尔雅模拟电子技术基础_22章节答案(学习通2023完整答案)
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第一节 本征半导体随堂测验
1、在绝对零度（0 K）时，模拟本征半导体中（）载流子。电技答案
A、术基有
B、础章没有
C、节答少数
D、案学多数
2、习通在热激发条件下，完整少数价电子获得足够激发能，尔雅进入导带，模拟产生（）。电技答案
A、术基负离子
B、础章空穴
C、节答正离子
D、电子-空穴对
3、半导体中的载流子为（）。
A、电子
B、空穴
C、正离子
D、电子和空穴
4、半导体中的空穴是（ ）。
A、半导体中的晶格缺陷形成的
B、电子脱离共价键后留下的空位
C、带正电的离子
D、外部注入
5、本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
6、半导体中的空穴带正电。
第二节 杂质半导体随堂测验
1、N型半导体中的多子是（）。
A、电子
B、空穴
C、正离子
D、负离子
2、P型半导体中的多子是（）。
A、电子
B、空穴
C、正离子
D、负离子
3、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A、掺杂工艺
B、杂质浓度
C、晶体缺陷
D、温度
4、在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） 。
A、温度
B、掺杂工艺
C、杂质浓度
D、晶体缺陷
5、在本征半导体中加入（）元素可形成N型半导体。
A、五价
B、四价
C、三价
D、任意
6、在本征半导体中加入（）元素可形成P型半导体。
A、五价
B、四价
C、三价
D、任意
7、P型半导体带正电，N型半导体带负电。
8、在N型半导体中，掺入高浓度的三价硼元素可以改型为P型半导体。
第三节 PN结随堂测验
1、在下列说法中只有（）说法是正确的。
A、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得
B、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体
C、P型半导体带正电，N型半导体带负电
D、PN结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的
2、在下列说法中只有（）说法是正确的。
A、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的
B、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过
C、PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性
D、扩散电流是少子运动产生的
3、当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流。
A、大于
B、小于
C、等于
D、不确定
4、当PN结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流。
A、大于
B、小于
C、等于
D、不确定
5、下列说法正确的是（）。
A、PN结正偏导通，反偏导通
B、PN结正偏截止，反偏导通
C、PN结正偏导通，反偏截止
D、PN结正偏截止，反偏截止
6、当P型半导体和N型半导体相接触时，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域？
A、阻挡层
B、耗尽层
C、空间电荷区
D、突变层
7、一个平衡PN结，用导线将P区和N区连起来，而导线中（）。
A、有微弱电流
B、无电流
C、有瞬间微弱电流
D、有较大电流
8、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
第二讲 二极管基础
第一节 二极管的组成随堂测验
1、半导体二极管的重要特性之一是（）。
A、温度稳定性
B、单向导电性
C、放大作用
D、滤波特性
2、整流电路中的二极管应采用点接触型二极管。
3、在高频电路中的检波管通常采用点接触型二极管。
第二节 二极管的伏安特性和电流方程随堂测验
1、在如图所示的电路中，当电源V1＝5V时，测得I＝1mA。若把电源电压调整到V1＝10V，则电路中的电流I的值将是（）。
A、I = 2mA
B、I < 2mA
C、I > 2mA
D、I = 0mA
2、二极管两端电压大于（）电压时，二极管才导通。
A、击穿电压
B、死区
C、饱和
D、0V
3、在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而（）。
A、增大
B、不变
C、减小
D、不确定
4、用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的（）电阻，由于不同量程时通过二极管的电流（），所测得正向电阻阻值（）。
A、静态、相同、相同
B、动态，相同，相同
C、静态，不同，不同
D、动态，不同，不同
5、设某二极管在正向电流ID＝10mA时，其正向压降UD＝0.6V。当二极管的结温升高10℃，若要UD保持不变，则ID的值为（）。
A、小于10mA
B、大于10mA
C、等于10mA
D、不确定
6、设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是（）。
A、
B、
C、
D、
7、在25oC时，某二极管的死区电压Uth≈0.5V，反向饱和电流IS≈0.1pA，则在35oC时，下列哪组数据可能正确。
A、Uth≈0.525V，IS≈0.05pA
B、Uth≈0.525V，IS≈0.2pA
C、Uth≈0.475V，IS≈0.05pA
D、Uth≈0.475V，IS≈0.2pA
8、设某二极管反向电压为10V时，反向电流为 0.1μA 。在保持反向电压不变的条件下，当二极管的结温升高10℃，反向电流大约为（ ）。
A、0.05μA
B、0.1μA
C、0.2μA
D、1μA
第三节 二极管的主要参数随堂测验
1、关于二极管的反向电流，下列说法正确的是（）。
A、反向电流越大越好
B、反向电流越大二极管的单向导电性越好
C、反向电流越大二极管的温度稳定性越不好
D、反向电流越大二极管的温度稳定性越好
2、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（）。
A、正、反向电阻相等
B、正向电阻大，反向电阻小
C、反向电阻远大于正向电阻
D、正、反向电阻都很大
3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（）。
A、多数载流子浓度增大
B、少数载流子浓度增大
C、多数载流子浓度减小
D、少数载流子浓度减小
4、二极管只要反偏，必然截至。
5、二极管的单向导电性与信号频率无关。
第三讲 二极管电路分析及应用
第一节 二极管电路分析思路随堂测验
1、电路的静态和动态之间相互独立，没有联系。
2、在电子电路分析过程中，应先动态后静态。
3、将放大电路没有交流信号输入，只有直流电源单独作用的状态称为 。
4、将放大电路有交流信号输入的状态称为 。
第五节 常见二极管应用电路随堂测验
1、电路如图所示，设二极管D1，D2，D3的正向压降忽略不计，则输出电压uO =（ ）。
A、－2V
B、0V
C、6V
D、12V
2、图中二极管可视为理想二极管，A、B、C三个灯具有完全相同的特性，其中最亮的灯是（ ）。
A、A
B、B
C、C
D、一样亮
3、二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo为（）。 (设二极管的导通压降为0.7V。)
A、0V
B、-0.7V
C、-1.7V
D、1V
4、在如图所示电路中，二极管是理想的，电阻R=6Ω。当普通指针式万用表置于R×1Ω档时，用黑表笔（正电）接A点，红表笔（负电）接B点，则万用表的指示值为（）。
A、18Ω
B、9Ω
C、3Ω
D、2Ω
5、图中各二极管的导通压降均为0.7V，UO= V。
第四讲 其他类型的二极管
第一节 稳压二极管基础随堂测验
1、以下哪个符号是稳压二极管的符号（）。
A、
B、
C、
D、
2、稳压管的稳压区是其工作在（）区。
A、正向导通
B、死区
C、反向截止
D、反向击穿
3、某只硅稳压管的稳定电压Uz = 4V，其两端施加的电压分别为+5V（正向偏置）和－5V（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为（）。
A、+5V和-5V
B、-5V和+4V
C、+4V和-0.7V
D、+0.7V和-4V
4、稳压二极管构成的稳压电路，其正确接法是（）。
A、稳压管与负载电阻串联
B、限流电阻与稳压管串联后，负载电阻再与稳压管串联
C、稳压管与负载电阻并联
D、限流电阻与稳压管串联后，负载电阻再与稳压管并联
5、稳压二极管的正向特性与普通二极管正向特性基本一致。
第二节 稳压二极管的应用随堂测验
1、设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出图中电路的输出电压Vo为（）。
A、13V
B、5V
C、8V
D、1.4V
2、设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出图中电路的输出电压Vo为（）。
A、4.3V
B、8V
C、5V
D、0.7V
3、设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出图中电路的输出电压Vo为（）。
A、4.3V
B、8V
C、5V
D、0.7V
4、在如图所示电路中，已知稳压管DZ1、DZ2的稳定电压分别为6V和7V，且具有理想的稳压特性，可求得输出电压为（）。
A、1V
B、6V
C、13V
D、7V
5、在如图所示电路中，已知稳压管DZ1、DZ2的稳定电压分别为6V和7V，且具有理想的稳压特性，可求得输出电压为（）。
A、6V
B、7V
C、5V
D、1V
6、下图所示电路中，稳压管DZ的稳定电压VZ = 6V，最小稳定电流Izmin = 5mA，输入电压VI = 12V，电阻R=100Ω，在稳定条件下IL的数值最大不应超过（）。
A、40mA
B、45mA
C、55mA
D、60mA
第三节 其他类型的二极管随堂测验
1、能够进行光电转换的二极管是（）。
A、发光二极管
B、光电二极管
C、稳压二极管
D、变容二极管
2、发光二极管的符号是（）。
A、
B、
C、
D、
3、变容二极管是利用二极管的结电容可变的原理工作的。
4、普通二极管也可以稳压（）。
5、所有的二极管都工作在正偏状态（）。
仿真作业
1、限幅电路和稳压管电路仿真
半导体基本知识、二极管及其基本电路作业校订
1、半导体基本知识、二极管及其基本电路作业修订
半导体基本知识、二极管及其基本电路作业
1、半导体二极管基本知识习题
第五讲 双极型晶体管
第一节 晶体管的结构和工作原理随堂测验
1、NPN型晶体管的符号是（）。
A、
B、
C、
D、
2、PNP型晶体管的符号是（）。
A、
B、
C、
D、
3、晶体管有（ ）个PN结。
A、1
B、2
C、3
D、4
4、晶体管的三个极为（）。（注：多选）
A、阳极
B、基极
C、发射极
D、集电极
5、晶体管是一种将输入电流进行放大的半导体元器件。
第二节 晶体管的放大原理随堂测验
1、工作在放大状态的某PNP晶体管，各电极电位关系为（）。
A、VC<VB<VE
B、VC>VB>VE
C、VC<VE<VB
D、VC>VE>VB
2、晶体管在放大状态时，其电压偏置条件为（）。
A、集电结正向偏置、发射结正向偏置
B、集电结正向偏置、发射结反向偏置
C、集电结反向偏置、发射结反向偏置
D、集电结反向偏置、发射结正向偏置
3、双极型晶体管的电流是由（）运动形成的。
A、多子
B、少子
C、多子和少子两种载流子
D、自由电子
4、在某放大电路中三极管工作在放大状态，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。
A、NPN 型硅管
B、NPN 型锗管
C、PNP 型硅管
D、PNP 型锗管
5、NPN型三极管放大电路中，测得三极管三个引脚对地电位分别是：UA=3.3V，UB=4V，UC=6V，则A、B、C对应的电极是（）。
A、C，B，E
B、B，C，E
C、E，C，B
D、E，B，C
6、下列哪个式子正确的描述了晶体管的电流放大能力（）。
A、IE=βIB
B、IC=αIB
C、IC=βIB
D、IE=αIB
7、双极型三极管由两个PN结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。
8、晶体管的发射区和集电区均为同种类型的半导体，所以发射极和集电极可以调换使用。
第三节 晶体管的伏安特性随堂测验
1、晶体管是（ ）器件。
A、电流控制电流
B、电流控制电压
C、电压控制电压
D、电压控制电流
2、管压降UCE增大，共发射极接法的晶体管的输入特性曲线（）。
A、左移
B、右移
C、上移
D、下移
3、晶体管的输出特性描述的是当（）为常数时，（）随（）变化的函数。
A、Ic Ib Uce
B、Ib Ic Uce
C、Uce Ib Ube
D、Uce Ic Ib
4、某晶体三极管的IB 从20μA变化到40μA时，对应的IC从2mA变化到5mA，则该管的β等于（）。
A、100
B、150
C、200
D、300
5、对于小功率晶体管，可以用UCE大于1V的一条输入特性曲线来取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。
第四节 晶体管的工作区随堂测验
1、已知某晶体管UBE=0.7V，UCE=3V，则该管工作在（）区。
A、放大
B、饱和
C、截止
D、击穿
2、在实际电路中判别晶体管是否工作在饱和状态，最简单的是测量（）。
A、IB
B、UCE
C、UBE
D、IC
3、当晶体管工作在截止区，发射结和集电结偏置状态应为（）。
A、前者正偏，后者也正偏
B、前者正偏，后者反偏
C、前者反偏，后者正偏
D、前者反偏，后者也反偏
4、PNP型晶体三极管工作在截止区的条件是（）。
A、UBE>0，UCB>0
B、UBE>0，UCB<0
C、UBE<0，UCB>0
D、UBE<0，UCB<0
5、晶体管的开关作用是（）。
A、饱和时集-射极断开，截止时集-射极断开
B、饱和时集-射极断开，截止时集-射极接通
C、饱和时集-射极接通，截止时集-射极断开
D、饱和时集-射极接通，截止时集-射极接通
6、某放大电路如图所示。设VCC>>UBE，ICEO≈0，则在静态时该三极管处于（）。
A、放大区
B、饱和区
C、截止区
D、区域不定
7、如图所示的电路中的三极管β=50，通过估算，可判断电路工作在（）区。
A、放大区
B、饱和区
C、截止区
D、击穿区
8、在如图所示共射放大电路中，三极管β＝50，UBE＝－0.2。问：当开关与A处相接时，三极管处于（）状态。
A、放大
B、饱和
C、截止
D、击穿
第五节 晶体管的主要参数随堂测验
1、温度上升时，半导体三级管的（）。
A、β和UBE增大，ICBO减小
B、β和ICBO增大，UBE下降
C、β减小，ICBO和UBE增大
D、β、ICBO和UBE均增大
2、某晶体管的极限参数PCM=150mW，ICM=100mA，UBR(CEO)=30V，若其工作电压UCE=10V和UCE=1V时，则工作电流分别不得超过（）。
A、100mA，100mA
B、15mA，100mA
C、15mA，150mA
D、100mA，15mA
3、3DG6型晶体管的集电极的最大允许电流ICM=20mA，发射极反向击穿电压U(BR)CEO=20V，集电极的最大允许耗散功率PCM=100mW，使用时测得其集电极电流IC=15mA，UCE=10V，则该管（）。
A、工作正常
B、放大能力较差
C、击穿
D、管子过热甚至烧坏
4、测量得到晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA，晶体管的共射电流放大系数β（）。
A、60
B、61
C、100
D、50
5、晶体管在大电流工作时，随Ic的增加β值将（）。
A、增加
B、下降
C、不变
D、不确定
6、三极管的反向电流ICBO是由（）运动产生的。
A、多数载流子
B、少数载流子
C、多数载流子和少数载流子
D、不确定
7、温度升高时，放大电路中的晶体管的输出特性曲线将（）。
A、上移并间距缩小
B、下移并间距增大
C、上移并间距增大
D、下移并间距缩小
8、某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管（）。
A、处于放大区域
B、处于饱和区域
C、处于截止区域
D、已损坏
Test1 二极管和晶体管
1、N型半导体中的多数载流子是（）。
A、空穴
B、自由电子
C、正离子
D、负离子
2、P型半导体中的多数载流子是（）。
A、空穴
B、自由电子
C、正离子
D、负离子
3、P型半导体（）。
A、带正电
B、带负电
C、呈中性
D、不确定
4、PN结中扩散电流的方向是（）。
A、从P区到N区
B、从N区到P区
C、双向流动
D、随机变化
5、PN结中漂移电流的方向是（）。
A、从P区到N区
B、从N区到P区
C、双向流动
D、变化
6、当PN结外加反向电压时，耗尽层（）。
A、变宽
B、变窄
C、不变
D、不确定
7、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（） 。
A、多数载流子浓度增大
B、少数载流子浓度增大
C、多数载流子浓度减小
D、少数载流子浓度减小
8、万用表的R×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R×1k档，测量同一二极管，则其正向电阻值（）。
A、增加
B、不变
C、减小
D、不能确定
9、用直流电压表测某电路晶体管的三个电极对地的电压分别如图所示。则1、2、3号管脚分别为（）。
A、BCE
B、EBC
C、CEB
D、CBE
10、用直流电压表测某电路晶体管的三个电极对地的电压分别如图所示。则1、2、3号管脚分别为（）。
A、BCE
B、EBC
C、BEC
D、CBE
11、在放大电路中，若测得某管的三个极电位分别为–2.5V、–3.2V、–9V，这三极管的类型是（ ）。
A、PNP型Ge管
B、PNP型Si管
C、NPN型Ge管
D、NPN型Si管
12、在放大电路中，若测得某管的三个极电位分别为1V、1.2V、6V，这三极管的类型是（ ）。
A、PNP型Ge管
B、PNP型Si管
C、NPN型Ge管
D、NPN型Si管
13、一个NPN管在电路中正常工作，现测得：UBE>0，UBC>0， UCE>0，则此管工作区为（）。
A、饱和区
B、截止区
C、放大区
D、不确定
14、电路图如图所示，设二极管的导通电压均为0.7V，则D1，D2，D3三个二极管的状态分别为（）。
A、均导通
B、截止 导通 截止
C、导通 导通 截止
D、导通 截止 导通
15、如图所示的电路中的三极管为硅管，β=50，通过估算,可判断电路工作在（）区。
A、放大区
B、饱和区
C、截止区
D、不确定
16、二极管电路如图a所示。在输入ui的作用下（ui波形如图b所示），其输出波形为（）。
A、
B、
C、
D、
17、判断右图电路中各二极管是否导通后，可求出VAO值为（）。（设二极管的正向压降VF为0.7V。）
A、5V
B、-6.3V
C、6.3V
D、-5.3V
18、在如图所示电路中，计算可得流过二极管的电流ID为（）。（设二极管导通时的正向压降UD=0.7V）。
A、0mA
B、3.6mA
C、2.75mA
D、4.8mA
19、一个NPN管在电路中正常工作，现测得UBE>0，UBC<0，UCE>0，则此管工作区为（ ）。
A、饱和区
B、截止区
C、放大区
D、不确定
20、晶体管的控制方式为（）。
A、电流控制电压
B、电流控制电流
C、电压控制电流
D、电压控制电压
21、在如下电路中，已知二极管的反向击穿电压为300V，当U=100V、温度为20°C时，I=1μA。则当U降低到50V时，则I约为（）。
A、0.1μA
B、0.5μA
C、1μA
D、2μA
22、在如下电路中，已知二极管的反向击穿电压为300V，当U=100V、温度为20°C时，I=1μA。当U保持100V不变，温度降低到10°C时，则I约为（）。
A、0.1μA
B、0.5μA
C、1μA
D、2μA
23、如下电路中的晶体管为硅管，β=100，则晶体管的工作状态为（）。
A、放大
B、截止
C、饱和
D、不确定
24、如下电路中的晶体管为硅管，β=100，则晶体管的工作状态为（）。
A、放大
B、截止
C、饱和
D、不确定
25、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA，下图所示电路中的UO1为（）V。
26、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA，下图所示电路中的UO2为（）V。
27、二极管电路如图所示。其中I1=（）mA。（二极管理想）
28、二极管电路如图所示。其中I=（）mA。（二极管理想）
29、二极管电路如图所示。其中I1=（）mA。（二极管理想）
30、二极管电路如图所示。其中I2=（）mA。（二极管理想）
31、二极管电路如图所示。其中I=（）mA。（二极管理想）
32、二极管电路如图所示。输出电压Uo值为（）V。（二极管理想）
33、在如图所示电路中，已知稳压管D1、D2的稳定电压分别为6V和7V，且具有理想的稳压特性，可求得输出电压为（）V。
34、某电路中，三极管静态时各极对地的电位如图所示，则其工作于（）状态。（放大、饱和、截止）（设三极管和二极管均为硅管）
35、二极管电路如图所示。输出电压Uo值为（）V。（二极管理想）
36、电路中二极管理想，其工作状态是（）。（导通，截止）
37、图中稳压管VD1、VD2的稳定电压分别是5V和9V，则输出电压Uo为（）V。
38、已知某晶体管的PCM＝800mW，ICM＝500mA， U(BR)CEO＝30V。若该管子在电路中工作电压UCE ＝10V，则工作电流IC不应超过_______________mA。
第六讲 晶体管放大电路基础
第一节 放大的概念与放大电路的性能指标随堂测验
1、某放大电路在输入电压为0.1V时，输出电压为8V；输入电压为 0.2V时，输出电压为 4V（均指直流电压）。则该放大电路的电压放大倍数为（）。
A、80
B、40
C、－40
D、20
2、电压放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（）。
A、强
B、弱
C、一般
D、不确定
3、放大电路A、B的放大倍数相同，但输入电阻、输出电阻不同，用它们对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路条件下测得A的输出电压小，这说明电路A的（）。
A、输入电阻大
B、输入电阻小
C、输出电阻大
D、输出电阻小
4、对于电流放大电路来说，输出电阻（）越好。
A、越小
B、越大
C、随意
D、不确定
5、只有电路既放大电压又放大电流，才称其具有放大作用。
6、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
7、可以在放大电路通电情况下，用欧姆表测量该放大电路的输出电阻。
8、已知某放大电路的输出电阻为3KΩ，在接有4KΩ负载电阻时，测得输出电压为2V。在输入电压不变的条件，断开负载电阻，输出电压将上升到（ ）V。
9、放大电路当接入一个内阻等于零的电压信号源时，测得的输出电压为4V，在信号源内阻增大到1kΩ，其它条件不变时，测得输出电压为3V，该放大电路的输入电阻为（）kΩ。
第二节 放大电路的偏置和组态随堂测验
1、共发射极放大电路信号从（）。
A、基极输入，集电极输出
B、发射极输入，集电极输出
C、基极输入，发射极输出
D、发射极输入，基极输出
2、共基极放大电路信号从（）。
A、基极输入，集电极输出
B、发射极输入，集电极输出
C、基极输入，发射极输出
D、发射极输入，基极输出
3、共集电极放大电路信号从（）。
A、基极输入，集电极输出
B、发射极输入，集电极输出
C、基极输入，发射极输出
D、发射极输入，基极输出
4、下图所示放大电路中，T1和T2管分别构成（）组态电路。
A、共射 共射
B、共集 共基
C、共射 共基
D、共射 共集
5、下图所示放大电路中，T1和T2管分别构成（）组态电路。
A、共集 共射
B、共集 共基
C、共射 共基
D、共射 共射
6、阻容耦合放大电路不能放大（）。
A、高低频混合信号
B、语音信号
C、交变信号
D、直流信号
7、直接耦合放大电路的静态工作点易受影响，低频特性好，易于集成。
第三节 共射放大电路的工作原理随堂测验
1、基本共射放大电路中，基极电阻Rb的主要作用是（）。
A、把基极电流的变化转化为输入电压的变化
B、限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路
C、保护信号源
D、防止输出电压被短路
2、电路中的晶体管原处于放大状态，若将Rb调至零，则晶体管（）。
A、仍处于放大状态
B、处于饱和状态
C、过热烧毁
D、处于截止状态
3、基本共射放大电路中，集电极电阻Rc的主要作用是（）。
A、限制集电极电流的大小
B、防止信号源被短路
C、保护直流电压源
D、将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量
4、在单级共射放大电路中，在中频小信号情况下，若输入电压ui为正弦波，则uo和ui的相位（）。
A、同相
B、反相
C、超前90度
D、滞后90度
5、在单级共射放大电路中，在中频小信号情况下，若输入电压ui为正弦波，则ui和ic的相位（）。
A、同相
B、反相
C、超前90度
D、滞后90度
6、在图示基本共射放大电路中，放大电路中的直流分量来源于（）。
A、晶体管
B、直流电源
C、信号源
D、耦合电容
7、在放大电路中，直流、交流分量共存，两种信号分量的作用不同。
8、对放大电路进行分析，采取先动态后静态的分析方法。
第七讲 BJT放大电路静态分析
第一节 直流通路和交流通路随堂测验
1、理想情况下，下列器件中对直流信号相当于断路的是（）。
A、电容
B、电感
C、理想直流电压源
D、理想直流电流源
2、如图所示电路的直流通路为（）。
A、（a）
B、（b）
C、（c）
D、（d）
3、可画出如图所示放大电路的交流通路为图（）。
A、(a)
B、(b)
C、(c)
D、(d)
4、根据放大电路的组成原则，在下图所示各电路中只有图（）具备放大条件。
A、（a）
B、（b）
C、（c）
D、（d）
5、理想情况下，下列器件中对交流信号相当于短路的是（）。（注：多选）
A、电容
B、电感
C、理想直流电流源
D、理想直流电压源
第二节 静态分析估算法随堂测验
1、
A、IBQ=20μA,ICQ=2mA,UCEQ=-2V
B、IBQ=20.8μA,ICQ=2.1mA,UCEQ=+2V
C、IBQ=20μA,ICQ=2mA,UCEQ=-4V
D、IBQ=20.8μA,ICQ=2.1mA,UCEQ=+4V
2、
A、IBQ=10μA,ICQ=1mA,UCEQ=6.4V
B、IBQ=21μA,ICQ=2.1mA,UCEQ=12V
C、IBQ=10μA,ICQ=1mA,UCEQ=5.6V
D、IBQ=21μA,ICQ=2.1mA,UCEQ=10.6V
3、电路如图所示，已知UCC＝12V，RC＝3kΩ，β＝40且忽略UBE，若要使静态时UCE＝9V，则RB 应取（）。
A、600 kΩ
B、240 kΩ
C、480 kΩ
D、360 kΩ
4、对于如图所示放大电路，当用直流电压表测得VCE≈VCC时，有可能是因为（）。
A、Rb开路
B、RL短路
C、Rc开路
D、Rb过小
5、对于如图所示放大电路，当用直流电压表测得VCE≈0时，有可能是因为（）。
A、Rb开路
B、RL短路
C、Rc短路
D、Rb过小
6、对于如图所示放大电路，若VCC≈12V，Rc＝2kΩ，集电极电流IC计算值为1mA，今用直流电压表测得VCE＝8V，这说明（）。
A、工作正常
B、三极管c－e极间开路
C、三极管b－e极间开路
D、电容C2短路
第三节 静态分析图解法随堂测验
1、直流负载线的斜率是（）。
A、-1/Rc
B、-1/RL
C、.-1/RB
D、
2、如图所示，某固定偏置单管放大电路的静态工作点原来位于Q2，若将直流电源UCC适当增大，则静态工作点将移至（）。
A、Q1
B、不变
C、Q3
D、Q4
3、下图所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q1点移动到Q2点可能的原因是（）。
A、电源UCC电压变高
B、集电极负载电阻RC变小
C、集电极负载电阻RC变大
D、基极回路电阻RB变大
4、下图所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是（）。
A、电源UCC电压变高
B、基极回路电阻RB变大
C、集电极负载电阻RC变大
D、基极回路电阻RB变小
5、图 (b)示出了图 (a)固定偏流放大电路中三极管的输出特性，其中①为直流负载线，可求得电源电压VCC为（）。
A、6V
B、7V
C、8V
D、7.5V
6、图 (b)示出了图 (a)固定偏流放大电路中三极管的输出特性，其中①为直流负载线，可求得电阻Rb的值约为（）。
A、420kΩ
B、350kΩ
C、200kΩ
D、265kΩ
7、图 (b)示出了图 (a)固定偏流放大电路中三极管的输出特性，其中①为直流负载线，可求得电阻Rc的值约为（）。
A、120kΩ
B、3kΩ
C、265kΩ
D、30kΩ
第八讲 BJT放大电路微变等效电路法
第一节 BJT基本放大电路交流分析思路随堂测验
1、下列（）情况下，可以用微变等效模型分析放大电路。
A、中高频大信号
B、中低频大信号
C、中低频小信号
D、中高频小信号
2、等效电路分析方法可以不必关心静态工作点，因此不需要进行静态分析。
3、对于大信号作用下的放大电路分析，可以采用图解法分析。
4、对三极管电路进行静态分析时，可将三极管用微变等效模型替代。
第四节 BJT混合参数的确定随堂测验
1、PNP管的简化h参数等效模型为（）。
A、
B、
C、
D、
2、在共发射极交流放大电路中，（）是正确的。
A、
B、
C、
D、
3、
A、1.3
B、1.5
C、1.4
D、1.6
4、有关rbe，下列说法中正确的是（）。（注：多选）
A、rbe是晶体管的动态等效输入电阻
B、rbe的大小与温度无关
C、rbe的值与静态工作点无关
D、只有经过静态分析才能确定rbe的值
5、有关BJT混合参数模型，即h模型，下列说法不正确的是（）。（注：多选）
A、该模型不能分析直流信号
B、只要静态工作点在线性区，h模型就成立
C、模型中受控电流源的方向必须与ib方向一致
D、该模型对信号的频率没有要求
6、BJT混合参数模型中hfe通常可以在晶体管参数手册上获得。
第五节 微变等效电路法随堂测验
1、如图所示放大电路的h参数小信号等效电路为（）。
A、
B、
C、
D、
2、
A、
B、
C、
D、
3、下图电路中的电容可视为理想。用h参数小信号模型可求得电压放大倍数表达式为（）。
A、
B、
C、
D、
4、下图电路中的电容可视为理想。用h参数小信号模型可求得输入电阻表达式为（）。
A、
B、
C、
D、
5、下图电路中的电容可视为理想。用h参数小信号模型可求得输出电阻表达式为（）。
A、
B、
C、
D、
6、在如下基本共射放大电路中，当β一定时，在一定范围内增大IE，电压放大倍数|Au|将（）。
A、增大
B、减小
C、不变
D、不确定
第九讲 BJT放大电路动态分析图解法
第一节 交流负载线分析随堂测验
1、共射放大电路如图所示，图解分析法中，交流负载线的斜率是（）。
A、-1/RL
B、-1/RC
C、-1/RL’ (RL’=RL//RC)
D、-1/Rb
2、通常情况下，交流负载线比直流负载线要陡些。
3、交流负载线和静态工作点无关。
4、共射放大电路输出与输入相比，幅度被放大了，频率不变，相位相同。
5、在放大电路的交流负载线分析中，需将动态信号叠加在静态工作点上。
第二节 非线性失真分析随堂测验
1、在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生（）失真。
A、截止失真
B、饱和失真
C、双向失真
D、线性失真
2、由NPN型三极管组成的单管共射放大电路，如下图（左）所示，已知输入正弦信号、输出信号波形（右图），则它属于（）。
A、交越失真
B、饱和失真
C、截止失真
D、频率失真
3、在下图所示放大电路中，逐渐增大正弦输入电压幅度，发现输出电压出现底部削平失真，如果这时保持输入不变，减小RL，将会出现（）现象。
A、底部失真加重
B、底部失真减轻或消失
C、将同时出现顶部和底部削平失真
D、失真不变
4、在下图所示的放大电路中，原来没有发生非线性失真，然而在换上一个β比原来大的三极管后，失真出现了，这个失真必定是（）。
A、截止失真
B、饱和失真
C、饱和失真和截止失真同时出现
D、交越失真
5、图示电路VCC=12V，RC=3kΩ，静态管压降UCEQ=6V，并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3kΩ，该电路的最大不失真输出电压有效值为（）。
A、2V
B、3V
C、6V
D、5V
6、放大电路如下图（左）所示，输入电压Ui与输出电压Uo的波形如下图（右）所示，为使输出电压波形不失真则应（）。（注意：多选）
A、增加RC
B、增加RB
C、减小RB
D、减小RC
7、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
8、非线性失真都是静态工作点不合适造成的。
仿真作业第二次
1、三极管的电流放大作用测试电路仿真（50分） 单管共发射极电路仿真（50分）
第十讲 静态工作点稳定技术
第一节 静态工作点稳定需求分析随堂测验
1、对于固定偏置放大电路，随着温度升高，容易使放大电路出现（）。
A、截止失真
B、饱和失真
C、频率失真
D、交越失真
2、对于固定偏置放大电路，当室温升高时，其三极管ICQ（）。
A、增大
B、减小
C、不变（或基本不变）
D、不定
3、对于固定偏置放大电路，当室温升高时，静态工作点将（）。
A、降低
B、升高
C、不变（或基本不变）
D、不定
4、在温度变化、三极管老化、电源电压波动等外部因素的影响下，将引起静态工作点的变动，其中影响最大的是（）。
A、温度变化
B、三极管老化
C、电源电压波动
D、信号频率变化
5、IB不变的情况下，当温度升高，UBE将增大。
6、随着温度升高，ICBO增大。
第二节 稳定静态工作点的典型电路及其原理随堂测验
1、对于如图所示射极偏置电路，当室温升高时，三极管的UCEQ（）。
A、增大
B、减小
C、不变（或基本不变）
D、不定
2、对分压偏置共射放大电路而言，需要满足（）条件，静态工作点才能得以基本稳定。（注：多选）
A、
B、
C、
D、
3、分压偏置共射放大电路稳定静态工作点的关键要素包括（）。（注：多选）
A、晶体管性能稳定，β不随温度变化
B、基极电位基本恒定，不随温度变化
C、电阻具有热补偿作用
D、Re引入直流电流负反馈
4、之所以射极偏置电路可以稳定静态工作点，其本质是Re引入了直流负反馈。
5、分压偏置共射放大电路能够稳定静态工作点，即UBEQ、IBQ、UCEQ、ICQ均保持基本不变。
第三节 分压偏置共射放大电路的静态分析随堂测验
1、在下图所示放大电路中，已知VCC=12V，Rb1=27kΩ，Rc=2kΩ，Re=1kΩ，UBE=0.7V，现要求静态电流ICQ=3mA，则Rb2约为（）。
A、12kΩ
B、10kΩ
C、8kΩ
D、16kΩ
2、在图示电路中，已知3DG4的β=30，则有关静态时的IBQ、ICQ、UCEQ的估算值正确的是（）。
A、IBQ=258μA,ICQ=8.0mA,UCEQ=4V
B、IBQ=62.4μA,ICQ=1.9mA,UCEQ=16.2V
C、IBQ=385μA,ICQ=11.9mA,UCEQ=-3.8V
D、IBQ=220μA,ICQ=6.6mA,UCEQ=6.8V
3、图示电路中，欲增大UCEQ，可以（）。
A、增大Rc
B、增大Rb2
C、增大Rb1
D、减小Rb1
4、分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，IB=20μA，IC=1mA。若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则IB和IC分别是（）。
A、10μA，1mA
B、20μA，2mA
C、30μA，3mA
D、40μA，4mA
5、当用直流电压表测出UCE≈VCC，可能是因为（）。
A、RC开路
B、RC短路
C、Rb1开路
D、Rb2开路
6、在分压偏置共射放大电路中，Re取值越大越好。
第四节 分压偏置共射放大电路的动态分析随堂测验
1、
A、-7.8
B、-159
C、-2.4
D、-2
2、
A、1.6 kΩ
B、3.7 kΩ
C、2.5 kΩ
D、5.3 kΩ
3、
A、2.5 kΩ
B、10 kΩ
C、4 kΩ
D、5 kΩ
4、分压式偏置单管共射放大电路的发射极旁路电容CE因损坏而断开，则该电路的输入电阻将（）。
A、增大
B、减小
C、不变
D、不定
5、如下所示电路中，欲提高放大电路的电压放大倍数，可以（）。
A、减小Rc
B、增大β
C、增大RE
D、增大RB2
6、如下所示电路中，若将发射极旁路电容Ce去掉，则哪些参数发生变化？（）（注：多选）
A、电压放大倍数
B、输入电阻
C、输出电阻
D、静态工作点
仿真作业第三次
1、分压式稳定静态工作点电路仿真
第十一讲 其他组态的BJT放大电路
第一节 基本共集放大电路随堂测验
1、下列哪个电路中含有共集放大电路？（）。
A、
B、
C、
D、
2、在单极射极输出器电路中，输出电压uo与输入电压ui之间的关系是（）。
A、两者反相，输出电压大于输出电压
B、两者同相，输出电压近似等于输入电压
C、两者同相，输出电压大于输出电压
D、两者反相，输出电压近似等于输入电压
3、如下图所示电路，β＝80，rbe=1kΩ。当RL=3 kΩ时，电压放大倍数为（）。
A、1.3
B、0.996
C、0.992
D、-0.992
4、如下图所示电路，β＝80，rbe=1kΩ。当RL=3 kΩ时，输入电阻约为（）。
A、1kΩ
B、76 kΩ
C、110 kΩ
D、56 kΩ
5、如下图所示电路，β＝80，rbe=1kΩ。当RL=3 kΩ时，输出电阻约为（）。
A、37Ω
B、1.5kΩ
C、3kΩ
D、12Ω
6、射极跟随器具有（）特点。（注：多选）
A、电流放大倍数高
B、电压放大倍数高
C、电压放大倍数近似于１且小于１
D、输入电阻高，输出电阻低
7、下列场合适用射极输出器的包括（）。（注：多选）
A、作为多级放大电路的输入级
B、作为多级放大电路的缓冲级
C、作为多级放大电路的输出级
D、单独作为放大器使用
第二节 基本共基放大电路随堂测验
1、分析下图所示共基放大电路，RC减小时，静态电压UCEQ将（）。
A、增大
B、减小
C、变化不大
D、不确定
2、下图所示共基放大电路的三极管为硅管，UBE=0.7V，rbb’=200Ω，β=100，可求得该电路的电压放大倍数为（）。
A、60
B、56
C、51
D、66
3、下图所示共基放大电路的三极管为硅管，UBE=0.7V，rbb’=200Ω，β=100，可求得该电路的输入电阻Ri为约（）。
A、22Ω
B、13Ω
C、26Ω
D、18Ω
4、下图所示共基放大电路的三极管为硅管，UBE=0.7V，rbb’=200Ω，β=100，可求得该电路的输出电阻Ro为（）。
A、2.1kΩ
B、1.3kΩ
C、2.6kΩ
D、1.8kΩ
5、对于基本共基放大电路，下列说法正确的是（）。（注：多选）
A、具有电压放大作用，反相放大
B、具有电压放大作用，同相放大
C、不能放大电压
D、不能放大电流
6、共基放大电路较强的电压放大能力，因此可以单独作为电压放大器使用。
第三节 三种组态放大电路的对比随堂测验
1、在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是（）。
A、共发射极电路的电压增益最大、输入电阻最小、输出电阻最小
B、共集电极电路的电压增益最小、输入电阻最大、输出电阻最小
C、共基极电路的电压增益最小、输入电阻最小、输出电阻最大
D、共发射极电路的电压增益最小、输入电阻最大、输出电阻最大
2、为了使高阻输出的放大电路（或高阻信号源）与低阻负载（或低输入电阻的放大电路）很好地配合，可以在高阻输出的放大电路与负载之间插入（）。
A、共射电路
B、共集电路
C、共基电路
D、任何一种组态的电路
3、为了把一个低阻输出的放大电路（或内阻极小的电压源）转变为高阻输出的放大电路（或内阻尽可能大的电流源），可以在低阻输出的放大电路后面接入（）。
A、共射电路
B、共集电路
C、共基电路
D、任何一种组态的电路
4、放大电路的三种组态（）。
A、都有电压放大作用
B、都有电流放大作用
C、都有功率放大作用
D、都不是
5、可以放大电流，但不能放大电压的是（）组态放大电路。
A、共射
B、共集
C、共基
D、不确定
6、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最小的是（）组态。
A、共射
B、共集
C、共基
D、不确定
7、既能放大电压，也能放大电流的是（）组态放大电路。
A、共射
B、共集
C、共基
D、不确定
第四节 复合管放大电路随堂测验
1、下图电路中可以构成复合管的是（）。
A、
B、
C、
D、
2、下图电路中构成的是（）类型的复合管。
A、NPN
B、PNP
C、为复合管，其等效类型不能确定
D、三极管连接错误，不能构成复合管
3、对于复合管共射放大电路，下列说法正确的是（）。
A、电压放大倍数比单管放大电路的大
B、电压放大倍数比单管放大电路的小
C、输入电阻明显增大
D、电流放大倍数基本不变
4、如图所示复合管，已知T1的β1 = 30，T2的β2 = 50，则复合后的β约为（）。
A、1500
B、80
C、50
D、30
5、如图所示复合管，T1和T2管的放大系数分别为β1和β2，输入电阻分别为rbe1和rbe2，则复合管的输入电阻为（）。
A、rbe1
B、rbe2
C、rbe1 +（1+β1 ） rbe2
D、rbe2 +（1+β2 ） rbe1
6、任意两个三极管组成的复合管，其输入电阻都比单管的输入电阻大。
Test2 基本放大电路
1、下图所示电路中，若将RB减小，则IC将（）。
A、增大
B、减小
C、不变
D、不确定
2、下图所示电路中，若将RB减小，则集电极电位VC将（）。
A、增大
B、减小
C、不变
D、不确定
3、下图所示晶体管原处于放大状态，若将RB调到零，则晶体管（）。
A、处于饱和状态
B、处于截止状态
C、仍处于放大状态
D、烧毁
4、图示放大电路中，若将RB阻值调小，而晶体管仍工作于放大区，则电压放大倍数|Au|将（）。
A、增大
B、减小
C、不变
D、不确定
5、在图示分压偏置放大电路中，通常偏置电阻Rb1（）Rb2。
A、大于
B、小于
C、等于
D、任意关系
6、射极输出器（）。
A、有电流放大作用，没有电压放大作用
B、有电流放大作用，也有电压放大作用
C、没有电流放大作用，也没有电压放大作用
D、没有电流放大作用，有电压放大作用
7、下图两级放大电路中的T1和T2管分别构成哪种组态的放大电路（）。
A、共射-共射
B、共基-共集
C、共集-共基
D、共射-共集
8、电 路 如 图 所 示，晶体管β=50，UBE＝0.6 V，RB＝72 kW，RC＝1.5 kW， UCC＝9V，当RW＝0时，晶体管处于临界饱和状态，正常工作时静态集电极电流IC Q 应等于3 mA，此时应把RW 调整为（）。
A、100 kΩ
B、72 kΩ
C、68 kΩ
D、86 kΩ
9、在图示电路中 ，当输入电压为1kHz，5mV的正弦波时，输出电压波形出现底部削平失真，这种失真是（）。
A、截止失真
B、饱和失真
C、交越失真
D、频率失真
10、在图示电路中 ，如果出现截止失真，为了消除失真，应（）。
A、减小Rc
B、减小Rb
C、增大Rb
D、减小 Vcc
11、有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个内阻等于零的信号源电压进行放大，并接有相同大小的负载电阻，测得A的输出电压比B的大。这说明A的（）比B的（）。
A、输入电阻 大
B、输出电阻 大
C、输入电阻 小
D、输出电阻 小
12、某直接耦合放大电路在输入电压为 0.3V时，输出电压为 2V；输入电压为 0.1V时，输出电压为 9V（均指直流电压）。则该放大电路的电压放大倍数（）。
A、90
B、－35
C、35
D、30
13、图示共基放大电路中，β增大时，UCEQ将（）。
A、增大
B、减小
C、变化不大
D、不确定
14、已知图示电路中晶体管的β=100，rbe=1kΩ，在输入电压为有效值等于10mV的1kHz正弦信号时，估计输出电压有效值为（）。
A、0.5V
B、1V
C、2V
D、5V
15、在共发射极放大器中，在发射极加入电阻Re，则电压增益|Au|（）。
A、变小
B、不变
C、变大
D、不确定
16、在如图所示的放大电路中，设Vcc=10V，Rb1=4KΩ，Rb2=6KΩ，Rc=2KΩ，Re=3.3KΩ，RL=2KΩ。电容C1，C2和Ce都足够大。若更换晶体管使β由50改为100（假设ｒbb'约为0），则此放大电路的电压放大倍数（）。
A、约为原来的2倍
B、约为原来的0.5倍
C、基本不变
D、约为原来的4倍
17、射极输出电路如图所示，保持Ui不变，将RL减小一半，这时Uo将（）。
A、明显增大
B、明显减小
C、变化不大
D、不定
18、某放大电路在输入电压不变的条件下，当接入负载电阻RL1＝3kΩ时，测得输出电压Uo1＝3V；当接入负载电阻RL2＝500Ω时，测得输出电压Uo2＝1V。试求该放大电路的输出电阻Ro为（）kΩ 。
A、5
B、0.5
C、2
D、3
19、在三极管多级放大电路中，已知Au1＝20，Au2＝－10，Au3＝1，则可知其组态分别为：Au1是（）放大器，Au2是（）放大器，Au3是（）放大器。
A、共基、共射、共集
B、共射、共基、共集
C、共集、共基、共射
D、共基、共集、共射
20、射极输出电路如图所示，保持Us不变，将RL减小一半，这时Uo将（）。
A、明显增大
B、明显减小
C、变化不大
D、不定
21、图示共射放大电路，其中β和UBE为已知，电容理想。则IBQ的表达式为（）。
A、
B、
C、
D、
22、图示共射放大电路，其中β和UBE为已知，电容理想。则电压增益的表达式为（）。
A、
B、
C、
D、
23、图示共射放大电路，其中β和UBE为已知，电容理想。则输入电阻的表达式为（）。
A、
B、
C、
D、
仿真作业第四次
1、共基极电路和共集电极电路仿真作业
第二章作业
1、第二章作业
第二章作业订正
1、错题订正
第十二讲 频率响应基础
第一节 频率响应问题的提出随堂测验
1、
A、没有产生失真
B、产生了非线性失真
C、产生了幅度失真
D、产生了相位失真
2、
A、没有产生失真
B、产生了非线性失真
C、产生了幅度失真
D、产生了相位失真
3、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）。
A、耦合电容和旁路电容的存在
B、半导体管极间电容和分布电容的存在
C、半导体管的非线性特性
D、放大电路的静态工作点不合适
4、放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）。
A、耦合电容和旁路电容的存在
B、半导体管极间电容和分布电容的存在
C、半导体管的非线性特性
D、放大电路的静态工作点不合适
5、当某阻容耦合放大电路输入一个方波信号时，输出电压波形如图所示，说明该电路出现了（）。
A、饱和失真
B、截止失真
C、频率失真
D、不确定
6、下列失真中属于线性失真的是（）。（注：多选）
A、饱和失真
B、截止失真
C、相位失真
D、幅度失真
第二节 频率响应基本概念随堂测验
1、测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是（）。
A、输入电压幅值不变，改变频率
B、输入电压频率不变，改变幅值
C、输入电压的幅值与频率同时变化
D、输入电压的幅值和频率都不变
2、当信号频率等于放大电路的截止频率时，放大倍数的值约下降到中频时的（）。
A、0.5倍
B、0.7倍
C、0.9倍
D、0.8倍
3、某放大电路电的折线近似波特图如图所示，则该电路的上限截止频率为（）。
A、5×Hz
B、Hz
C、5×Hz
D、Hz
4、某放大电路电的折线近似波特图如图所示，则该电路的下限截止频率为（）。
A、10Hz
B、50Hz
C、70Hz
D、100Hz
5、某放大电路电的折线近似波特图如图所示，则该电路的下限截止频率处的增益为（）dB。
第三节 单时间常数RC电路的频率响应随堂测验
1、单时间常数RC电路如图所示，其为（）电路。
A、高通
B、低通
C、带通
D、带阻
2、单时间常数RC电路如图所示，其电压增益表达式为（）。
A、
B、
C、
D、
3、如下图所示的电路，其电压增益表达式为（）。
A、
B、
C、
D、
4、对于单时间常数的RC电路来说，其截止频率的形式为（）。
A、
B、
C、
D、
5、某电路的频率特性如图所示，已知转折点频率为2MHz，此电路的频率特性表达式为（）。
A、
B、
C、
D、
6、单时间常数RC电路如图所示，在截止频率处，将产生（）。
A、45°的超前相移
B、45°的滞后相移
C、90°的超前相移
D、90°的滞后相移
第十三讲 晶体管频率特性
第一节 晶体管高频等效模型随堂测验
1、晶体管的混合π等效电路模型在下列哪种情况下才能应用?（）。
A、小信号，管子处在饱和区
B、大信号，管子处在放大区
C、小信号，管子处在放大区
D、大信号，管子处在饱和区
2、某晶体管在IEQ=4mA，UCEQ=6V时的参数为β=150，rbe=1kΩ，fT=350MHz，Cb’c=4pF，则gm约为（）ms。
A、6.5
B、153.8
C、88.7
D、230.8
3、某晶体管在IEQ=4mA，UCEQ=6V时的参数为β=150，rbe=1kΩ，fT=350MHz，Cb’c=4pF，则Cb’e约为（）pF。
A、440
B、145
C、70
D、322
4、混合π模型和h参数等效模型之间的关系为（）。
A、在任何情况下都可以等效
B、在任何情况下都不能等效
C、在高频时可以等效
D、在中低频可以等效
5、共发射极晶体管放大器的高频等小电路中，跨导参数gm与（）有关。（注：多选）
A、温度
B、信号频率
C、静态工作点
D、信号幅度
6、
第二节 晶体管频率特性分析随堂测验
1、晶体管的电流放大系数具有（）。
A、高通特性
B、低通特性
C、带通特性
D、带阻特性
2、关于三极管高频参数，下列说法中不准确的为（ ）。
A、
B、
C、
D、
3、某晶体管在IEQ=4mA，UCEQ=6V时的参数为β=150，rb’e=975Ω，Cb’c=4pF，Cb’e=66pF，则fβ约为（）MHz。
A、5.41
B、1.53
C、2.33
D、2.47
4、
A、45°超前
B、90°超前
C、45°滞后
D、90°滞后
5、已知一个三极管在低频时的共射电流放大系数β0=100，特征频率fT=80MHz，当频率为（）时，三极管的|β|≈70？
A、80MHz
B、8MHz
C、0.8MHz
D、12.7MHz
6、
第三节 晶体管高频等效模型的单向化随堂测验
1、如下电路中，利用密勒定理，可以将电容等效到输入回路中的电容C1，其大小为（）。
A、8.16pF
B、40.8pF
C、408pF
D、816pF
2、如下电路中，利用密勒定理，可以将电容等效到输出回路中的电容C2，其大小为（）。
A、8.16pF
B、40.8pF
C、408pF
D、816pF
3、密勒效应是指经输入回路的密勒等效电容将比原电容增大了（）倍。（K为增益）
A、|K|
B、1+|K|
C、1+|1/K|
D、|1/K|
4、在共射晶体管放大器 模型的单向化后，输入端的总等效电容通常（）输出端的总等效电容。
A、大于
B、小于
C、等于
D、视K值的正负而定
5、下图中（）为单向化后的共射晶体管π等效模型。
A、
B、
C、
D、
第十四讲 放大电路频率响应分析
第一节 单管共射放大电路中低频响应分析随堂测验
1、在单级阻容耦合放大电路的波特图中，幅频特性曲线在低频区的斜率为（），相频特性在低频区的斜率为（）。
A、20dB/十倍频 45°/十倍频
B、-20dB/十倍频 45°/十倍频
C、20dB/十倍频 -45°/十倍频
D、-20dB/十倍频 -45°/十倍频
2、对于单管共射放大电路，当f ＝fL时，输出和输入信号的相位关系是（）。
A、＋45°
B、－90°
C、－135°
D、－225°
3、在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值（）。
A、减小
B、增大
C、不变
D、不确定
4、在图示电路中，Ri 为其输入电阻，RS 为常数，为使下限频率fL 降低，应（）。
A、减小C，减小Ri
B、减小C，增大Ri
C、增大C，减小 Ri
D、增大C，增大 Ri
5、共射单级放大电路如图所示，已知图中Rb=470kΩ，Rs=500Ω，晶体管的β = 50，rbe= 2kΩ，通频带范围为10Hz~100kHz，可计算C1的容量为（）。
A、6.4μF
B、8.6μF
C、9.8μF
D、7.6μF
6、共射放大电路如图所示， 若将一个6800pF的电容错接在晶体管b、c极之间，则fL将（）。
A、增大
B、减小
C、不变
D、为零
第二节 单管共射放大电路高频响应分析随堂测验
1、在单级阻容耦合放大电路的波特图中，幅频特性曲线在高频区的斜率为（），相频特性在高频区的斜率为（）。
A、20dB/十倍频 45°/十倍频
B、-20dB/十倍频 45°/十倍频
C、20dB/十倍频 -45°/十倍频
D、-20dB/十倍频 -45°/十倍频
2、共射放大电路如图所示， 若将一个6800pF的电容错接在b、c极之间，则fH将（）。
A、增加
B、减少
C、不变
D、为零
3、图示共射放大电路中，若空载情况下，晶体管b-e间等效电容为C’，则频率fH的表达式为（）。
A、
B、
C、
D、
4、图示共射放大电路中，若Rb减小，则晶体管be间的等效电容将（），fH将（）。
A、增大 增大
B、增大 减小
C、减小 增大
D、都不变
5、由于放大电路的增益带宽积近似为一个常数，所以宽带放大电路的放大倍数一定很低。
6、当晶体管和放大电路的结构选定之后，提高放大电路的电压放大倍数，必会牺牲放大电路的频带宽度。
第三节 三种组态放大电路频率响应性能对比分析随堂测验
1、在双极型晶体管三种基本接法中高频响应特性最好的是（）。
A、共射接法
B、共集接法
C、共基接法
D、不确定
2、在双极型晶体管三种基本接法中高频响应特性最差的是（）。
A、共射接法
B、共集接法
C、共基接法
D、不确定
3、为了得到放大器的带宽和电流与电压增益，通常使用两种不同组态的基本放大器组合实现，较合理的放大器组合是（ ）放大器电路。
A、共射-共集
B、共集-共基
C、共基-共集
D、共射-共基
4、共射－共基组合电路中，此组合电路的上限频率主要取决于（）电路。
A、共射接法
B、共基接法
C、共同确定
D、不确定
第五章放大电路的频率响应作业
1、第五章放大电路的频率响应作业
第五章放大电路的频率响应作业订正
1、请认真订正
第十五讲 场效应管
第一节 场效应管概述随堂测验
1、工作在放大状态的场效应管是（）。
A、电流控制元件
B、电压控制元件
C、不可控元件
D、供能元件
2、和双极型晶体管相比，下列属于场效应管的优势有（）。（注：多选）
A、集成度高
B、输入电阻大
C、放大能力强
D、温度稳定性好
3、场效应管是单极型晶体管。
第二节 结型场效应管随堂测验
1、结型场效应管利用栅源极间所加的（）来改变导电沟道的电阻。
A、反偏电压
B、反向电流
C、正偏电压
D、正向电流
2、P沟道结型场效应管的夹断电压Up为（）。
A、正值
B、负值
C、零
D、任意值
3、P沟道JFET管的电路符号为（）。
A、
B、
C、
D、
4、
A、放大区
B、可变电阻区
C、夹断区
D、击穿区
5、
A、放大区
B、可变电阻区
C、夹断区
D、击穿区
6、
A、放大区
B、可变电阻区
C、夹断区
D、击穿区
7、当场效应管工作在可变电阻区时，可作为阻值受（）控制的线性电阻器。
A、UDS
B、UGS
C、UP
D、UDG
8、结型场效应管中，外加电压UGS和UDS 的极性（）。
A、无特殊要求
B、必须相反
C、必须相同
D、不确定
9、结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。
第三节 绝缘栅型场效应管随堂测验
1、下图中的三种特性曲线，依次属于哪种场效应管？正确
学习通模拟电子技术基础_22
模拟电子技术是电子技术的重要分支，主要研究模拟信号的获取、处理、传输和显示等方面的问题。在现代电子技术中，模拟电子技术有着广泛的应用领域，如通讯、计算机、医疗、工业控制等等。
模拟电子技术的基本概念包括模拟信号、模拟电路、模拟系统等。其中，模拟信号指的是连续时间和连续幅度的信号，模拟电路是处理模拟信号的电路，模拟系统是由模拟电路搭建而成的系统。
模拟信号的获取
模拟信号的获取一般通过传感器实现。传感器是将非电信号转换为电信号的装置，常用的传感器有光电传感器、温度传感器、压力传感器等。传感器将信号转换为电信号后，还需要经过信号调理电路进行放大、滤波等处理，以保证信号的准确性和可靠性。
模拟信号的处理
模拟信号的处理主要包括信号调理、信号处理和信号显示三个步骤。
信号调理是指对原始的模拟信号进行放大、滤波、线性化等处理，以满足后续信号处理的要求。信号处理是指对处理后的信号进行运算、转换、编码等操作，以达到特定的目的。信号显示是将处理后的信号转换为人类可识别的形式，如图像、声音等。
模拟电路的基本元件
模拟电路的基本元件包括电阻、电容、电感、二极管、晶体管等。其中，电阻是用来限制电路中电流的元件，电容用来限制电路中电压的变化速度，电感则用来限制电路中电流的变化速度。二极管是一种具有单向导电性的元件，常用于整流、变换信号等方面。晶体管是一种半导体元件，可用于放大、开关等方面。
模拟电路的基本电路
模拟电路的基本电路包括放大电路、滤波电路、振荡电路、功率放大电路等。其中，放大电路是将弱信号放大到足以被处理的强度，滤波电路则用来去除噪声和不需要的信号。振荡电路可产生连续波，功率放大电路则是将输出的信号放大到足以驱动电机、扬声器等负载的电路。
模拟系统的设计
模拟系统的设计一般遵循着“需求分析-电路设计-仿真验证-实际应用”的流程。首先需要明确系统的需求，包括信号类型、频率范围、动态范围等。然后，根据需求设计相应的电路，并进行仿真验证。最后，将电路实际应用到系统中。
总之，模拟电子技术是电子技术中一门重要的学科，其应用领域广泛，涵盖了许多方面。学好模拟电子技术需要掌握相关知识和技能，并不断拓展实践经验，才能在实际应用中取得好的效果。
