中国大学《电路与电子技术》期末答案(mooc完整答案)
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第2章测试
1、中国整答N型半导体是大学电路电技在本征半导体中掺入（ ）
A、五价元素
B、术期四价元素
C、末答三价元素
D、案m案二价元素
2、中国整答P型半导体是大学电路电技在本征半导体中掺入（ ）
A、五价元素
B、术期四价元素
C、末答三价元素
D、案m案二价元素
3、中国整答当温度升高时，大学电路电技二极管的术期反向饱和电流会 （ ） 。
A、末答增大
B、案m案减小
C、不变
D、随机态
4、当温度升高时，二极管导通压降会（ ） 。
A、增大
B、减小
C、不变
D、随机态
5、PN结电容包括（ ）。
A、势垒电容和扩散电容
B、耦合电容和旁路电容
C、垒电容和耦合电容
D、散电容和旁路电容
6、本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
7、P型半导体带正电，N型半导体带负电。
8、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
9、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
10、在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。
第2章作业 题 2-1，2-2， 2-3， 2-4， 2-5
1、
2、
3、
4、
5、
第4讲 （第3章 晶体三极管及其基本放大电路 续1）
第3章作业：题3-1，3-2，3-3，3-4
1、
2、
3、
4、
第5讲 （第3章 晶体三极管及其基本放大电路 续2）
第3章作业：题3-5，3-6，3-7，3-8
1、
2、
3、
4、
第6讲 （第3章 晶体三极管及其基本放大电路 续3）
第3章作业：题3-9，3-10，3-11
1、
2、
3、题3-11有一定的难度，学生们可以作为任选题。
第7讲 （第4章 场效应管及其基本放大电路）
第四章作业 4-1，4-2，4.3
1、
2、
3、
第8讲 （第4章 场效应管及其基本放大电路 续1）
第4章 测试
1、场效应晶体管是用（ ）控制漏极电流的 。
A、栅源电流
B、栅源电压
C、漏源电流
D、漏源电压
2、增强型NMOS管的开启电压（ ） 。
A、大于零
B、小于零
C、等于零
D、大于零或等于零
3、增强型PMOS管的开启电压（ ） 。
A、大于零
B、小于零
C、等于零
D、小于零或等于零
4、（ ）场效应管不能采用自偏压电路。
A、增强型
B、耗尽型
C、结型
D、增强型和耗尽型
5、共漏极放大电路的电压增益不能超过（ ） 。
A、1.0
B、2.0
C、10
D、100
6、某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出，大小为8mA,则该管是（ ）。
A、N沟道结型管
B、增强型PMOS管
C、耗尽型PMOS管
D、耗尽型NMOS管
7、场效应管的低频跨导gm是常数。
8、结型场效应管具有很高输入电阻的原因是栅源之间的PN结反偏。
9、场效应管靠电子和空穴两种载流子导电。
10、结型场效应管发生预夹断后，管子关断，电流为零。
11、分压式电路中的栅极电阻RG一般阻值很大，目的是提高电路的输入电阻。
12、增强型PMOS管的开启电压大于零。
第4章作业：题4.4、4.5、4.6
1、
2、
3、
第10讲 （第5章 放大电路的频率响应 续1）
第5章 测试
1、当信号频率等于放大电路的下限截止频率fL或上限截止频率fH时，放大倍数下降到中频时的0.7倍，此时增益下降（ ）dB。
A、3dB
B、-3dB
C、0.707dB
D、-0.7075dB
2、BJT放大电路工作在高频状态时，造成放大倍数下降的主要原因是（ ）。
A、输出耦合电容
B、旁路电容
C、晶体管结电容
D、输入耦合电容
3、特征频率fT表示BJT丧失电流放大能力时的极限频率，此时β=（ ）。
A、0.5
B、1
C、0.707
D、3
4、共射截频fβ为共射电流放大系数对应的截止频率，共基截频fα为共基电流放大系数对应的截止频率，两者的关系为（ ）。
A、fα > fβ
B、fα < fβ
C、fα = fβ
D、不确定
5、将多个单级放大电路级联起来构成多级放大电路，通常情况下多级放大电路的增益（ ）了，通频带（ ）了。
A、提高、变宽
B、提高、变窄
C、降低、变宽
D、降低、变窄
6、共射-共基组合电路高频特性好于共射电路的原因是（ ）。
A、共射电路电压增益高
B、共射电路电流增益高
C、共基电路输入电阻小
D、共基电路输出电阻高
7、在使用作图法描述放大电路的频率响应特性时，横坐标对频率的对数采用线性刻度，纵坐标对增益的对数值采用线性刻度，这种特性曲线称为（ ）。
A、波特图
B、伏安特性曲线
C、频率特性曲线
D、时域特性曲线
8、相频特性波特图作图时，每个零点对相频特性的贡献为（ ）。
A、45度
B、90度
C、135度
D、180度
9、在中频增益曲线中，fL为低频截止频率， fH为高频截止频率，放大电路的带宽为：BW=（ ）。
A、fH – fL
B、fL - fH
C、fH
D、fH
10、为了简化高频混合π模型，可以使用（ ）将双向传输模型变为单向传输模型。
A、戴维南定理
B、戴维南定理
C、密勒定理
D、摩尔定理
第5章 题5-1, 5-2, 5-3, 5-4, 5-5, 5-6, 5-7, 5-8
1、
2、
3、
4、
5、
6、
7、
8、
第11讲 （第6章 负反馈放大电路）
第6章作业 题6-1、6-3
1、
2、
第13讲 （第6章 负反馈放大电路 续2）
第6章 测试
1、欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（ ）。
A、电流串联负反馈
B、电流并联负反馈
C、电压串联负反馈
D、电压并联负反馈
2、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，（ ）则说明引入的反馈是负反馈。
A、输入电阻增大
B、输出量增大
C、净输入量增大
D、净输入量减小
3、负反馈放大电路产生自激的条件是 （ ） 。
A、AB=1
B、AB= -1
C、AB=0
D、AB= ￥
4、在深度负反馈放大电路中，若开环放大倍数A增加一倍，则闭环增益Af 将（ ） 。
A、基本不变
B、增加一倍
C、减小一倍
D、不能确定
5、负反馈所能够抑制的干扰和噪声是（ ）。
A、外界对输入信号的干扰和噪声
B、外界对输出信号的干扰和噪声
C、反馈环内的干扰和噪声
D、反馈环外的干扰和噪声
6、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。
7、放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。
8、既然电流负反馈稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。
9、反馈量仅仅决定于输出量。
10、若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。
11、电路中引入负反馈后，只能减小非线性失真，而不能消除失真。
第6章作业 题6-2、6-4、6-5、6-6
1、
2、
3、
4、
第14讲 （第7章 模拟集成电路内部基本单元电路）
第7章作业：题7-1、7-2
1、
2、
第15讲 (第7章 模拟集成电路内部基本单元电路 续1）
第7章作业： 题 7-3、7-4、7-5、7-6
1、
2、
3、
4、
第16讲（第7章 模拟集成电路内部基本单元电路 续2）
第7章 测试
1、典型的长尾式差分放大电路中，射极电阻REE的主要作用是___________。
A、提高输入电阻
B、提高差模电压增益
C、提高共模电压增益
D、提高共模抑制比
2、放大电路产生零漂的主要原因是________________。
A、环境温度变化
B、采用阻容耦合方式
C、采用变压器耦合方式
D、电压倍数过大
3、场效应管集成放大电路较晶体管集成放大电路的优点之一是_____________。
A、输入电阻大
B、输入电阻小
C、输出电阻大
D、输出电阻小
4、在模拟集成放大电路中，电流源的主要作用是_______和_______ 。
A、有源负载
B、偏置电路
C、信号源
D、补偿电路
5、在采用直接耦合方式的模拟集成放大电路中，影响零漂最严重的一级是____________，零点漂移最大的一级是____________。
A、输入级
B、中间级
C、输出级
D、直流偏置电路
6、晶体管集成放大电路较场效应管集成放大电路的特点有____________和__________。
A、功耗大
B、功耗小
C、速度高
D、速度低
7、实际的差分放大电路输入电压为零时，输出电压也为零。
8、为改善差放的某些特性，可采用组合差放电路。
9、集成电路中间级连接方式多采用阻容耦合。
10、集成运算放大器的输入级多采用差分放大的形式。
第7章作业：题7-7、7-8
1、
2、
第17讲（第8章 模拟集成电路的分析与应用）
第8章作业：题8-1、8-2、8-3、8-4
1、
2、
3、
4、
第19讲（第8章 模拟集成电路的分析与应用 续2）
第8章 测试题
1、理想运算放大器的主要条件是（ ）。
A、
B、
C、
D、
2、理想运算放大器在线性运用时具有“虚断”特性是指（ ）。
A、
B、
C、
D、
3、理想运算放大器在线性运用时具有“虚断”特性是指（ ）。
A、
B、
C、
D、
4、运算放大器组成运算电路必须构成（ ）电路。
A、负反馈
B、正反馈
C、开环
D、同时具有负反馈和正反馈。
5、运算放大器组成电压比较电路应构成（ ）电路。
A、开环或正反馈
B、负反馈
C、线性
D、同时具有负反馈和正反馈。
6、欲用运放实现电压放大倍数Au=-100最简单应该选用（ ）电路。
A、反相比例运算
B、同相比例运算
C、加法
D、减法
7、欲用运放实现电压放大倍数Au=+100最简单应该选用（ ）电路。
A、同相比例运算
B、反相比例运算
C、加法
D、减法
8、如自测题8-8图所示电路的输出电压为（ ）。
A、1V
B、-1V
C、0V
D、∞
9、如自测题8-9图所示电路的输出电压波形为（ ）。
A、
B、
C、
D、
10、如自测题8-10图所示电路的输出电压波形为（ ）。
A、
B、
C、
D、
11、运算电路中集成运放一般工作在线性区。
12、只要是理想运算放大器，不论是工作在线性状态还是非线性状态，其反相输入端和同相输入端基本不从信号源索取电流。
13、单限比较器的抗干扰能力比迟滞比较器强。
14、虚短是指集成运放两个输入端短路。
15、反相比例运算电路输入电阻很大。
第8章作业：题8-5、8-6、8-7
1、
2、
3、
第20讲（第9章 直流稳压源电路）
第9章 测验
1、在单相半波整流电路中，已知u2=10√2 sinωt，脉动电压uo在一个周期内的平 均值Uo(AV)≈ （ ），二极管承受的最高反向电压为（ ）。
A、0.9U2， 2√2U2
B、0.45U2 ，√2U2
C、0.9U2，√2U2
D、0.45U2 ， 2√2U2
2、在单相全波整流电路中，输出电压平均值Uo(AV) ≈ ( )，二极管承受的最高反向电压为( ).
A、0.9U2， 2√2U2
B、0.45U2 ，√2U2
C、0.9U2，√2U2
D、0.45U2 ， 2√2U2
3、在单相桥式整流电路中，输出电压平均值Uo(AV) ≈ ( )，VD1、VD3导通，VD2、VD4截止时，VD2、VD4所承受的最大反向电压为（ ）。
A、0.9U2， 2√2U2
B、5U2 ，√2U2
C、0.9U2，√2U2
D、0.45U2 ， 2√2U2
4、在电容滤波电路中，当C一定，RL= ∞ 即空载时，输出电压平均值Uo(AV) ≈ ( )。
A、1.2U2
B、1.4U2
C、0.9U2
D、2.8U2
5、由于稳压管的功率较小，且稳压管稳压电路稳定电压是由稳压管的稳压值决定的，所以稳压管稳压电路仅适合（ ）、（ ）的场合。
A、电压较大，负载电流较大
B、电压较小且变化不大，负载电流固定不变
C、电压固定不变、负载电流较大
D、电压固定不变、负载电流较小且变化不大
6、小功率直流稳压电源由（）、（）、（）和（）组成。
7、常见的几种整流电路有（）、（）、（）和（）整流电路 。
第9章作业： 题9-1,9-2, 9-3, 9-4
1、
2、
3、
4、
第3章 测试
第3章 测试 (题库中有55题，每次随机抽取15题）
1、晶体三极管工作在放大区时，具有如下特点
A、发射结正偏，集电结反偏。
B、发射结反偏，集电结正偏。
C、发射结正偏，集电结正偏。
D、发射结反偏，集电结反偏。
2、晶体三极管工作在饱和区时，具有如下特点
A、发射结正偏，集电结反偏。
B、发射结反偏，集电结正偏。
C、发射结正偏，集电结正偏。
D、发射结反偏，集电结反偏。
3、在共射、共集、共基三种基本组态放大电路中，电压放大倍数小于1的是______组态。
A、共射
B、共集
C、共基
D、不确定，取决于外围电路。
4、对于下图所示放大电路，当用直流电压表测得UCE≈VCC时，有可能是因为______。
A、RB开路
B、RC开路
C、RB短路
D、RB过小
5、对于下图所示放大电路，当用直流电压表测得UCE≈0时，有可能是因为________。
A、RB开路
B、RC开路
C、RB短路
D、RB过小
6、对于下图所示放大电路，当VCC=12V，RC=2kΩ，集电极电流IC计算值为1mA。用直流电压表测时UCE=8V，这说明______。
A、电路工作正常
B、三极管工作不正常
C、电容Ci短路
D、电容Co短路
7、对于下图所示放大电路，若其他电路参数不变，仅当RB增大时，UCEQ将______。
A、增大
B、减小
C、不变
D、不确定
8、对于下图所示放大电路，若其他电路参数不变，若仅当RC减小时，UCEQ将______。
A、增大
B、减小
C、不变
D、不确定
9、对于下图所示放大电路，若其他电路参数不变，若仅当RL增大时，UCEQ将______。
A、增大
B、减小
C、不变
D、不确定
10、对于下图所示放大电路，若其它电路参数不变，若仅更换一个β较小的三极管时，UCEQ将______。
A、增大
B、减小
C、不变
D、不确定
11、对于下图所示放大电路中，输入电压ui为余弦信号，若输入耦合电容Ci短路，则该电路______。
A、正常放大
B、出现饱和失真
C、出现截止失真
D、不确定
12、对于NPN管组成的基本共射放大电路，若产生饱和失真，则输出电压_______失真。
A、顶部
B、低部
C、顶部和底部
D、不确定
13、当输入电压为余弦信号时，如果PNP管共射放大电路发生饱和失真，则基极电流iB的波形将________。
A、正半波削波
B、负半波削波
C、双向削波
D、不削波
14、当输入电压为余弦信号时，如果PNP管共射放大电路发生饱和失真，则集电极电流iC的波形将_________。
A、正半波削波
B、负半波削波
C、双向削波
D、不削波
15、当输入电压为余弦信号时，如果PNP管共射放大电路发生饱和失真，则输出电压uo的波形将________。
A、正半波削波
B、负半波削波
C、双向削波
D、不削波
16、当输入电压为余弦信号时，如果NPN管共射放大电路发生饱和失真，则基极电流iB的波形将___________。
A、正半波削波
B、负半波削波
C、双向削波
D、不削波
17、当输入电压为余弦信号时，如果NPN管共射放大电路发生饱和失真，则集电极电流iC的波形将__________。
A、正半波削波
B、负半波削波
C、双向削波
D、不削波
18、当输入电压为余弦信号时，如果NPN管共射放大电路发生饱和失真，则输出电压uo的波形将________。
A、正半波削波
B、负半波削波
C、双向削波
D、不削波
19、为了使高阻输出的放大电路（或高阻信号源）与低阻负载（或低输入电阻的放大电路）很好地配合，可以在高阻输出的放大电路与负载之间插入________。
A、共射电路
B、共集电路
C、共基电路
D、任何一种组态的电路
20、为了使一个低阻输出的放大电路（或内阻极小的电压源）转变为高阻输出的放大电路（或内阻尽可能大的电流源），可以在低阻输出的放大电路的后面接入_____________。
A、共射电路
B、共集电路
C、共基电路
D、任何一种组态的电路
21、在单级放大电路中，若输入电压为余弦波形，用示波器同时观察输入ui和输出uo的波形。当为CE组态电路时，ui和uo的相位_________。
A、同相
B、反相
C、相差90o
D、不确定
22、在单级放大电路中，若输入电压为余弦波形，用示波器同时观察输入ui和输出uo的波形。当CC电路时，，ui和uo的相位_________。
A、同相
B、反相
C、相差90o
D、不确定
23、在单级放大电路中，若输入电压为余弦波形，用示波器同时观察输入ui和输出uo的波形。当CB电路时，，ui和uo的相位________。
A、同相
B、反相
C、相差90o
D、不确定
24、在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是_______组态。
A、共射
B、共集
C、共基
D、任意组态
25、在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最大的是________组态。
A、共射
B、共集
C、共基
D、任意组态
26、在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中，输出电阻最大的是________组态。
A、共射
B、共集
C、共基
D、任意组态
27、在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中，输出电阻最大的是________组态。
A、共射
B、共集
C、共基
D、任意组态
28、在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中，输出电阻最小的是________组态。
A、共射
B、共集
C、共基
D、任意组态
29、可以放大电压又能放大电流的是_________组态放大电路。
A、共射
B、共集
C、共基
D、任意组态
30、可以放大电压但不能放大电流的是_________组态放大电路
A、CE
B、CC
C、CB
D、任意组态
31、可以放大电流但不能放大电压的是_________组态放大电路。
A、CE
B、CC
C、CB
D、任意组态
32、能够进行功率放大的是___________组态放大电路。
A、CE
B、CC
C、CB
D、任意组态
33、放大电路在低频信号作用下电压放大倍数下降的原因是存在__________电容。
A、耦合
B、旁路
C、耦合电容和旁路电容
D、晶体三极管极间
34、放大电路在高频信号作用下电压放大倍数下降的主要原因是存在_________电容。
A、耦合电容
B、旁路电容
C、耦合电容和旁路电容
D、晶体三极管极间
35、晶体三极管的特征频率fT点对应的β为_______。
A、β =1
B、β =0.707
C、β =0.5
D、β =3
36、某晶体三极管的带宽增益积为1 MHz。如果输入信号为单一频率的余弦波，电路能够进行信号放大的最高频率为_________。
A、1 MHz
B、2 MHz
C、500 kHz
D、700 kHz
37、利用单一频率的余弦信号进行测试某放大电路，测试结果是：低频增益为AU，提高输入信号频率，频率f1时信号增益为0.707AU，继续提高输入信号频率，频率f2时信号增益为0.5AU，频率f3时信号增益为0.1AU。电路的通频带宽为__________。
A、f1
B、f2
C、f3
D、0.707f1
38、为了简化分析过程，分析下图电路的低频特性时，可以忽略_________的影响。
A、Ci
B、Ci 和 Co
C、晶体三极管极间电容
D、Ci 、 Co和晶体三极管极间电容
39、为了简化分析过程，分析下图电路的中频特性时，忽略_________的影响。
A、Co
B、Ci和 Co
C、Ci、Co 和晶体三极管极间电容
D、晶体三极管极间电容
40、为了简化分析过程，分析下图电路的高频特性时，可忽略_________影响。
A、Ci
B、Ci和Co
C、晶体三极管极间电容
D、Ci、Co和发射结极间电容
41、已经晶体三极管的电流大小和方向如下图所示，判断晶体管的类型和CE组态电流增益。
A、NPN型晶体三极管，β=150
B、PNP型晶体三极管，β=150
C、NPN型晶体三极管，β=151
D、PNP型晶体三极管，β=151
42、已经晶体三极管的电流大小和方向如下图所示，判断晶体管的类型和CE组态电流增益。
A、PNP型晶体三极管，β=100
B、NPN型晶体三极管，β=100
C、NPN型晶体三极管，β=101
D、PNP型晶体三极管，β=101
43、测得放大电路中处于放大状态的晶体三极管的直流电位如下图所示。判断晶体三极管类型是NPN还是PNP型，判断其是硅管还是锗管。
A、NPN型，硅管
B、NPN型，锗管
C、PNP型，硅管
D、PNP型，锗管
44、测得放大电路中处于放大的状态的晶体三极管的直流电位如下图所示。判断晶体三极管类型，判断其是硅管还是锗管。
A、NPN型，锗管
B、NPN型，硅管
C、PNP型，硅管
D、PNP型，锗管
45、测得放大电路中处于放大的状态的晶体三极管的直流电位如下图所示。判断晶体三极管类型，判断其是硅管还是锗管。
A、NPN型，锗管
B、NPN型，硅管
C、PNP型，硅管
D、PNP型，锗管
46、测得放大电路中处于放大的状态的晶体三极管的直流电位如下图所示。判断晶体三极管类型，判断其是硅管还是锗管。
A、NPN型，锗管
B、NPN型，硅管
C、PNP型，硅管
D、PNP型，锗管
47、测得放大电路中处于放大的状态的晶体三极管的直流电位如下图所示。判断晶体三极管的是三个电极。
A、发射极、基极、集电极分别是P1、P3、P2
B、发射极、基极、集电极分别是P3、P2、P1
C、发射极、基极、集电极分别是P1、P3、P2
D、发射极、基极、集电极分别是P3、P1、P2
48、测得放大电路中处于放大的状态的晶体三极管的直流电位如下图所示。判断晶体三极管的是三个电极。
A、发射极、基极、集电极分别是P2、P3、P1
B、发射极、基极、集电极分别是P3、P2、P1
C、发射极、基极、集电极分别是P1、P3、P2
D、发射极、基极、集电极分别是P3、P1、P2
49、测得放大电路中处于放大的状态的晶体三极管的直流电位如图T3.2-44所示。判断晶体三极管的是三个电极。
A、发射极、基极、集电极分别是P2、P3、P1
B、发射极、基极、集电极分别是P3、P2、P1
C、发射极、基极、集电极分别是P1、P3、P2
D、发射极、基极、集电极分别是P3、P1、P2
50、测得放大电路中处于放大的状态的晶体三极管的直流电位如下图所示。判断晶体三极管的是三个电极。
A、发射极、基极、集电极分别是P3、P2、P1
B、发射极、基极、集电极分别是P2、P3、P1
C、发射极、基极、集电极分别是P1、P3、P2
D、发射极、基极、集电极分别是P3、P1、P2
51、晶体三极管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。
52、晶体三极管在放大状态下，发射集电流主要是由扩散电流组成。
53、晶体三极管是电流控制元件。
54、所有组态晶体三极管单管放大电路都可以进行功率放大。
55、放大电路的输入电阻与信号源内阻无关，输出电阻与负载电阻无关。
期末考试题
2019《模拟电子技术》MOOC平台期末考试题
1、在本征半导体中掺入三价元素的杂质半导体的自由电子是（ ）。
A、杂质
B、少子
C、多子
D、热激发
2、N沟道结型场效应管漏源电流最大时，栅源两端加入的电压应该是（ ）。
A、0V
B、大于0V
C、小于0V
D、大于夹断电压
3、共射放大电路晶体管的小信号模型中hie可用（ ）表达。
A、△ic/△uce
B、△ube /△ib
C、△ic/△ube
D、△ib/△uce
4、在设计放大电路时，为了使带负载能力强，输出级常采用（ ）。
A、共集电路
B、共射电路
C、共基电路
D、带复合三极管的共射电路
5、放大电路引入负反馈后，其闭环输入电阻和开环输入电阻的关系是（ ）。
A、不变
B、增加1+AB倍
C、减小1+AB倍
D、增加1+AB或减小1+AB倍
6、由双极性三极管构成的威尔逊电流源的误差项是（ ）。
A、0
B、2/（β+β2）
C、2/β
D、2/（2β+β2）
7、迟滞比较器具有上门限和下门限两个电压值的原因是（ ）。
A、输出正饱和和负饱和两个电压值
B、输出正饱和和负饱和两个电压值，而且运算放大器具备正反馈特性
C、输出正饱和和负饱和两个电压值，而且运算放大器具备负反馈特性
D、输出正饱和和负饱和两个电压值，而且运算放大器具备开环特性
8、运算放大器由双电源供电改为单电源供电时，为了保证正确放大需加入偏置电路。但外加负载时，必须在输出端（ ），得到正确输出。
A、接电容
B、串接上拉电阻
C、并接上拉电阻
D、串接电容
9、差分放大电路中，射极电阻REE的主要作用是（ ）。
A、提高输入电阻
B、提高差模电压增益
C、提高共模电压增益
D、提高共模抑制比
10、本征半导体电子浓度ni （ ）空穴浓度pi 。
A、大于
B、小于
C、等于
D、大于等于
11、P型半导体中，电子浓度ni （ ） 空穴浓度pi 。
A、大于
B、小于
C、等于
D、大于等于
12、当反向电压增高时，少子获得能量高速运动，在空间电荷区与原子发生碰撞，产生碰撞电离使反向电流激增，形成连锁反应，属于（ ） 击穿。
A、雪崩
B、齐纳
C、热击穿
D、多子
13、掺杂浓度低的半导体会引起雪崩击穿的原因是反向电压增高时，少子获得能量高速运动，在空间电荷区与原子发生碰撞电离，使（ ）激增。
A、多子
B、反向电流
C、载流子
D、反向电压
14、欲使N沟道增强型场效应管具有导电沟道，应使（ ）。
A、UGS＞UGS,off
B、UGS＞UGS,th
C、UGS＜UGS,off
D、UGS＜UGS,th
15、在运算放大器中，引入负反馈可以使非线性失真减小，输入动态范围（ ）。
A、增大
B、减小
C、不变
D、无关
16、欲提高高频截频fh，需选择小的（ ）。
A、耦合电容
B、旁路电容
C、结电容
D、射极电阻
17、甲乙类功率放大器采用互补输出是为了（ ）。
A、电压放大倍数增加
B、最大不失真输出电压大
C、提高效率
D、输入电阻增加
18、特征频率fT和（ ）相等。
A、fβ
B、fα
C、增益带宽积
D、带宽
19、分析小信号放大电路时，最恰当的方法是（ ）。
A、h参数等效模型
B、高频等效模型
C、特性曲线
D、交流等效电路
20、两级放大器耦合，后级的输入阻抗是前级级的（ ）.
A、负载
B、信号源
C、信号源内阻
D、反馈
21、多个放大器连接成一个雷达高增益中频放大器，放大器之间的耦合应采用( )耦合。
A、直接
B、阻容
C、电感
D、光电
22、在集成电路设计中，NMOS场效应晶体管组成的放大电路，其增益是( ) 函数。
A、gm （B） （C） （D）
B、gmb
C、gDS
D、ri
23、晶体管工作在放大区时，具有如下特点( ).
A、发射结正偏，集电结反偏
B、发射结反偏，集电结正偏。
C、发射结正偏，集电结正偏
D、发射结反偏，集电结反偏
24、在共射、共集、共基三种基本组态放大电路中，电压放大倍数小于1的是( )组态。
A、共射
B、共集
C、共基
D、不确定
25、差分放大电路能够( ).
A、提高输入电阻
B、降低输入电阻
C、抑制温漂
D、提高电压放大倍数
26、图1所示共射极电路和输出波形io, io波形失真应调图1电路中的电阻 R1 ，调小可以改善失真。
27、典型共射电路如图2(a)所示，其中晶体管是硅管。从工程角度考虑图2(a)电路在温度或其他因素变化时无反馈作用，假设温度降低，集电极电流将降低，静态工作点下降可能导致失真。
28、典型共射偏置电路如图2（b）所示，其中晶体管是硅管。从工程角度考虑图2（b）电路在温度或其他因素变化时：图2（b）___有___反馈作用，假设温度升高，集电极电流因反馈作用__不变____，静态工作点___不变___，不会失真。
29、依据半导体二极管特性，电流急剧变化时，两端反向电压基本不变，可制成_ 稳压 _器件。
30、图3所示两个共射极电路级联，两个晶体管参数一致，其电压增益uo/ui为hfe2(R2//R3//hie) (R4//RL)/( (R1//hie) (R3//hie) )。
31、图4所示电路方框图中，在共射电路前加入射极跟随器1的目的是不降低上限截频。
32、图1所示共射极电路和输出波形io, io波形失真应调图1电路中的电阻 R2 ，调大可以改善失真。
33、晶体三极管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。
34、晶体三极管在放大状态下，发射集电流主要是由扩散电流组成。
35、晶体三极管和场效应管都是是电流控制元件。
36、所有组态三极管单管放大电路都可以进行功率放大。
37、放大电路的输入电阻与信号源内阻无关，输出电阻与负载电阻无关。
38、对于NPN单管放大电流，三极管工作在放大区时，集电极电位最高，发射极最低。
39、差模放大电路具有抑制共模干扰、输入电阻大的特点。
40、OCL功率放大电路具有转化效率高、输出电阻小的特点。
41、图5是低频功率放大器，RP3的作用是克服（ ）。
42、图5是低频功率放大器，输出功率大于等于（ ）W。
43、图5是低频功率放大器，级间负反馈元件是( ).
44、图5是低频功率放大器，若反馈深度很大, 电压增益等于( )
45、图5是低频功率放大器，电路属于( ).
46、图5是低频功率放大器，此电路共模抑制比是大还是小( ).
47、图5是低频功率放大器，AB两点间电压是多少（ ）V。
48、图5是低频功率放大器，此功率放大器是( ) 类.
49、图5是低频功率放大器，低频功率放大器的效率最大为( )%
50、图5是低频功率放大器，RP2的作用是调节( ).
