超星模拟电子技术_8课后答案(学习通2023题目答案)

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第1章 常用半导体器件

练习1：二极管及其基本电路测验题

1、超星半导体中空穴的模拟移动实际上反映了半导体中 的移动。
A、电技答案自由电子
B、术课共价键中价电子
C、后答正离子
D、案学负离子

2、习通N型半导体中的题目多数载流子是 ，而P型半导体中的超星多数载流子是 。
A、模拟自由电子，电技答案空穴
B、术课空穴，后答自由电子
C、案学自由电子，习通正离子
D、空穴，负离子
E、空穴，正离子
F、自由电子，负离子

3、PN结内电场方向是由 。
A、N区指向P区
B、P区指向N区
C、不确定
D、与外加电压有关

4、PN结正偏是指 。
A、N区电位高于P区
B、P区电位高于N区
C、P区和N区电位相等
D、与外加电压无关

5、二极管正偏时应重点关注 ，反偏时应重点关注 。
A、导通电流和耗散功率，最大反向电压
B、最高工作频率，最大反向电压
C、最高工作频率，导通电流和耗散功率
D、结电容，最高工作频率
E、最大反向电压，结电容

6、齐纳二极管正常稳压时，工作在 状态。
A、正向导通
B、反向截止
C、反向击穿
D、放大

7、点亮发光二极管应加 ，光电二极管正常工作时应加 ，变容二极管正常工作时应加 。
A、正偏电压，反偏电压，反偏电压
B、正偏电压，反偏电压，零偏压
C、反偏电压，正偏电压，正偏电压
D、反偏电压，正偏电压，反偏电压
E、正偏电压，正偏电压，反偏电压

8、已知某二极管处于正向导通状态，其导通电流为0.5 mA，那么，此时二极管在室温（300K）下的小信号模型参数rd = 。
A、19.2 kΩ
B、1 kΩ
C、52 kΩ
D、52 Ω

9、设简单硅二极管基本电路如图所示，已知R = 1kW。当VDD =10V时，分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 ；当VDD =1V时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 。
A、10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA
B、10mA，1mA；9.3mA，3mA
C、1mA，0.93mA；0.1mA，0.03mA
D、10mA，0.93mA；1mA，0.03mA

10、12V电池的充电电路如图所示，用二极管理想模型分析，若vs是振幅为24V的正弦波，则二极管流过的峰值电流为 ，二极管两端的最大反向电压为 。
A、240mA，24V
B、120mA，12V
C、120mA，36V
D、360mA，36V

11、二极管电路如图所示。输入电压只有0V或5V两个取值。利用二极管理想模型分析，在vI1和vI2电压的不同组合情况下，输出电压vO的值是 。
A、vO的a列
B、vO的b列
C、vO的c列
D、vO的d列

12、电路如图所示，D为硅二极管，若VDD = 2 V，R = 1 kW，正弦信号vs=50sin(2p′50t) mV。则静态（即vs= 0）时，二极管中的静态电流为 ，vO的静态电压 ；动态时，vO的交流电压振幅为 。
A、2mA，2V；0.05V
B、1.3mA，1.3V；0.05V
C、2mA，2V；0.049V
D、1.3mA，1.3V；0.049V

13、稳压电路如图所示。若VI =10V，R =100W，齐纳二极管的VZ =5V，IZ(min)=5mA，IZ(max)=50mA，那么负载RL的变化范围是 。
A、大于111W
B、小于111W
C、大于111kW
D、小于111kW

14、半导体二极管温度升高时，将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度，因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。

15、对于实际的二极管，只要正偏电压大于零，二极管就导通。

16、二极管简化模型将二极管的I-V非线性特性近似成了线性或分段线性的关系。

17、通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。

18、在使用齐纳二极管时，必须加限流电阻。

19、本征半导体的两种载流子为自由电子和 。

20、P型半导体的少子是 。

21、PN结的单向导电性指的是加正向电压时处于 状态，加反向电压时处于截止状态。 。

练习1（补测）：二极管及其基本电路测验题

1、半导体中空穴的移动实际上反映了半导体中 的移动。
A、自由电子
B、共价键中价电子
C、正离子
D、负离子

2、N型半导体中的多数载流子是 ，而P型半导体中的多数载流子是 。
A、自由电子，空穴
B、空穴，自由电子
C、自由电子，正离子
D、空穴，负离子

3、PN结内电场方向是由 。
A、N区指向P区
B、P区指向N区
C、不确定
D、与外加电压有关

4、PN结正偏是指 。
A、N区电位高于P区
B、P区电位高于N区
C、P区和N区电位相等
D、与外加电压无关

5、二极管正偏时应重点关注 ，反偏时应重点关注 。
A、导通电流和耗散功率，最大反向电压
B、最高工作频率，最大反向电压
C、最高工作频率，导通电流和耗散功率
D、结电容，最高工作频率
E、最大反向电压，结电容

6、齐纳二极管正常稳压时，工作在 状态。
A、正向导通
B、反向截止
C、反向击穿
D、放大

7、点亮发光二极管应加 ，光电二极管正常工作时应加 ，变容二极管正常工作时应加 。
A、正偏电压，反偏电压，反偏电压
B、正偏电压，反偏电压，零偏压
C、反偏电压，正偏电压，正偏电压
D、反偏电压，正偏电压，反偏电压
E、正偏电压，正偏电压，反偏电压

8、已知某二极管处于正向导通状态，其导通电流为0.5 mA，那么，此时二极管在室温（300K）下的小信号模型参数rd = 。
A、19.2 kΩ
B、1 kΩ
C、52 kΩ
D、52 Ω

9、12V电池的充电电路如图所示，用二极管理想模型分析，若vs是振幅为24V的正弦波，则二极管流过的峰值电流为 ，二极管两端的最大反向电压为 。
A、240mA，24V
B、120mA，12V
C、120mA，36V
D、360mA，36V

10、设简单硅二极管基本电路如图所示，已知R = 1kW。当VDD =10V时，分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 ；当VDD =1V时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 。
A、10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA
B、10mA，1mA；9.3mA，3mA
C、1mA，0.93mA；0.1mA，0.03mA
D、10mA，0.93mA；1mA，0.03mA

11、二极管电路如图所示。输入电压只有0V或5V两个取值。利用二极管理想模型分析，在vI1和vI2电压的不同组合情况下，输出电压vO的值是 。
A、vO的a列
B、vO的b列
C、vO的c列
D、vO的d列

12、电路如图所示，D为硅二极管，若VDD = 2 V，R = 1 kW，正弦信号vs=50sin(2p′50t) mV。则静态（即vs= 0）时，二极管中的静态电流为 ，vO的静态电压 ；动态时，vO的交流电压振幅为 。
A、2mA，2V；0.05V
B、1.3mA，1.3V；0.05V
C、2mA，2V；0.049V
D、1.3mA，1.3V；0.049V

13、稳压电路如图所示。若VI =10V，R =100W，齐纳二极管的VZ =5V，IZ(min)=5mA，IZ(max)=50mA，那么负载RL的变化范围是 。
A、大于111W
B、小于111W
C、大于111kW
D、小于111kW

14、半导体二极管温度升高时，将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度，因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。

15、对于实际的二极管，只要正偏电压大于零，二极管就导通。

16、二极管简化模型将二极管的I-V非线性特性近似成了线性或分段线性的关系。

17、通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。

18、在使用齐纳二极管时，必须加限流电阻。

19、本征半导体的两种载流子为自由电子和 。

20、P型半导体的少子是 。

21、PN结的单向导电性指的是加正向电压时处于 状态，加反向电压时处于截止状态。

1.4 场效应管

场效应管及其放大电路测验题

1、场效应管利用外加电压产生的_______来控制漏极电流的大小，因此它是_______控制器件。
A、电流，电场
B、电场，电压
C、电流，电压
D、电压，电流

2、N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。
A、空穴
B、电子
C、电子和空穴
D、正离子
E、负离子

3、P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________。
A、正值
B、负值
C、零值
D、不确定的

4、一个MOS场效应管的转移特性如图所示（其中漏极电流iD的方向是它的实际方向），它是_______场效应管。
A、N沟道耗尽型
B、N沟道增强型
C、P沟道增强型
D、P沟道耗尽型

5、在共源、共漏和共栅三种放大电路组态中，_______放大电路电压增益小于1但接近于1，输入输出电压同相，有电压跟随作用；_______放大电路电压增益较高，输入输出电压反相；________放大电路输入输出电压同相，有电流跟随作用；________放大电路输出电阻小；_______放大电路输入电阻小。
A、共漏，共源，共栅，共漏，共栅
B、共源，共漏，共栅，共漏，共栅
C、共漏，共栅，共源，共漏，共栅
D、共漏，共栅，共漏，共源，共栅

6、用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大。当输出端开路时，A和B的输出电压相等；当都接入负载电阻RL时，测得A的输出电压小于B的输出电压，由此说明，电路A的输出电阻比电路B的输出电阻________。
A、大
B、小
C、相等
D、不能确定

7、在图示电路中，已知各MOS管的?VT ?=0.5V，MOS管处于截止状态的电路是_______。
A、图（a）
B、图（b）
C、图（c）
D、图（a）和图（b）
E、图（b）和图（c）
F、图（a）和图（c）

8、当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。
A、N沟道耗尽型
B、N沟道增强型
C、P沟道耗尽型
D、P沟道增强型

9、试分析图示各电路，能正常放大交流信号的电路是________（设各电容对交流信号的容抗可忽略）。
A、图（a）
B、图（b）
C、图（c）
D、图（d）

10、设图(a)电路中各电容很大对交流信号均可视为短路，则其小信号等效电路为_______。
A、图（b）
B、图（c）
C、图（d）
D、图（b）和图（d）

11、已知电路参数如图(a)所示，FET工作点上的互导gm＝1mA/V，设rds＞＞Rd，则该电路的小信号等效电路是_______，电压增益为_______，输入电阻为_______。
A、图(c)，-10，2075 kW
B、图(b)，-3.3，2075 kW
C、图(b)，-10，2075 kW
D、图(c)，-3.3，2075 kW

12、放大电路的静态是指输入端短路时的状态。

13、小信号模型中所研究的电压、电流都是变化量，因此，不能用小信号模型来求静态工作点Q，模型参数大小也与Q点位置无关。

14、在组合放大电路中，它的输入电阻就是第一级放大电路的输入电阻，而放大电路的输出电阻等于最后一级（输出级）的输出电阻。

15、MOSFET放大电路的三种组态中只有共源电路有功率放大作用。

16、作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。

17、MOSFET的低频跨导gm是一个常数。

18、增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。

19、场效应管仅靠一种载流子导电。

20、设MOS管的VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。

21、设MOS管的VPN＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。

22、设MOS管的VTP＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝-3V，VGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。

三极管及其放大电路测验题

双极结型三极管及其放大电路测验题

1、BJT具有放大作用的外部电压条件是发射结_______，集电结_______。
A、正偏，反偏
B、反偏，正偏
C、零偏，正偏
D、反偏，零偏

2、当温度升高时，BJT集电极电流______。
A、增大
B、减小
C、不变
D、不确定

3、BJT放大电路共有三种组态的放大电路，它们分别是共射极、_______和_______放大电路。
A、功率，共集电极
B、共集电极，反馈
C、反馈，功率
D、共集电极，共基极

4、NPN型BJT共射极放大电路的交流电压输出波形上半周失真时为_______，此时应该_______基极电流。
A、饱和失真，增大
B、截止失真，减小
C、交越失真，减小
D、截止失真，增大
E、饱和失真，减小

5、用直流电压表测得放大电路中某BJT各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是_______，该管是________型。
A、b、c、e；NPN
B、c、b、e；NPN
C、e、c、b；NPN
D、b、c、e；PNP
E、f、b、e；PNP
F、e、c、b；PNP

6、复合管如图所示，等效为一个BJT时，2端是 ，3端是 。
A、基极，集电极
B、集电极，发射极
C、发射极，集电极
D、发射极，基极

7、图示各电路中，能正常放大正弦交流信号的电路是_______ （设各电容的容抗可忽略）。
A、图(a)
B、图(b)
C、图(c)
D、图(d)

8、测量若干硅NPN型BJT各电极对地的电压值如下，工作在放大区的BJT是________。
A、VC＝6V，VB＝2V，VE＝1.3V
B、VC＝6V，VB＝6V，VE＝5.6V
C、VC＝6V，VB＝4V，VE＝3.6V
D、VC＝3.6V，VB＝4V，VE＝3.4V

9、设原理图中各电容容抗均可忽略，其小信号等效电路为________。
A、图(a)
B、图(b)
C、图(c)
D、图(d)

10、射极偏置电路如图所示，已知b = 60。该电路的电压增益约为________。
A、-90
B、-103
C、-110
D、-120

11、NPN型BJT只能在正电源电压下工作，而PNP型BJT只能在负电源电压下工作。

12、同一只BJT，无论在什么情况下，它的b 值始终不变。

13、BJT放大电路在不失真地放大动态信号时，其三个电极的实际电流方向始终不变。

14、在阻容耦合放大电路中，信号源和负载电阻会影响电路的Q点。

15、直接耦合放大电路可以放大频率很低的信号甚至直流信号。

16、BJT的小信号模型只能用于分析放大电路的动态情况，不能用来分析静态工作点。

17、可以用万用表的“W”挡测量出BJT的H参数rbe电阻。

18、BJT组成复合管时最重要的特性是极大地提高了电流放大倍数。

测验4：模拟集成电路测验题

测试4：模拟集成电路测验题

1、当差分式放大电路两输入端电压为vi1=250mV，vi2= 150mV，则vid= mV，vic= mV。
A、100，200
B、100，400
C、200，100
D、50，200

2、双端输出的理想差分放大电路，已知|Avd | = 40，|Avc | = 0。若vi1=20mV，vi2= -5mV 。则|vo |为 mV。
A、1000
B、600
C、-200
D、800

3、电流源电路是一个___________，其交流等效电阻__________。
A、双口网络，恒定
B、单口网络，很小
C、单口网络，很大
D、双口网络，很小

4、放大电路产生零点漂移的主要原因是 。
A、采用了直接耦合方式
B、采用了阻容耦合方式
C、采用了正负双电源供电
D、增益太大

5、差分放大电路共模抑制比的大小反映了__________。
A、差模增益的大小
B、共模增益的大小
C、抑制零漂的能力
D、带负载能力

6、差分式放大电路最重要的特点是 。
A、较高的差模增益和很低的共模增益
B、零点漂移严重
C、频带很宽
D、输入电阻很小

7、在差分式放大电路中，源极或发射极公共支路上采用电流源进行直流偏置，带来的好处是 。
A、提高输入电阻
B、提高差模电压增益
C、提高共模电压增益
D、提高共模抑制比

8、集成运算放大器的输入级采用差分放大电路的主要原因之一是它的 能力强。
A、电压放大
B、电流放大
C、带负载
D、抑制零点漂移

9、设在差分式放大电路中输入信号为vi1=1050uV，vi2=950uV，若电路的| Avd | = 100，| Avc | = 2。则最大输出电压| vo|=________。
A、12mV
B、10mV
C、200mV
D、120mV
E、100mV

10、在图示的射极耦合差分式放大电路中，VCC＝VEE＝10V，IO＝1mA，ro＝25kW，Rc1＝Rc2＝10kW，BJT的β＝200，VBE＝0.7V。当vi1＝vi2＝0时，VCE1＝VCE2＝________；由T1集电极单端输出时的差模电压增益Avd1?________，共模抑制比KCMR ?________。
A、5.7V, -93.5, 467.5
B、5V, -93.5, 467.5
C、5.7V, 93.5, 467.5
D、5V, 93.5, 767.5

11、 求第一级电路的静态工作点？
A、IBQ=6.7A；ICQ1mA；UCEQ1=4.7V
B、IBQ=7.7mA；ICQ10mA；UCEQ1=6.7V
C、IBQ=2.7A；ICQ1A；UCEQ1=3.7V
D、IBQ=3.7A；ICQ10mA；UCEQ1=1.7V

12、 求第二级电路的静态工作点？
A、IBQ=13A；ICQ2mA；UCEQ2=2V
B、IBQ=13A；ICQ1mA；UCEQ2=4.7V
C、IBQ=6.7A；ICQ13A；UCEQ2=4.7V
D、IBQ=2A；ICQ6.7mA；UCEQ2=4.7V

13、 求放大倍数、输入电阻、输出电阻？
A、放大倍数=176；输入电阻=48k；输出电阻=48
B、放大倍数=-176；输入电阻=1.94k；输出电阻=48
C、放大倍数=-76；输入电阻=40k；输出电阻=40
D、放大倍数=-76；输入电阻=1.94k；输出电阻=40

14、
A、1、2、3、4、5、6、7
B、1、3、7、2、6、5、4
C、1、3、7、5、4、2、6、
D、1、3、6、5、4、7、2、

15、下图中=100，UBE=0.7V，求电流源的输出。
A、100A
B、200A
C、150A
D、10A

16、下图中的D1和D2和作用是？
A、消除饱和失真
B、消除截止失真
C、消除交越失真
D、消除惰性失真

17、差分式放大电路与单管放大电路相比，增加了大约一倍的元器件，但获得了抑制零点漂移的能力。

18、共模抑制比是衡量放大电路电压放大能力的指标。

19、差分式放大电路中源极或射极公共支路上的电流源动态电阻ro对共模输入信号来说相当于短路。

20、差分式放大电路的漏极或集电极带镜像有源负载时，可以使单端输出等效为双端输出。

21、因为集成运放内部电路是直接耦合放大电路，所以它只能放大直流信号，不能放大交流信号。

22、当希望集成运放尽可能接近理想运放时，要求Avo、rid、KCMR越大越好。

23、当希望集成运放尽可能接近理想运放时，要求ro、IIB、IIO、VIO、DIIO/DT、DVIO/DT越小越好。

24、当希望集成运放尽可能接近理想运放时，要求BW(fH) 、SR越小越好。

25、运放的开环差模电压增益下降3分贝所对应的频率fH是较低的，一般通用型运放的fH约为几赫兹至几十赫兹。

26、在设计运放构成的交流放大电路时，需要特别关注运放输入端的直流通路。

27、在单电源工作的运放电路中，输出静态电压的设置都与输入信号无关。

28、IIB、IIO、VIO的影响只会产生输出静态误差，不会导致运放工作异常。

29、轨到轨运算放大器消除了失调电压和失调电流的影响。

测验5：放大电路中的反馈测验题

测验5：放大电路中的反馈测验题

1、对于放大电路，所谓开环是指 。
A、无电源
B、无信号源
C、无反馈通路
D、无负载

2、对于放大电路，所谓闭环是指 。
A、有信号源
B、有反馈通路
C、接入了电源
D、接入了负载

3、温度升高时，若想稳定放大电路的静态工作点，应当引入 负反馈。
A、交流
B、直流
C、电压
D、电流

4、在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的反馈是负反馈。
A、输入电阻增大
B、输出量增大
C、净输入量增大
D、净输入量减小

5、为了稳定放大电路的输出电压，应引入 负反馈。
A、电压取样
B、电流取样
C、串联输入
D、并联输入

6、为了减小放大电路的输入电阻，应引入 负反馈。
A、电压
B、电流
C、串联
D、并联

7、为了增大放大电路的输出电阻，应引入 负反馈。
A、电压取样
B、电流取样
C、串联输入
D、并联输入

8、图示电路级间引入了 反馈，该反馈属于 反馈。
A、正，直流
B、负，交流
C、负，直交流
D、正，直交流

9、图示电路级间引入了 反馈，该反馈属于 反馈。
A、正，直流
B、负，交流
C、负，直交流
D、正，直交流

10、图示电路级间引入了 反馈，该反馈属于 反馈。
A、正，直流
B、负，交流
C、负，直交流
D、正，直交流

11、图示电路中级间的交流反馈属于_________。
A、电流串联正反馈
B、电流串联负反馈
C、电压串联负反馈
D、电流并联负反馈
E、电压并联负反馈
F、电压并联正反馈

12、图示电路中级间的交流反馈属于__________。
A、电压串联正反馈
B、电流串联负反馈
C、电压串联负反馈
D、电流并联负反馈
E、电压并联负反馈
F、电流并联正反馈

13、图示电路中级间的交流反馈属于_________。
A、电压串联正反馈
B、电流串联负反馈
C、电压串联负反馈
D、电流并联负反馈
E、电压并联负反馈
F、电流并联正反馈

14、图中最适合用于电流到电压转换的电路是 。
A、
B、
C、
D、
E、

15、已知放大电路的开环增益为2000，反馈系数为0.01，则闭环增益为 ，反馈深度为 。
A、95.2，21
B、100，21
C、95.2，20
D、100，20

16、已知放大电路输入信号电压为1mV，输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出时需要加的输入信号为50mV，那么电路的反馈深度为 ，反馈系数为 。
A、50，0.049
B、20，0.05
C、50，0.001
D、20，0.01

17、由运放组成的同相放大电路中，已知运放的开环增益为，Rf =51kW，R1 =5.1kW，那么反馈系数约为 ，闭环电压增益约为 。
A、0.098，10.2
B、0.091，11
C、0.1，-10
D、10，-10

18、设图示电路满足深度负反馈条件，则其闭环电压增益为 。
A、
B、
C、
D、

19、设图示电路满足深度负反馈条件，则它的反馈系数为________，闭环增益约为________，闭环电压增益约为________。
A、，，
B、，，
C、，，
D、，，

20、设图示电路满足深度负反馈条件，则它的闭环电压增益 ________。
A、
B、
C、
D、

21、图示电路中级间的交流反馈属于_________，（电路中的电容对交流信号均可视为短路）。
A、正反馈
B、负反馈
C、电压反馈
D、电流反馈
E、串联反馈
F、并联反馈

22、图示电路中的交流反馈属于_________，（电路中的电容对交流信号均可视为短路）。
A、正反馈
B、负反馈
C、电压反馈
D、电流反馈
E、串联反馈
F、并联反馈

23、图示电路中级间的交流反馈属于_________。
A、正反馈
B、负反馈
C、电压反馈
D、电流反馈
E、串联反馈
F、并联反馈

24、图示电路中级间的交流反馈的作用是________。
A、稳定输出电压
B、稳定输出电流
C、增大输入电阻
D、减小输入电阻
E、增大输出电阻
F、减小输出电阻

25、图示电路中级间的交流反馈的作用是_________。
A、稳定输出电压
B、稳定输出电流
C、增大输入电阻
D、减小输入电阻
E、增大输出电阻
F、减小输出电阻

26、图示电路中级间的交流反馈的作用是_________。
A、稳定输出电压
B、稳定输出电流
C、增大输入电阻
D、减小输入电阻
E、增大输出电阻
F、减小输出电阻

27、由于引入负反馈后，放大电路的增益会明显下降，所以引入负反馈对放大电路没有好处。

28、环路增益就是闭环增益。

29、负反馈只能改善环路内的放大电路性能，对反馈环外的电路无效。

30、放大电路的增益-带宽积在任何情况下都是一个常数。

31、无论在什么情况下，分析运算放大器组成的电路时，都可以运用虚短和虚断的概念。

32、为了改善反馈放大电路的性能，引入的负反馈深度越深越好。

33、只要反馈放大电路由负反馈变成了正反馈，就一定会产生自激。

34、只要基本放大电路的幅频响应在0dB以上的衰减斜率只有-20dB/十倍频，那么由电阻网络引入任何深度的负反馈时，都不会产生自激振荡。

测验7：波形的发生和信号的转换

测验7：波形的发生和信号的转换

1、若信号频率低于20Hz，应选用______滤波器。
A、低通
B、高通
C、带通
D、带阻

2、希望抑制50Hz的交流电源干扰，应选用______滤波器。
A、低通
B、高通
C、带通
D、带阻

3、信号频率覆盖500Hz~50kHz，应选用______滤波器。
A、低通
B、高通
C、带通
D、带阻

4、单门限比较器只有______个门限值，而滞回比较器则有______个门限电压值。
A、1，2
B、2，3
C、2，1
D、1，1

5、若希望在输入电压小于-3V时，输出电压为高电平；而在输入电压大于+3V时，输出电压为低电平。可采用________电压比较器。
A、反相迟滞
B、同相迟滞
C、反相单门限
D、同相单门限

6、电路如图示，为了使电路能够起振，R3至少应该 。电路的振荡频率约为 。
A、大于1.3kW，1kHz
B、大于2.7kW，1kHz
C、小于1.3kW，1kHz
D、小于1.3kW，100Hz
E、大于1.3kW，10kHz
F、大于2.7kW，10kHz

7、图示电压比较器的阈值电压为 。（图中VZ＝9V）。
A、0V
B、+3V和-3V
C、+5V和-5V
D、+6V和-6V

8、方波-三角波产生电路如图示，但是该电路有错误，其错误是 。
A、电容参数不合适
B、C1的两个输入端接反了
C、A2的两个输入端接反了
D、不能用D2

9、有源滤波电路通常由集成运放和电阻、电容组成。

10、带通滤波器的Q值越大，它的通带宽度就越窄（设它的中心频率远大于带宽）。

11、低通滤波器的通带上限截止频率一定低于高通滤波器的通带下限截止频率。

12、在采用正反馈方框图的条件下，如果正弦波振荡电路反馈网络的相移为jf，放大电路的相移为ja，那么只有，才能满足相位平衡条件。

13、只要满足相位平衡条件，且，就能产生自激振荡。

14、在放大电路中，只要具有正反馈，就会产生自激振荡。

15、在RC桥式正弦波振荡电路中，实现稳幅的指导思想通常是，使负反馈随着输出电压幅值的增加而加强（即电压增益下降）。

16、非正弦波产生电路的振荡条件与正弦波振荡电路的振荡条件相同。

17、用于电压比较器的运放总是工作在开环状态或正反馈状态下。

测验8：功率放大电路

测验8：功率放大电路测验题

1、为了使负载获得尽可能大的功率，对功率放大电路的基本要求是 。
A、输出信号电压尽可能大
B、输出信号电流尽可能大
C、输出信号的电压和电流都尽可能大
D、输出信号的电压大电流小

2、放大电路的工作方式有甲类、乙类和甲乙类等，其中甲乙类放大器中放大管的导通角 。
A、π
B、2π
C、大于π小于2π
D、小于π

3、以下放大电路中，效率最高的是 。
A、甲类放大器
B、乙类放大器
C、甲乙类放大器
D、差分式放大器

4、功率管2N6078室温下的参数为，VCE(max)=250V，IC(max)=7A，PC(max)=45W，若电路工作时VCE＝20V，则IC的最大电流为 。
A、7A
B、3.5A
C、2.25A
D、无限制

5、电路如图示，设VCC＝12V，RL＝8Ω，输入信号vi为正弦波，若BJT的饱和压降为2V，负载可得到的最大的输出功率为 。
A、12.5W
B、6.25W
C、18W
D、9W

6、电路如图所示，设RL＝8Ω，输入信号vi为正弦波，若BJT的饱和压降可忽略不计，负载可得到的最大不失真的输出功率为9W时，电源电压VCC至少应该为 。
A、大于等于12V
B、大于等于24V
C、大于等于6V
D、大于等于18V

7、在图示电路中，二极管D1、D2和R3的作用是 。
A、整流
B、克服交越失真
C、滤波
D、限幅

8、设计一个输出功率为100W的功率放大电路，则该功放电路的每个功放管的最大管耗至少应该为 。
A、20W
B、30W
C、40W
D、50W

9、乙类互补对称功率放大电路如图所示，采用双电源供电，若忽略BJT的饱和压降，则功率管承受的最大反向电压为 。
A、VCES
B、2VCC
C、2VCC－VCES
D、2(VCC－VCES)

10、图示MOSFET功率放大器，当输入为正弦交流信号时，输出会有交越失真。

11、为了克服功率放大电路的交越失真，图中(a)电路更好。

12、图示电路工作时，会产生明显的交越失真。

测验9：直流电源

测验9：直流稳压电源测验题

1、整流是________。
A、将交流变为直流
B、将高频变为低频
C、将正弦波变为方波
D、电压变为电流

2、在桥式整流电路中，负载流过电流IL，则每只整流管中的平均电流ID为________。
A、IL/2
B、IL
C、IL/4
D、2IL

3、在单相桥式整流电路中，输出电压的平均值VL与变压器副边电压有效值V2的关系为_______。
A、VL=0.9 V2
B、VL=1.4 V2
C、VL=0.45 V2
D、VL=1.2 V2

4、在单相桥式整流电容滤波电路中，输出电压的平均值VL与变压器副边电压有效值V2的关系为通常为_______。
A、VL=0.9 V2
B、VL=1.4 V2
C、VL=0.45 V2
D、VL=1.2 V2

5、在图示电路中，忽略二极管的正向压降，每个二极管的最大反向电压为_____（V2为变压器副边电压的有效值）。
A、
B、
C、
D、

6、如图所示电路中，若变压器副边电压有效值为20V，此时图中A点电压约为_____。
A、20V
B、24V
C、28V
D、30V

7、图示电路中，图中A点对地的电压为_____，B点对地的电压为_____。
A、-15V，+15V
B、+9V，-9V
C、-18V，+18V
D、+15V，-15V

8、在选择整流元件时，只要考虑负载所需的直流电压和直流电流。

9、单相桥式整流电路的输出电压平均值比半波整流时增加了一倍。

10、在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，将造成短路。

11、在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则整流管将因电流过大而烧坏。

测验6：信号的运算和处理

测验6：信号的运算和处理

1、理想运算放大器的参数是开环电压增益Avo = ，输入电阻ri = ，输出电阻ro = 。
A、0，∞，∞
B、∞，0，∞
C、∞，0，0
D、∞，∞，0

2、放大电路中，运算放大器的反相输入端为虚地，而 放大电路中，运算放大器的两个输入端对地电压是不为零的。
A、同相，反相
B、反相，同相
C、同相，同相
D、反相，反相

3、欲将方波电压转换为三角波电压，应选用 。
A、反相输入式放大电路
B、同相输入式放大电路
C、积分运算电路
D、微分运算电路
E、加法运算电路

4、欲将方波电压转换为尖脉冲电压，应选用 。
A、反相输入式放大电路
B、同相输入式放大电路
C、积分运算电路
D、微分运算电路
E、加法运算电路

5、欲将输入电压信号放大-100倍，应选用 。
A、反相输入式放大电路
B、同相输入式放大电路
C、积分运算电路
D、微分运算电路
E、同相加法运算电路

6、电路如图8所示，假设运算放大器是理想的，则图（a）Av = vO/vI = ，Ri = ；图（b）Av = vO/vI = ，Ri = 。
A、图（a）Av =11，Ri =1 kΩ；图（b）Av＝1；Ri =1 kΩ
B、图（a）Av = -10，Ri =1 kΩ；图（b）Av＝1；Ri =1 kΩ
C、图（a）Av = 11，Ri =1 kΩ；图（b）Av＝1；Ri =∞
D、图（a）Av = -10，Ri =1 kΩ；图（b）Av＝1；Ri =∞

7、电路如图9所示，假设运算放大器为理想的，那么vO = f(vI) = 。
A、
B、
C、
D、

8、理想运算放大器构成的电路如图10所示， = 。
A、
B、
C、
D、

9、加减法运算电路如图11所示，设运算放大器是理想的，则输出电压和输入电压的关系式为 。
A、
B、
C、
D、

10、电路如图12所示，假设运算放大器均为理想的，则= 。
A、
B、
C、
D、

11、电路如图13所示，开关S闭合时电路增益 ＝ ；开关S断开时电路增益 ＝ 。
A、
B、
C、
D、

12、在运算放大器构成的线性运算电路中一般均引入负反馈。

13、在线性运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。

14、集成运放在开环情况下一般都工作在非线性区。

15、放大电路中的运算放大器只要是理想的，就一定存在虚短和虚断。

16、电压跟随器的电压增益为1，所以其对信号放大没有贡献。

2020上《模拟电子技术》期末考试（19电信12班）

2020上《模拟电子技术》期末考试试题

1、设二极管导通电压为0.7V，求下图所示电路的输出电压为（ ）。
A、1.3V
B、0
C、-1.3V
D、2V

2、测得某电路中NPN三极管的三个极的直流电位为：基极Ub=0.7V，发射极Ue=0V，集电极Uc=5V，该晶体管处于（ ）工作状态。
A、放大
B、截止
C、饱和
D、无法判定

3、下图表示的是N沟道增强型MOS管的特性曲线，图中显示其开启电压为（ ）。
A、0V
B、4V
C、6V
D、10V

4、下图的交流等效电路是（ ）。
A、
B、
C、
D、

5、下图表示的基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点（ ）最靠近截止区，最容易出现截止失真。
A、Q1
B、Q2
C、Q3
D、Q4

6、在多级放大电路中，若第一级放大10倍，第二级也放大10倍，则整个放大电路放大（ ）倍。
A、1
B、10
C、20
D、100

7、集成运放电路由输入级、中间级、输出级和偏置电路四部分组成，其中输入级一般采用的是（ ）电路。
A、差分放大电路
B、共射放大电路
C、互补输出电路
D、电流源电路

8、若电路参数理想对称，双端输入双端输出的差分放大电路的共模放大倍数Ac=（ ）。
A、0
B、无穷大
C、1
D、10

9、在下图表示的镜像电流源中，当（ ）时，集电极输出电流Ic1与基准电流IR基本相等。
A、0
B、1
C、2
D、3

10、下图表示的是（ ）负反馈。
A、电压串联
B、电压并联
C、电流串联
D、电流并联

11、下图为电压串联负反馈电路，R2=100k，R1=10k，其反馈系数F等于（ ）。
A、11
B、1/10
C、1/11
D、1/110

12、若减小电路从信号源索取的电流，增强带负载能力，应在放大电路中引入（ ）。
A、电压串联负反馈
B、电压并联负反馈
C、电流串联负反馈
D、电流并联负反馈

13、对于放大电路，开环与闭环的区别在于（ ）。
A、是否考虑信号源内阻
B、是否存在反馈通路
C、是否接入负载
D、是否接入电源

14、下图所示放大电路中，其放大倍数为（ ）。
A、-55
B、55
C、-50
D、50

15、某滤波器的截止频率为fp，若频率低于fp的信号能够通过，而频率高于fp的信号被衰减，该滤波器为（ ）滤波器
A、低通
B、高通
C、带通
D、带阻

16、下图表示的是RC桥式正弦波振荡电路，为保证电路能够起振，必须保证（ ）。
A、Rf 5R1
B、Rf 4R1
C、Rf 3R1
D、Rf 2R1

17、下图所示的是（ ）比较器的电压传输特性。
A、过零比较器
B、单限比较器
C、滞回比较器
D、窗口比较器

18、下面哪个电路中uo输出的是占空比可调的矩形波（ ）。
A、
B、
C、
D、

19、OTL表示的是（ ）功率放大电路。
A、变压器耦合乙类推挽
B、无输出变压器
C、无输出电容
D、桥式推挽

20、下图所示电路中，D1和D2的作用是消除（ ）。
A、交越失真
B、截止失真
C、饱和失真
D、负峰切割失真

21、在下图所示电路中，Vcc=15V，晶体管饱和压降Uces=3V，负载RL=4，最大输出功率为（ ）。
A、36w
B、25w
C、18w
D、9w

22、在选择功率放大电路中的晶体管时，应根据晶体管所承受的最大管压降、集电极最大电流和（ ）来选择。
A、集电极最大功耗
B、集电极最小功耗
C、饱和压降
D、电源电压

23、功率放大电路的转换效率是指（ ）。
A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比
B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比
C、晶体管管压降与电源电压之比
D、最大输出电压与电源电压之比

24、在下图所示的半波整流电路中，已知电网电压的波动范围是10%，变压器二级电压有效值为30V，则二极管承受的最大反向电压是（ ）。
A、46.7V
B、42.42V
C、30V
D、33V

25、为了获得较好的滤波效果，在实际电路中，应选择滤波电容的容量满足RLC=（ ）T/2的条件。
A、2~5
B、2~3
C、3~5
D、4~5

26、N型半导体中，多子是自由电子，少子是空穴。

27、晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结反偏且集电结正偏。

28、共模抑制比是考察差分放大电路对共模信号抑制能力和对差模信号放大能力的一个指标参数。

29、放大电路中引入交流负反馈后，其性能会得到多方面的改善，如可以稳定放大倍数、改变输入电阻和输出电阻、展宽频带、减小非线性失真等。

30、欲将方波电压转换成三角波电压，应选用乘方运算电路。

31、本征半导体有两种载流子，即自由电子和 均参与导电，这是半导体导电的特殊性质。

32、绝缘栅型场效应管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和 。

33、根据反馈的效果可以区分反馈的极性，使基本放大电路净输入量增大的反馈称为 反馈。

34、已知输入信号的频率为10~12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用 滤波电路。

35、单相交流电经过电源变压器、 电路、滤波电路和稳压电路转换成稳定的直流电压。

2020上《模拟电子技术》期末考试试题

1、下图为阻容耦合放大电路，已知Vcc=12V，Rb=500k，Rc=3k，=100，rbe=1k，UBEQ=0.7V，求： （1）画出直流通路，计算静态工作点Q。 （2）画出交流等效电路，求放大电路的输入电阻、输出电阻。若此时放大电路的放大倍数为-150，求负载RL为多少千欧？ （3）若在输入端加一个内阻为2k的信号源，如下图所示，求Aus=?

2、求解下图所示电路的运算关系（要求求出uo1和uo）。

3、下图为一般单限比较器，请画出其电压传输特性。（要求写明具体的求解过程）

4、已知变压器副边电压有效值为20V，电容足够大，分别求解下列情况下输出电压平均值UO（AV）≈？ （1）正常工作； （2）C开路； （3）RL开路； （4）D1和C同时开路。

学习通模拟电子技术_8

1. 概述

模拟电子技术是指以电流、电压、电阻、电容和电感等的变化作为信息的传输，通过模拟电路进行信号的处理、增强和传输。

模拟电子技术在电子通信、电视、广播、音频、工业控制等领域得到了广泛应用。

2. 基本电路

模拟电子技术的基本电路包括放大电路、滤波电路、振荡电路、调制与解调电路等。

放大电路是指通过放大器对输入信号进行放大，增加输出信号的幅度。

滤波电路是指将指定频率范围内的信号通过，而去除其他频率范围内的信号。

振荡电路是指通过反馈，使得电路产生自激振荡，输出一个周期性的信号。

调制与解调电路是指将模拟信号和载波信号进行合成，以便传输和解析。

3. 放大器

放大器是指将输入信号进行放大，增加输出信号的幅度的电路。

放大器根据放大的方式可以分为电压放大器、电流放大器和功率放大器。

电压放大器是通过放大输入信号的电压，增加输出信号的幅度。

电流放大器是通过放大输入信号的电流，增加输出信号的幅度。

功率放大器是通过放大输入信号的功率，增加输出信号的幅度。

4. 滤波器

滤波器是指将指定频率范围内的信号通过，而去除其他频率范围内的信号的电路。

滤波器根据滤波的方式可以分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器。

低通滤波器是指将低于指定频率的信号通过，而去除高于指定频率的信号。

高通滤波器是指将高于指定频率的信号通过，而去除低于指定频率的信号。

带通滤波器是指将指定频率范围内的信号通过，而去除其他频率范围内的信号。

带阻滤波器是指将指定频率范围外的信号通过，而去除指定频率范围内的信号。

5. 振荡器

振荡器是指通过反馈，使得电路产生自激振荡，输出一个周期性的信号的电路。

振荡器根据输出信号的波形可以分为正弦波振荡器、方波振荡器、三角波振荡器等。

正弦波振荡器是指输出信号为正弦波的振荡器。

方波振荡器是指输出信号为方波的振荡器。

三角波振荡器是指输出信号为三角波的振荡器。

6. 调制与解调

调制是指将模拟信号和载波信号进行合成，以便传输。

解调是指将合成的信号通过解调电路还原成原始的模拟信号。

调制可以分为幅度调制、频率调制和相位调制。

解调可以分为振幅解调、频率解调和相位解调。

7. 应用

模拟电子技术在电子通信、电视、广播、音频、工业控制等领域得到了广泛应用。

电子通信中，模拟电子技术用于信号的放大、滤波、调制、解调等。

电视、广播和音频领域中，模拟电子技术用于信号的处理、增强和传输。

工业控制中，模拟电子技术用于传感器信号的处理、放大和滤波。

8. 总结

模拟电子技术是以电流、电压、电阻、电容和电感等的变化作为信息的传输，通过模拟电路进行信号的处理、增强和传输。

模拟电子技术的基本电路包括放大电路、滤波电路、振荡电路、调制与解调电路等。

模拟电子技术在电子通信、电视、广播、音频、工业控制等领域得到了广泛应用。