电路、 MOS集成电路和 BiCMOS集成电路等。
6、纳米是长度的单位，1纳米为1微米的1000倍。
7、CD(Critical Dimension)是集成电路中半导体器件的最小尺寸，是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度。
8、集成电路是通过一系列特定的加工工艺，将晶体管等元器件按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能的复杂电子系统。
9、集成电路按器件结构分主要可分为：双极型集成电路、 MOS集成电路和 BiCMOS集成电路等。
10、摩尔定律指出集成电路的晶体管的集成度每_____个月翻一番。
第一章 作业
1、集成电路的材料有哪些？
2、集成电路的工艺基础包括什么？
3、集成电路的制造分为哪几个阶段，具体内容是什么？
第二章 洁净技术（4学时）
第二章 测验
1、1000级的概念是每立方英尺空气中所含的直径大于0.5微米的颗粒数不大于（ ）个。
A、10
B、100
C、1000
D、10000
2、高效过滤器的英文简称是（ ）。
A、LEPA
B、HEPA
C、MIC
D、DHF
3、过氧化氢和碱组成的1号标准清洗液简称是（ ）。
A、DHF
B、SPM-1
C、SC-1
D、HPM
4、中效过滤器主要滤除大于（ ）um的尘粒。
A、10
B、5
C、1
D、0.3
5、尘埃的测量方法有（）、（）、（）。
A、重量法
B、四探针法
C、过滤法
D、计数法
6、吸烟不会产生尘埃。
7、风淋室可保证进入洁净室人员进行人身洁净和防止室外空气侵入。
8、乱流洁净室比单向流洁净室洁净度高。
9、洁净度是用每立方英尺空气中所含的直径大于0.5微米的颗粒数来衡量。
10、10000级是指每立方英尺空气中，0.5um大小尘埃的个数不超过10000颗≈______个/升。（四舍五入取整，1立方英尺=28.3168升）
第二章 作业
1、什么是洁净技术？
2、什么是干法清洗？其基本原理是什么？有何优点？
3、简要说明空气净化系统组成。
第三章 半导体材料1（4学时）
第三章 半导体材料1作业
1、掺入B元素的半导体为（）型半导体
A、P
B、N
C、本征半导体
D、中性半导体
2、下列半导体属于第三代半导体的是（）。
A、硅
B、锗
C、砷化镓
D、氮化镓
3、半导体行业最常用的半导体材料是（）。
A、氮化镓
B、石墨烯
C、硅
D、砷化镓
4、掺入P元素的半导体为（）型半导体。
A、P
B、N
C、中性半导体
D、本征半导体
5、面心立方晶胞原子的个数是（）。
A、1
B、2
C、4
D、8
6、硅的晶体结构是（）形状。
A、四面体结构
B、无定形结构
C、六面体结构
D、平面结构
7、硅晶体内部的空间利用率是（ ）。
A、24%
B、34%
C、44%
D、66%
8、最常用的形成N型半导体的杂质有（）( )和（）。
A、Sb
B、B
C、As
D、P
9、从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体的晶向是（ ）。
A、000
B、100
C、110
D、111
10、价带中含有的电子数量决定材料的导电性。
11、由于电子的有效质量小于空穴的有效质量，因而电子的迁移率比空穴的大。
12、P型半导体主要靠空穴导电。
13、100晶向垂直于100晶面。
14、多晶的特点是长程有序，短程无序
第三章 半导体材料2（4学时）
第三章 半导体材料2作业
1、电子级纯的多晶硅的纯度为（）。
A、99.9999999%
B、99.9999%
C、99%
D、99.9%
2、工业上最常用的多晶硅制备方法是（）。
A、直拉法
B、沉积法
C、区熔法
D、三氯氢硅的氢还原法
3、单晶硅的电阻率测试采用（）。
A、热探针法
B、悬浮区熔法
C、直流光电导衰减法
D、四探针法
4、多晶硅变成单晶硅需要具备以下（）条件。
A、要有排列标准
B、低温环境
C、原子具有一定的动能，以便重新排列
D、排列好的原子能稳定下来
5、硅材料的缺陷主要有（）。
A、体缺陷
B、面缺陷
C、点缺陷
D、线缺陷
6、温度升高会使点缺陷的平衡浓度增加。
7、刃型位错是位错线与原子滑移方向相平行。
8、如果掺入杂质的失配因子较大，晶格将会发生畸变。
9、晶体在（110）方向上腐蚀速度最快。
10、肖特基缺陷的特点是空位与填隙原子成对出现。
第四章 硅平面工艺流程（4学时）
第四章 硅平面工艺流程 作业
1、MOS的中文含义是（）。
A、硅衬底
B、多晶硅
C、双极型
D、金属氧化物半导体
2、LDD的中文含义是（）。
A、轻掺杂源漏
B、局部场氧化
C、浅沟槽隔离
D、侧墙掩蔽
3、双极型集成电路制造过程中包括（）等基本工艺。
A、氧化
B、扩散
C、光刻
D、掺杂
4、PMOS管的3个电极分别是（）。
A、源极
B、基极
C、漏极
D、栅极
5、制作PN结最早采用的是硅平面工艺法。
6、重掺杂用于外延的单晶衬底。
7、阱是在衬底上形成的、掺杂类型与衬底相同的区域。
8、浅沟槽隔离属于PN结隔离方式。
9、Bi-CMOS是同时包括双极和MOS管的集成电路。
10、局部场氧化工艺的缺陷是在氮化硅下面的氧化物生长形成鸟嘴形状。
第五章 薄膜制备1（4学时）
第五章 薄膜制备1测验
1、要产生1000埃厚度的二氧化硅，需要消耗（）厚度的硅。
A、1000埃
B、440埃
C、560埃
D、2200埃
2、以下（）选项不属于掺氯氧化的功能。
A、界面处的氯能降低固定氧化物电荷
B、界面处的氯对Na+俘获和中性化
C、氧化速率比在纯氧中低
D、掺氯氧化能抑制氧化层错
3、下面氧化方式中（）氧化方式的氧化速率最快。
A、干氧氧化
B、湿氧氧化
C、低压氧化
D、水汽氧化
4、增加热氧化速率的方法有（）。
A、增加氧化剂压力
B、提高温度
C、进行掺杂
D、选用合适的氧化方法，例如湿氧氧化
5、二氧化硅厚度的测试方法有（）。
A、比色法
B、光学干涉法
C、椭偏法
D、四探针法
6、氧化层表面的缺陷有（）。
A、斑点
B、裂纹
C、白雾
D、层错
7、根据氧化剂的不同，热氧化可分为（）。
A、干氧氧化
B、水汽氧化
C、湿氧氧化
D、掺氯氧化
8、桥联氧原子浓度越高，网络的强度越强。
9、热氧化反应一般发生在硅和二氧化硅的界面。
10、热氧化的速率与晶圆的晶向有关，但与氧化剂压力无关。
11、掺氯氧化可以减少氧化层错堆垛，吸附钠离子。
12、氧化速率随着氧化层厚度的增加（氧化时间的增加）而下降。
13、二氧化硅是一种介质材料，具有一定的导电性。
14、氧化层有两个生长阶段来描述，分别是线性阶段和抛物线阶段。
15、利用不同厚度的SiO2膜对白光反射得到不同的干涉色彩的现象可以判断膜厚。
第五章 薄膜制备1作业
1、热氧化0.6μm氧化层，硅片增厚了（）μm。
A、0.264
B、0.336
C、0.936
D、0.864
2、线性速率常数是（）。
A、B
B、A
C、B/A
D、A/B
3、氧化层密度排序：干氧>湿氧>水汽
4、比色法比椭偏法测量精度高。
5、在线性阶段，(111)晶向的氧化速率将比(100)晶向稍慢。
第五章 薄膜制备2（4学时）
第五章 薄膜制备2作业
1、通过气态物质的化学反应在晶圆表面淀积一层固态薄膜的工艺称为（）。
A、化学气相淀积
B、物理气相淀积
C、等离子淀积
D、热氧化
2、LPCVD的含义是（）。
A、常压化学气相淀积
B、低压化学气相淀积
C、等离子体化学气相淀积
D、光化学气相淀积
3、薄膜的生长包括（）（）（）（）。
A、岛生长
B、连续成膜
C、晶核形成
D、桥联
4、介质薄膜有（）。
A、SiO2
B、Si3N4
C、Si
D、GaAs
5、薄膜是指某一维尺寸远小于另外两维上尺寸的固体物质。
6、薄膜淀积时，衬底不要求是单晶的。
7、CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。
8、如果hg>>ks，CVD速率对温度特别敏感。
9、二氧化硅薄膜只能采用APCVD方法制备。
10、如果hg<<ks，CVD速率受质量输运控制。
第五章 薄膜制备3（4学时）
第五章 薄膜制备3作业
1、TEOS的中文含义是（）。
A、磷硅玻璃
B、硼磷硅玻璃
C、正硅酸乙酯
D、硼酸三甲酯
2、CVD多晶硅薄膜的硅源是（）。
A、硅烷
B、二氯硅烷
C、TEOS
D、氮化硅
3、金属钨的CVD方法中要用到的气体源是（）。
A、SiH4
B、WF6
C、金属钨
D、SiF4
4、以气相形式输运至衬底，在高温下分解或发生化学反应，在单晶衬底上生长出与衬底取向一致的外延称为（）。
A、气相外延
B、液相外延
C、固相外延
D、分子束外延
5、氮化硅的CVD制备方法有（）。
A、APCVD
B、LPCVD
C、PECVD
D、LCVD
6、外延层测量电阻率的方法有（）。
A、三探针法
B、四探针法
C、电容-电压法
D、层错法
7、分子束外延能生长极薄外延层，厚度可薄至?量级。
8、异质外延存在晶格失配的问题。
9、外延时要求衬底必须是单晶的。
10、Si3N4可以掩蔽Ga、 In、 ZnO。
第五章 薄膜制备4（4学时）
第五章 薄膜制备4作业
1、通过加热，使待淀积的金属原子获得足够的能量，脱离金属表面蒸发出来，在飞行途中遇到硅片，就淀积在硅表面，形成金属薄膜，该工艺过程是（）。
A、CVD
B、氧化
C、蒸镀
D、溅射
2、1Torr等于（）Pa。
A、133
B、760
C、1/760
D、1.33
3、蒸镀的方式除了电阻丝加热蒸发还有（）蒸镀方式。
A、MOCVD
B、电子束蒸镀
C、VPE
D、MBE
4、铝的蒸发温度是1250℃，这时它的平衡蒸汽压是（）Pa。
A、1.33
B、133
C、1Torr
D、760
5、下面（）薄膜制备方法是PVD。
A、蒸镀
B、VPE
C、磁控溅射
D、MOCVD
6、真空蒸镀成膜的过程是包括：（）。
A、吸附
B、成核
C、连片
D、生长
7、真空蒸镀台阶覆盖特性的改善方法有（）。
A、衬底加热
B、衬底旋转
C、衬底支架设计为半球形
D、衬底静止
8、PVD是物理过程，淀积的薄膜台阶覆盖差，适合淀积金属。
9、电离规用于低真空度测量。
10、磁控溅射可以提高氩气的离化率，并将二次电子束缚在靶周围的区域，提高溅射的效率。
第六章 光刻技术1（4学时）
第六章 光刻技术1作业
1、传统常规的光刻的光源最主要采用的是（）。
A、电子束
B、紫外光
C、X射线
D、红外光
2、光刻工艺是按照下列（）流程顺序进行操作。
A、气相成底膜、涂胶、软烘、曝光、坚膜、显影、刻蚀、检查
B、气相成底膜、软烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、刻蚀、检查
C、气相成底膜、涂胶、软烘、曝光、显影、坚膜、检查、刻蚀
D、气相成底膜、涂胶、软烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、检查
3、光刻技术中的紫外光源主要包括（）。
A、准分子激光
B、红外线
C、X射线
D、汞灯
4、光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上。
5、涂胶前处理（加HMDS）是为了去除粘附在硅片表面的尘埃。
第六章 光刻技术1测验
1、软烘的温度是（）℃。
A、60~80
B、90~100
C、120~140
D、150~160
2、气相成底膜的工艺步骤是：①硅片清洗、②硅片成底膜、③脱水烘焙，以下选项排列正确的是（）。
A、①②③
B、①③②
C、②①③
D、③①②
3、哪个是表征光刻精度的性能指标，它不仅与光刻胶本身有关，还与光刻工艺条件和操作技术等因素有关（）。
A、灵敏度
B、分辨率
C、粘附性
D、抗蚀性
4、哪个是表征光刻胶对光敏感度的性能指标（）。
A、灵敏度
B、分辨率
C、粘附性
D、抗蚀性
5、涂胶的基本步骤包括：a旋转铺开、b溶剂挥发、c分滴、d旋转甩掉多余的胶，请选出正确的涂胶顺序（）。
A、cbad
B、cadb
C、cdba
D、cdab
6、光刻胶由（）组成。
A、树脂
B、感光剂
C、溶剂
D、HMDS
7、负性光刻后，与掩膜版上图形相同的图形复制到硅片表面。
8、涂胶前处理（加HMDS）是为了提高光刻胶粘附力的作用。
9、在涂胶工艺中胶的厚度可以通过旋涂的速度来控制。
10、软烘的目的是蒸发掉胶中的有机溶剂成分，使硅片表面的胶固化。
第六章 光刻技术2（4学时）
第六章 光刻技术2作业
1、套准容差大约是关键尺寸的（）。
A、1/2
B、1/3
C、1/4
D、1/5
2、已知k=0.6，NA=0.45，λ=193nm，则分辨率R等于（）。
A、257nm
B、193nm
C、145nm
D、476nm
3、准分子激光器的材料为KrF时，产生波长是（）nm。
A、157
B、193
C、248
D、365
4、光刻工艺曝光的光源有（）。
A、汞灯
B、准分子激光
C、白炽灯
D、日光灯
5、影响分辨率的参数有（）。
A、波长
B、数值孔径
C、工艺因子
D、焦平面
6、光学增强技术包括（）。
A、PSM
B、OPC
C、OAI
D、添加衬线
7、数值孔径用来衡量透镜收集衍射光的能力。
8、焦深增大会导致分辨率减小。
9、接触式光刻机容易导致掩膜版损坏，但可一次完成曝光。
10、I线光刻胶曝光后烘焙的目的是提高粘附性并减少驻波。
第六章 光刻技术3（4学时）
第六章 光刻技术3作业
1、氮化硅湿法刻蚀常常采用的湿法腐蚀液为（）。
A、HF
B、HNO3
C、H3PO4
D、H2SO4
2、反应离子刻蚀进行刻蚀过程中（）。
A、既有物理作用，又有化学作用
B、物理作用
C、化学作用
D、既不是物理作用也不是化学作用
3、铝进行干法刻蚀时，常常采用（）物质。
A、BCl3和Cl2
B、HF和N2
C、HCl和HNO3
D、SF2
4、浸没光刻技术所用液体有（）。
A、水
B、饱和烷烃化合物
C、多环饱和烷烃
D、HF
5、纳米压印工艺的种类有（）。
A、微接触压印
B、热压印
C、紫外光固化压印
D、化学压印
6、刻蚀根据是否采用化学溶液分为（）。
A、干法刻蚀
B、湿法刻蚀
C、等离子体刻蚀
D、溅射刻蚀
7、浸没式光刻技术通过提高折射率n来提高分辨率。
8、用化学或物理的方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，称为刻蚀。
9、湿法刻蚀的选择性比较好，但是为各向异性刻蚀。
10、干法刻蚀比较清洁，各向异性刻蚀，分辨率比较高。
第七章 掺杂技术1
第七章 掺杂技术1作业
1、
A、图（a）是恒定源扩散，图（b）限定源扩散
B、图（a）、（b）都是限定源扩散
C、图（a）是限定源扩散，图（b）恒定源扩散
D、图（a）、（b）都是恒定源扩散
2、2、扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸____，这是____效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。
A、小，横向扩散
B、大，场助扩散
C、大，横向扩散
D、大，氧化增强
3、方块电阻的测量方法是（）。
A、四探针法
B、热探针法
C、三探针法
D、光电导衰减法
4、替位式扩散的杂质原子一般与硅原子的直径差不多，因此扩散的速度（）。
A、较快
B、适中
C、较慢
D、很快
5、方块电阻的单位是（）。
A、1/(Ω.cm)
B、Ω.cm
C、mΩ/□
D、Ω/□
6、遵循在扩散过程中外界始终提供杂质源，硅片表面浓度恒定规律的扩散方法称之为（）。
A、限定源表面扩散
B、两步扩散法（包括预扩散和住扩散）
C、恒定源表面扩散
D、自由式扩散
7、根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为（）。
A、填隙式扩散
B、替位式扩散
C、有限源扩散
D、恒定源扩散
8、热扩散的条件是（）。
A、籽晶
B、浓度梯度
C、温度
D、杂质原子
9、扩散的目的是通过定域、定量扩散掺杂改变半导体导电类型、电阻率、或形成PN结。
10、气态杂质源多为杂质的氢化物或者卤化物，这些气体的毒性很大，且易燃易爆，操作上要十分小心。
第七章 掺杂技术2
第七章 掺杂技术2作业
1、以下关于离子注入优点的选项中，（）的说话是错误的。
A、离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。
B、注入杂质的纯度高，属于低温工艺
C、横向扩散现象很小
D、很好的杂质均匀性
2、抑制离子注入过程中的沟道效应的措施有（）。
A、提高离子注入的速度
B、衬底的预非晶化处理（破坏表面结晶层）
C、偏转注入或倾斜硅片
D、在衬底表面制作掩膜氧化薄层（非结晶材料），使入射离子进入硅晶体前无序化
3、离子注入设备主要包括以下（）组成部分。
A、离子源
B、加速管
C、扫描系统和终端靶室
D、吸收电极（即吸极）和质量分析器
4、离子注入最主要的缺点是（）。
A、沟道效应（或通道效应）存在
B、高温工艺
C、会对晶体结构产生损伤
D、离子注入设备复杂且昂贵
5、离子注入是一个物理过程，不发生化学反应。
第七章 掺杂技术2测验
1、能够挑选出唯一需要注入离子的部分是（）。
A、离子源
B、磁分析器
C、聚焦系统
D、扫描系统
2、磁分析器挑选出来的离子，为了达到所需要的能量，通过要经过（）。
A、聚焦系统
B、加速器或者加速管
C、偏转系统
D、扫描系统
3、离子注入过程中，离子穿入硅片的总距离，称为（）。
A、投影射程
B、离子射程
C、横向射程
D、标准偏差
4、空间电荷中和解决了（）问题。
A、离子束膨胀
B、中性束流陷阱
C、硅片充电
D、电子碰撞
5、能够使注入的离子偏转，中性原子被收集的是（）。
A、磁分析器
B、中性束流陷阱
C、加速管
D、扫描系统
6、离子注入后，杂质的浓度分布基本符合（）。
A、抛物线性函数
B、高斯函数
C、余误差函数
D、线性函数
7、作为掺杂的几种方式中，适合低温工艺并不受固溶度限制的是（）。
A、离子注入
B、合金法
C、生长法
D、扩散
8、退火的作用是（）。
A、抑制鸟嘴效应
B、抑制沟道效应
C、激活杂质
D、修复晶格损伤
9、离子注入通过扫描系统时，必须注意硅片表面的充电情况，因为它导致电荷积累，会氧化层发生击穿现象。
10、离子注入与扩散工艺相比，具有很好的均匀性，注入杂质纯度比较高，并且杂质浓度更容易控制。
第八章 金属化与平坦
第八章 金属化与平坦作业
1、双大马士革工艺中，采用（）代替刻蚀。
A、CMP
B、CVD
C、PVD
D、SOG（旋涂膜层）
2、平坦化时，先填充一层牺牲材料，再进行高处刻蚀的方法是（）。
A、SOG
B、CMP
C、高温回流
D、反刻
3、采用离心力来填充图形地处，温度比较低，能够获得表面形貌的平滑效果的平坦化技术是（）。
A、CMP
B、反刻
C、SOG
D、高温回流
4、下列选项中（）不属于传统平坦化技术范畴。
A、反刻
B、玻璃回流
C、旋涂膜层
D、CMP
5、IC采用铝互连系统时，下列（）（）方法可以避免Al-Si的尖楔现象。
A、在淀积的铝膜中掺入约1%的Au；
B、在淀积的铝膜中掺入约1%的Si；
C、在淀积铝之前先淀积一层阻挡层；
D、在铝膜表面覆盖Si3N4。
6、CMP工艺中，常用的终点检测方法有（）。
A、电动机电流终点检测
B、显微镜终点检测
C、四探针法终点检测
D、光学干涉终点检测
7、反刻是一种传统的平坦化技术，它能够实现全局平坦化。
8、CMP后要进行清洗，主要采用去离子水进行冲洗。
9、CMP既有机械研磨又有化学作用。
10、平坦化就是一种去除表面凹凸，使晶片表面保持平整平坦的工艺。
第九章 芯片封装技术
第九章 芯片封装技术作业
1、下面选项中，（）不属于集成电路封装的作用。
A、提供散热途径，确保芯片的工作可靠性
B、形成电路结构
C、将芯片电极与外接电路连接
D、保护和支撑芯片
2、根据键合时的加热方式分类，键合分为（）。
A、热压键合
B、超声键合
C、热压超声键合
D、球形键合
3、封装的材料常见的有（）。
A、塑料
B、金属
C、陶瓷
D、半导体
4、键合是将芯片焊区与电子封装外壳的I/O引线或基板上的金属布线焊区连接，实现芯片与封装结构的电路连接的技术，键合主要包括下面（）方式。
A、贴片式键合
B、打线键合
C、载带自动键合
D、倒装芯片键合
5、利用超声键合可以降低键合的温度。
阶段测验1（第1~3章）
阶段考试1（第一章~第三章）
1、8英寸硅片的直径大约（）mm。
A、450
B、300
C、200
D、150
2、第一块集成电路（）年发明。
A、1946
B、1947
C、1957
D、1958
3、过氧化氢和碱组成的1号标准清洗液简称是（）。
A、DHF
B、SPM-1
C、SC-1
D、HPM
4、1000级的概念是每立方英尺空气中所含的直径大于0.5微米的颗粒数不大于（）个。
A、10000
B、1000
C、100
D、10
5、下列半导体属于第三代半导体的是（）。
A、硅
B、锗
C、氮化镓
D、砷化镓
6、掺入P元素的半导体为（）型半导体
A、N
B、P
C、本征半导体
D、中性半导体
7、高效过滤器的英文简称是（）。
A、LEPA
B、DHF
C、MIC
D、HEPA
8、体心立方晶胞原子的个数是（）。
A、1
B、2
C、4
D、8
9、当前，单晶硅的制备中85%左右都是采用（）。
A、还原法
B、氧化法
C、FZ法
D、CZ法
10、工业上最常用的多晶硅制备方法是（）。
A、直拉法
B、沉积法
C、区熔法
D、三氯氢硅的氢还原法
11、尘埃的测量方法有（）。
A、重量法
B、过滤法
C、四探针法
D、计数法
12、从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体的晶向是（）。
A、111
B、110
C、100
D、000
13、最常用的形成N型半导体的杂质有（）。
A、Sb
B、B
C、As
D、P
14、多晶硅变成单晶硅需要具备以下（）条件。
A、要有排列标准
B、低温环境
C、原子具有一定的动能，以便重新排列
D、排列好的原子能稳定下来
15、单晶硅的单参数测试包括（）。
A、导电类型
B、少子寿命
C、载流子迁移率
D、电阻率
16、微电子是研究电子在半导体和集成电路中的物理现象、物理规律及其应用的学科。
17、CD(Critical Dimension)是集成电路中半导体器件的最小尺寸，是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度。
18、乱流洁净室比单向流洁净室洁净度高。
19、由于电子的有效质量小于空穴的有效质量，因而电子的迁移率比空穴的小。
20、单晶生长过程中使用到的籽晶的作用是作为排列的标准。
阶段测验2（第4~5.3节）
阶段测验2
1、MOS的中文含义是（）。
A、硅衬底
B、多晶硅
C、双极型
D、金属氧化物半导体
2、LDD的中文含义是（）。
A、轻掺杂源漏
B、局部场氧化
C、浅沟槽隔离
D、侧墙掩蔽
3、要产生1000埃厚度的二氧化硅，需要消耗（）厚度的硅。
A、1000埃
B、440埃
C、560埃
D、2200埃
4、以下（）选项不属于掺氯氧化的功能。
A、界面处的氯能降低固定氧化物电荷
B、界面处的氯对Na+俘获和中性化
C、氧化速率比在纯氧中低
D、掺氯氧化能抑制氧化层错
5、下面氧化方式中（）氧化方式的氧化速率最快。
A、干氧氧化
B、湿氧氧化
C、低压氧化
D、水汽氧化
6、热氧化法生成二氧化硅线性速率常数是（）。
A、B
B、A
C、B/A
D、A/B
7、通过气态物质的化学反应在晶圆表面淀积一层固态薄膜的工艺称为（）。
A、化学气相淀积
B、物理气相淀积
C、等离子淀积
D、热氧化
8、CVD多晶硅薄膜的硅源是（）。
A、硅烷
B、二氯硅烷
C、TEOS
D、氮化硅
9、PECVD 的含义是（）。
A、低压化学气相淀积
B、常压化学气相淀积
C、等离子体增强化学气相淀积
D、光化学气相淀积
10、以气相形式输运至衬底，在高温下分解或发生化学反应，在单晶衬底上生长出与衬底取向一致的外延称为（）。
A、气相外延
B、液相外延
C、分子束外延
D、固相外延
11、增加热氧化速率的方法有（）。
A、增加氧化剂压力
B、提高温度
C、进行掺杂
D、选用合适的氧化方法，例如湿氧氧化
12、双极型集成电路制造过程中包括（）等基本工艺。
A、氧化
B、扩散
C、光刻
D、掺杂
13、氧化层表面的缺陷有哪些？
A、斑点
B、裂纹
C、层错
D、白雾
14、外延层厚度的测量方法有（）。
A、称重法
B、层错法
C、磨角法
D、红外干涉法
15、可用于制备二氧化硅薄膜的CVD方法有哪些？
A、APCVD
B、LPCVD
C、LCVD
D、PECVD
16、阱是在衬底上形成的、掺杂类型与衬底相同的区域。
17、局部场氧化工艺的缺陷是在氮化硅下面的氧化物生长形成鸟嘴形状。
18、热氧化反应一般发生在硅和二氧化硅的界面。
19、薄膜淀积时，衬底必须是单晶的。
20、如果hg<<ks，CVD速率受质量输运控制。
阶段测验3（5.4~第6章）
阶段考试3
1、通过加热，使待淀积的金属原子获得足够的能量，脱离金属表面蒸发出来，在飞行途中遇到硅片，就淀积在硅表面，形成金属薄膜，该工艺过程是（）。
A、CVD
B、氧化
C、蒸镀
D、溅射
2、铝的蒸发温度是1250℃，这时它的平衡蒸汽压是（）Pa。
A、1.33
B、133
C、1torr
D、760
3、为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合金制备IC内电极，多采用下列哪种工艺方法：（）。
A、LPCVD
B、电阻蒸镀
C、磁控溅射
D、PECVD
4、光刻工艺是按照下列（）流程顺序进行操作。
A、气相成底膜、涂胶、软烘、曝光、坚膜、显影、刻蚀、检查
B、气相成底膜、软烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、刻蚀、检查
C、气相成底膜、涂胶、软烘、曝光、显影、坚膜、检查、刻蚀
D、气相成底膜、涂胶、软烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、检查
5、气相成底膜的工艺步骤是：①硅片清洗、②硅片成底膜、③脱水烘焙，以下选项排列正确的是（）。
A、①②③
B、①③②
C、②①③
D、③①②
6、涂胶的基本步骤包括：a旋转铺开、b溶剂挥发、c分滴、d旋转甩掉多余的胶，请选出正确的涂胶顺序（ ）。
A、cbad
B、cadb
C、cdba
D、cdab
7、已知k=0.6，NA=0.45，λ=193nm，则分辨率R等于（）。
A、257nm
B、193nm
C、145nm
D、476nm
8、氮化硅湿法刻蚀常常采用的湿法腐蚀液为（）。
A、HF
B、HNO3
C、H3PO4
D、H2SO4
9、铝进行干法刻蚀时，常常采用（）物质。
A、BCl3和Cl2
B、HF和N2
C、HCl和HNO3
D、SF2
10、准分子激光器的材料为ArF时，产生波长是（）nm。
A、157
B、193
C、248
D、365
11、下面（）薄膜制备方法是PVD。
A、蒸镀
B、VPE
C、磁控溅射
D、MOCVD
12、光刻胶由（）组成。
A、树脂
B、感光剂
C、溶剂
D、HMDS
13、关于光学光刻，下列（）方法可以获得高分辨率？
A、采取浸没式光刻方法
B、光源为紫光
C、使用移相掩膜技术制备的光刻版
D、驻波效应对分辨率无影响
14、真空蒸镀台阶覆盖特性的改善方法有（）。
A、衬底加热
B、衬底旋转
C、衬底支架设计为半球形
D、衬底静止
15、光学增强技术包括（）。
A、PSM
B、OPC
C、OAI
D、添加衬线
16、磁控溅射可以提高氩气的离化率，并将二次电子束缚在靶周围的区域，提高溅射的效率。
17、光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上。
18、涂胶前处理（加HMDS）是为了去除粘附在硅片表面的尘埃。
19、焦深增大会导致分辨率减小。
20、干法刻蚀比较清洁，各向异性刻蚀，分辨率比较高。
阶段测验4（第7~9章）
阶段测验4（第7~9章）
1、扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸____，这是____效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。
A、小，横向扩散
B、大，场助扩散
C、大，横向扩散
D、大，氧化增强
2、替位式扩散的杂质原子一般与硅原子的直径差不多，因此扩散的速度（）。
A、较快
B、适中
C、较慢
D、很快
3、能够挑选出唯一需要注入离子的部分是（）。
A、离子源
B、磁分析器
C、聚焦系统
D、扫描系统
4、磁分析器挑选出来的离子，为了达到所需要的能量，通过要经过（）。
A、聚焦系统
B、加速器或者加速管
C、偏束板
D、扫描系统
5、下列选项中（）不属于传统平坦化技术范畴。
A、反刻
B、玻璃回流
C、旋涂膜层
D、CMP
6、下面选项中，（）不属于集成电路封装的作用。
A、提供散热途径，确保芯片的工作可靠性
B、形成电路结构
C、将芯片电极与外接电路连接
D、保护和支撑芯片
7、热扩散的条件是（）。
A、籽晶
B、浓度梯度
C、温度
D、杂质原子
8、离子注入最主要的缺点是（）。
A、沟道效应（或通道效应）存在
B、高温工艺
C、会对晶体结构产生损伤
D、离子注入设备复杂且昂贵
9、退火的作用是（）。
A、抑制鸟嘴效应
B、抑制沟道效应
C、激活杂质
D、修复晶格损伤
10、封装的材料常见的有（）。
A、塑料
B、金属
C、陶瓷
D、半导体
11、扩散的目的是通过定域、定量扩散掺杂改变半导体导电类型、电阻率、或形成PN结。
12、离子注入与扩散工艺相比，具有很好的均匀性，注入杂质纯度比较高，并且杂质浓度更容易控制。
13、反刻是一种传统的平坦化技术，它能够实现全局平坦化。
14、利用超声键合可以降低键合的温度。
期末考试
《半导体工艺制程II（中级）》期末考试试卷
1、8英寸硅片的直径大约（）mm。
A、450
B、300
C、200
D、150
2、第一块集成电路（）年发明。
A、1946
B、1947
C、1957
D、1958
3、过氧化氢和碱组成的1号标准清洗液简称是（）。
A、DHF
B、SPM-1
C、SC-1
D、HPM
4、1000级的概念是每立方英尺空气中所含的直径大于0.5微米的颗粒数不大于（）个。
A、10000
B、1000
C、100
D、10
5、下列半导体属于第三代半导体的是（）。
A、硅
B、锗
C、氮化镓
D、砷化镓
6、掺入磷元素的半导体为（）型半导体。
A、N
B、P
C、本征半导体
D、中性半导体
7、高效过滤器的英文简称是（）。
A、LEPA
B、DHF
C、MIC
D、HEPA
8、体心立方晶胞原子的个数是（）。
A、1
B、2
C、4
D、8
9、当前，单晶硅的制备中85%左右都是采用（）。
A、还原法
B、氧化法
C、FZ法
D、CZ法
10、10、工业上最常用的多晶硅制备方法是（）。
A、直拉法
B、沉积法
C、区熔法
D、三氯氢硅的氢还原法
11、中效过滤器主要滤除大于（ ）um的尘粒。
A、10
B、5
C、1
D、0.3
12、MOS的中文含义是（）。
A、硅衬底
B、多晶硅
C、双极型
D、金属氧化物半导体
13、LDD的中文含义是（）。
A、轻掺杂源漏
B、局部场氧化
C、浅沟槽隔离
D、侧墙掩蔽
14、要产生1000埃厚度的二氧化硅，需要消耗（）厚度的硅。
A、1000埃
B、440埃
C、560埃
D、2200埃
15、以下（）选项不属于掺氯氧化的功能。
A、界面处的氯能降低固定氧化物电荷
B、界面处的氯对Na+俘获和中性化
C、氧化速率比在纯氧中低
D、掺氯氧化能抑制氧化层错
16、下面氧化方式中（）氧化方式的氧化速率最快。
A、干氧
B、湿氧
C、低压
D、水汽
17、热氧化法生成二氧化硅线性速率常数是（）。
A、B
B、A
C、B/A
D、A/B
18、通过气态物质的化学反应在晶圆表面淀积一层固态薄膜的工艺称为（）。
A、化学气相淀积
B、物理气相淀积
C、等离子淀积
D、热氧化
19、CVD多晶硅薄膜的硅源是（）。
A、硅烷
B、二氯硅烷
C、TEOS
D、氮化硅
20、PECVD 的含义是（）。
A、低压化学气相淀积
B、常压化学气相淀积
C、等离子体增强化学气相淀积
D、光化学气相淀积
21、以气相形式输运至衬底，在高温下分解或发生化学反应，在单晶衬底上生长出与衬底取向一致的外延称为（）。
A、气相外延
B、液相外延
C、固相外延
D、分子束外延
22、通过加热，使待淀积的金属原子获得足够的能量，脱离金属表面蒸发出来，在飞行途中遇到硅片，就淀积在硅表面，形成金属薄膜，该工艺过程是（）。
A、CVD
B、氧化
C、蒸镀
D、溅射
23、铝的蒸发温度是1250℃，这时它的平衡蒸汽压是（）Pa。
A、1.33
B、133
C、1torr
D、760
24、为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合金制备IC内电极，多采用下列哪种工艺方法：（）。
A、LPCVD
B、电阻蒸镀
C、磁控溅射
D、PECVD
25、光刻工艺是按照下列（）流程顺序进行操作。
A、气相成底膜、涂胶、软烘、曝光、坚膜、显影、刻蚀、检查
B、气相成底膜、软烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、刻蚀、检查
C、气相成底膜、涂胶、软烘、曝光、显影、坚膜、检查、刻蚀
D、气相成底膜、涂胶、软烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、检查
26、气相成底膜的工艺步骤是：①硅片清洗、②硅片成底膜、③脱水烘焙，以下选项排列正确的是（）。
A、①②③
B、①③②
C、②①③
D、③①②
27、涂胶的基本步骤包括：a旋转铺开、b溶剂挥发、c分滴、d旋转甩掉多余的胶，请选出正确的涂胶顺序（ ）。
A、cbad
B、cadb
C、cdba
D、cdab
28、已知k=0.6，NA=0.45，λ=193nm，则分辨率R等于（）。
A、257nm
B、193nm
C、145nm
D、476nm
29、氮化硅湿法刻蚀常常采用的湿法腐蚀液为（）。
A、HF
B、HNO3
C、H3PO4
D、H2SO4
30、铝进行干法刻蚀时，常采用（）物质。
A、BCl3和Cl2
B、HF和N2
C、HCl和HNO3
D、SF2
31、准分子激光器的材料为ArF时，产生波长是（）nm。
A、157
B、193
C、248
D、365
32、软烘的温度是（）℃。
A、60~80
B、90~100
C、120~140
D、150~160
33、哪个是表征光刻精度的性能指标，它不仅与光刻胶本身有关，还与光刻工艺条件和操作技术等因素有关（）。
A、灵敏度
B、分辨率
C、粘附性
D、抗蚀性
34、哪个是表征光刻胶对光敏感度的性能指标（）。
A、灵敏度
B、分辨率
C、粘附性
D、抗蚀性
35、离子注入过程中，离子穿入硅片的总距离，称为（）。
A、投影射程
B、离子射程
C、横向射程
D、标准偏差
36、空间电荷中和解决了（）问题。
A、离子束膨胀
B、中性束流陷阱
C、硅片充电
D、电子碰撞
37、能够使注入的离子偏转，中性原子被收集的是（）。
A、磁分析器
B、中性束流陷阱
C、加速管
D、扫描系统
38、离子注入后，杂质的浓度分布基本符合（）。
A、抛物线性函数
B、高斯函数
C、余误差函数
D、线性函数
39、作为掺杂的几种方式中，适合低温工艺并不受固溶度限制的是（）。
A、离子注入
B、合金法
C、生长法
D、扩散
40、扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸____，这是____效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。
A、小，横向扩散
B、大，场助扩散
C、大，横向扩散
D、大，氧化增强
41、替位式扩散的杂质原子一般与硅原子的直径差不多，因此扩散的速度（）。
A、较快
B、适中
C、较慢
D、很快
42、能够挑选出唯一需要注入离子的部分是（）。
A、离子源
B、磁分析器
C、聚焦系统
D、扫描系统
43、磁分析器挑选出来的离子，为了达到所需要的能量，通过要经过（）。
A、聚焦系统
B、加速器或者加速管
C、偏束板
D、扫描系统
44、下列选项中（）不属于传统平坦化技术范畴。
A、反刻
B、玻璃回流
C、旋涂膜层
D、CMP
45、下面选项中，（）不属于集成电路封装的作用。
A、提供散热途径，确保芯片的工作可靠性
B、形成电路结构
C、将芯片电极与外接电路连接
D、保护和支撑芯片
46、尘埃的测量方法有（）。
A、重量法
B、过滤法
C、四探针法
D、计数法
47、从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体的晶向是（）。
A、111
B、110
C、100
D、000
48、最常用的形成N型半导体的杂质有（）。
A、Sb
B、B
C、As
D、P
49、多晶硅变成单晶硅需要具备以下（）条件。
A、要有排列标准
B、低温环境
C、原子具有一定的动能，以便重新排列
D、排列好的原子能稳定下来
50、单晶硅的单参数测试包括（）。
A、导电类型
B、少子寿命
C、载流子迁移率
D、电阻率
51、增加热氧化速率的方法有（）。
A、增加氧化剂压力
B、提高温度
C、进行掺杂
D、选用合适的氧化方法，例如湿氧氧化
52、双极型集成电路制造过程中包括（）等基本工艺。
A、氧化
B、扩散
C、光刻
D、掺杂
53、氧化层表面的缺陷有哪些？
A、斑点
B、裂纹
C、白雾
D、层错
54、外延层厚度的测量方法有（）。
A、称重法
B、层错法
C、磨角法
D、红外干涉法
55、可用于制备二氧化硅薄膜的CVD方法有哪些？
A、APCVD
B、LPCVD
C、PECVD
D、LCVD
56、二氧化硅厚度的测试方法有哪些？
A、比色法
B、光学干涉法
C、椭圆偏振法
D、四探针法
57、根据氧化剂的不同，热氧化可分为（）。
A、干氧氧化
B、水汽氧化
C、湿氧氧化
D、掺氯氧化
58、下面（）薄膜制备方法是PVD。
A、蒸镀
B、VPE
C、磁控溅射
D、MOCVD
59、光刻胶由（）组成。
A、树脂
B、感光剂
C、溶剂
D、HMDS
60、关于光学光刻，下列（）方法可以获得高分辨率。
A、采取浸没式光刻方法
B、光源为紫光
C、使用移相掩膜技术制备的光刻版
D、驻波效应对分辨率无影响
61、真空蒸镀台阶覆盖特性的改善方法有（）。
A、衬底加热
B、衬底旋转
C、衬底支架设计为半球形
D、衬底静止
62、光学增强技术包括（）。
A、PSM
B、OPC
C、OAI
D、添加衬线
63、热扩散的条件是（）。
A、籽晶
B、浓度梯度
C、温度
D、杂质原子
64、离子注入最主要的缺点是（）。
A、沟道效应（或通道效应）存在
B、高温工艺
C、会对晶体结构产生损伤
D、离子注入设备复杂且昂贵
65、退火的作用是（）。
A、抑制鸟嘴效应
B、抑制沟道效应
C、激活杂质
D、修复晶格损伤
66、封装的材料常见的有（）。
A、塑料
B、金属
C、陶瓷
D、半导体
67、微电子是研究电子在半导体和集成电路中的物理现象、物理规律及其应用的学科。
68、CD(Critical Dimension)是集成电路中半导体器件的最小尺寸，是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度。
69、乱流洁净室比单向流洁净室洁净度高。
70、由于电子的有效质量小于空穴的有效质量，因而电子的迁移率比空穴的小。
71、单晶生长过程中使用到的籽晶的作用是作为排列的标准。
72、吸烟不会产生尘埃。
73、风淋室可保证进入洁净室人员进行人身洁净和防止室外空气侵入。
74、洁净度是用每立方英尺空气中所含的直径大于0.5微米的颗粒数来衡量。
75、阱是在衬底上形成的、掺杂类型与衬底相同的区域。
76、局部场氧化工艺的缺陷是在氮化硅下面的氧化物生长形成鸟嘴形状。
77、热氧化反应一般发生在硅和二氧化硅的界面。
78、薄膜淀积时，衬底必须是单晶的。
79、如果hg<<ks，CVD速率受质量输运控制
80、桥联氧原子浓度越高，网络的强度越强。
81、热氧化的速率与晶圆的晶向有关，但与氧化剂压力无关。
82、掺氯氧化可以减少氧化层错堆垛，吸附钠离子。
83、氧化速率随着氧化层厚度的增加（氧化时间的增加）而下降。
84、二氧化硅是一种介质材料，具有一定的导电性。
85、氧化层有两个生长阶段来描述，分别是线性阶段和抛物线阶段。
86、利用不同厚度的SiO2膜对白光反射得到不同的干涉色彩的现象可以判断膜厚。
87、磁控溅射可以提高氩气的离化率，并将二次电子束缚在靶周围的区域，提高溅射的效率。
88、光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上。
89、涂胶前处理（加HMDS）是为了去除粘附在硅片表面的尘埃。
90、焦深增大会导致分辨率减小。
91、干法刻蚀比较清洁，各向异性刻蚀，分辨率比较高。
92、负性光刻后，与掩膜版上图形相同的图形复制到硅片表面。
93、涂胶前处理（加HMDS）是为了提高光刻胶粘附力的作用。
94、在涂胶工艺中胶的厚度可以通过旋涂的速度来控制。
95、软烘的目的是蒸发掉胶中的有机溶剂成分，使硅片表面的胶固化。
96、离子注入通过扫描系统时，必须注意硅片表面的充电情况，因为它导致电荷积累，会氧化层发生击穿现象。
97、扩散的目的是通过定域、定量扩散掺杂改变半导体导电类型、电阻率、或形成PN结。
98、离子注入与扩散工艺相比，具有很好的均匀性，注入杂质纯度比较高，并且杂质浓度更容易控制。
99、反刻是一种传统的平坦化技术，它能够实现全局平坦化。
100、利用超声键合可以降低键合的温度。
学习通半导体工艺制程II（中级）
在半导体行业中，工艺制程是非常重要的一部分，它关系到芯片的成本、质量以及性能。学习通半导体工艺制程II（中级）是一门深入了解半导体工艺制程的课程，本文将从以下三个方面对其进行介绍：
一、课程概述
学习通半导体工艺制程II（中级）是一门深入浅出的课程，它总共分为12个模块，每个模块都包括了课程视频、教材、在线测试以及答疑等多个环节。
该课程的主要内容包括：CMOS工艺流程、非CMOS工艺流程、光刻技术、薄膜制备技术、离子注入技术、化学机械抛光技术、热氧化技术以及后工艺处理技术等。
二、课程特点
学习通半导体工艺制程II（中级）的课程特点主要体现在以下几个方面：
1. 通俗易懂
该课程的教学语言通俗易懂，对于入门级学员来说非常友好。课程讲解清晰明了，授课老师将复杂的知识点用简单易懂的语言呈现出来，让学员能够快速掌握。
2. 实践性强
该课程不仅仅讲解理论知识，更注重实践性。每个模块都配备了相应的实验演示视频，学员可以通过实验演示深入了解工艺制程的具体操作流程。
3. 重视互动
该课程非常重视学员与老师之间的互动。每个模块都设有在线测试以及答疑环节，学员可以通过在线测试检测自己的学习成果，同时也可以在答疑环节向老师提出自己的疑问。
三、课程收获
通过学习通半导体工艺制程II（中级），学员可以收获以下几方面的知识和技能：
1. 熟悉各种工艺流程
学员将深入了解CMOS工艺流程、非CMOS工艺流程、光刻技术、薄膜制备技术、离子注入技术、化学机械抛光技术、热氧化技术以及后工艺处理技术等各种工艺流程，掌握每个流程的操作方法和原理。
2. 掌握实验操作技能
通过实验演示视频的学习，学员将掌握实际的工艺制程操作技能。这对于从事半导体行业工作的人员来说非常重要，可以帮助他们更好地完成工作任务。
3. 增强理论基础
在学习工艺制程的过程中，学员将深入了解半导体物理学的相关知识，这有助于他们更好地理解芯片制造过程中发生的各种现象。
结语
学习通半导体工艺制程II（中级）是一门非常优秀的课程，它将半导体工艺制程的知识点讲解得非常清晰易懂，并注重实践性和互动性。通过学习该课程，学员可以深入了解工艺制程的各个方面，掌握实际的操作技能，同时也可以增强自己的理论基础。如果你对半导体行业感兴趣，或者正在从事相关工作，那么学习通半导体工艺制程II（中级）绝对是一个非常不错的选择。
学习通半导体工艺制程II（中级）
在半导体行业中，工艺制程是非常重要的一部分，它关系到芯片的成本、质量以及性能。学习通半导体工艺制程II（中级）是一门深入了解半导体工艺制程的课程，本文将从以下三个方面对其进行介绍：
一、课程概述
学习通半导体工艺制程II（中级）是一门深入浅出的课程，它总共分为12个模块，每个模块都包括了课程视频、教材、在线测试以及答疑等多个环节。
该课程的主要内容包括：CMOS工艺流程、非CMOS工艺流程、光刻技术、薄膜制备技术、离子注入技术、化学机械抛光技术、热氧化技术以及后工艺处理技术等。
二、课程特点
学习通半导体工艺制程II（中级）的课程特点主要体现在以下几个方面：
1. 通俗易懂
该课程的教学语言通俗易懂，对于入门级学员来说非常友好。课程讲解清晰明了，授课老师将复杂的知识点用简单易懂的语言呈现出来，让学员能够快速掌握。
2. 实践性强
该课程不仅仅讲解理论知识，更注重实践性。每个模块都配备了相应的实验演示视频，学员可以通过实验演示深入了解工艺制程的具体操作流程。
3. 重视互动
该课程非常重视学员与老师之间的互动。每个模块都设有在线测试以及答疑环节，学员可以通过在线测试检测自己的学习成果，同时也可以在答疑环节向老师提出自己的疑问。
三、课程收获
通过学习通半导体工艺制程II（中级），学员可以收获以下几方面的知识和技能：
1. 熟悉各种工艺流程
学员将深入了解CMOS工艺流程、非CMOS工艺流程、光刻技术、薄膜制备技术、离子注入技术、化学机械抛光技术、热氧化技术以及后工艺处理技术等各种工艺流程，掌握每个流程的操作方法和原理。
2. 掌握实验操作技能
通过实验演示视频的学习，学员将掌握实际的工艺制程操作技能。这对于从事半导体行业工作的人员来说非常重要，可以帮助他们更好地完成工作任务。
3. 增强理论基础
在学习工艺制程的过程中，学员将深入了解半导体物理学的相关知识，这有助于他们更好地理解芯片制造过程中发生的各种现象。
结语
学习通半导体工艺制程II（中级）是一门非常优秀的课程，它将半导体工艺制程的知识点讲解得非常清晰易懂，并注重实践性和互动性。通过学习该课程，学员可以深入了解工艺制程的各个方面，掌握实际的操作技能，同时也可以增强自己的理论基础。如果你对半导体行业感兴趣，或者正在从事相关工作，那么学习通半导体工艺制程II（中级）绝对是一个非常不错的选择。
