1、单选题：
以下关于电力电子器件说法错误的是（）。
选项：
A:电力电子器件导通时阻抗很小，接近于短路
B:电力电子器件一般都工作在开关状态
C:电力电子器件阻断时阻抗很大，接近于断路
D:电力电子器件不需要信息电子电路进行控制
答案:【电力电子器件不需要信息电子电路进行控制】

2、单选题：
以下关于电力电子器件损耗说法正确的是（）。
选项：
A:电力电子器件损耗由通态电流和通态管压降决定
B:电力电子器件功率损耗一般远大于信息电子器件
C:电力电子器件有散热设计，工作时不需加散热器
D:电力电子器件阻断时的损耗大于开通时的损耗
答案:【电力电子器件功率损耗一般远大于信息电子器件】

3、单选题：
以下关于PN结工作原理说法正确的是（）。
选项：
A:外加反向电压时，外加电场与PN结自建电场方向相反
B:外加反向电压时，PN结表现为高阻态
C:外加正向电压时，多子的漂移运动大于少子的扩散运动
D:外加正向电压时，空间电荷区变宽
答案:【外加反向电压时，PN结表现为高阻态】

4、多选题：
以下关于电力二极管特性说法正确的有（）。
选项：
A:当电力二极管承受正向电压大于零时，正向电流开始明显增加
B:电力二极管由正向偏置转换为反向偏置时会有反向电压过冲现象
C:电力二极管由零偏置转换为正向偏置时正向压降会出现一个过冲
D:电力二极管由正向偏置转换为反向偏置时并不能立即关断
答案:【电力二极管由正向偏置转换为反向偏置时会有反向电压过冲现象;
电力二极管由零偏置转换为正向偏置时正向压降会出现一个过冲;
电力二极管由正向偏置转换为反向偏置时并不能立即关断】

5、多选题：
电力二极管PN结内的空间电荷区又被称为（）。
选项：
A:势垒区
B:电场区
C:阻挡层
D:耗尽层
答案:【势垒区;
阻挡层;
耗尽层】

6、判断题：
当电力二极管用在频率较高场合时，分析其发热原因，开关损耗往往不能忽略。（）
选项：
A:错
B:对
答案:【对】

7、单选题：
以下关于晶闸管引脚与内部结构说法错误的是（）。
选项：
A:阳极在PNPN四层结构中的P1区引出
B:阴极在PNPN四层结构中的N2区引出
C:门极在PNPN四层结构中的N1区引出
D:PNPN四层结构共形成了3个PN结
答案:【门极在PNPN四层结构中的N1区引出】

8、单选题：
以下关于晶闸管门极作用说法错误的是（）。
选项：
A:当阳极电压上升率较高时，晶闸管不通过门极注入电流也可能导通
B:晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用
C:产生注入门极的触发电流的电路称为门极触发电路
D:为了保障触发稳定，注入的门极电流必须导通电流接近
答案:【为了保障触发稳定，注入的门极电流必须导通电流接近】

9、多选题：
以下关于电力二极管动态特性说法正确的是（）。
选项：
A:关断时，反向阻断恢复结束后还有一个正向阻断恢复过程
B:关断时，阳极电流的衰减不是瞬时的
C:开通时，阳极电流的增长不是瞬时的
D:关断时，反向恢复电流会在晶闸管两端引起反向尖峰电压
答案:【关断时，反向阻断恢复结束后还有一个正向阻断恢复过程;
关断时，阳极电流的衰减不是瞬时的;
开通时，阳极电流的增长不是瞬时的;
关断时，反向恢复电流会在晶闸管两端引起反向尖峰电压】

10、多选题：
以下关于电力二极管参数说法正确的是（）。
选项：
A:规定反向重复峰值电压为反向不重复峰值电压的90%
B:规定断态重复峰值电压为断态不重复峰值电压的90%
C:通常取晶闸管的断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的标值，作为该器件的额定电压
D:反向不重复峰值电压应高于反向击穿电压
答案:【规定反向重复峰值电压为反向不重复峰值电压的90%;
规定断态重复峰值电压为断态不重复峰值电压的90%;
通常取晶闸管的断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的标值，作为该器件的额定电压】

11、判断题：
晶闸管开通时间等于阳极电流从10%上升到稳态值的90%所需的时间。（）
选项：
A:错
B:对
答案:【错】

12、判断题：
晶闸管的擎住电流是指是指使晶闸管维持导通所必需的最小电流。（）
选项：
A:错
B:对
答案:【错】

13、单选题：
以下关于电力MOSFET说法错误的是（）。
选项：
A:它开关速度快、工作频率高、热稳定性好
B:它是一种全控型器件
C:它是用栅极电压来控制漏极电流的，所需驱动功率小
D:它电流容量大，耐压高，多用于功率不超过10kW的电力电子装置
答案:【它电流容量大，耐压高，多用于功率不超过10kW的电力电子装置】

14、单选题：
以下关于电力MOSFET导电沟道说法错误的是（）。
选项：
A:当栅极电压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的，称为耗尽型
B:对于N沟道器件，栅极电压等于零时才存在导电沟道的，称为增强型
C:可分为P沟道和N沟道
D:在电力MOSFET中，N沟道增强型器件较多
答案:【对于N沟道器件，栅极电压等于零时才存在导电沟道的，称为增强型】

15、单选题：
以下关于IGBT说法错误的是（）。
选项：
A:IGBT工作在开关状态，是在正向阻断区和饱和区之间来回转换
B:IGBT开关速度高于电力MOSFET
C:IGBT内部可看作双极型晶体管与MOSFET组成的达林顿结构
D:IGBT与电力MOSFET一样，是一种场控器件
答案:【IGBT开关速度高于电力MOSFET】

16、多选题：
以下关于电力MOSFET说法正确的是（）。
选项：
A:目前电力MOSFET大都采用了垂直导电结构
B:电力MOSFET驱动功率不随开关频率的变化而变化
C:电力MOSFET在导通时，只有一种极性的载流子参与导电
D:电力MOSFET在导通时，内部无法形成电导调制效应
答案:【目前电力MOSFET大都采用了垂直导电结构;
电力MOSFET在导通时，只有一种极性的载流子参与导电】

17、多选题：
以下关于IGBT说法正确的是（）。
选项：
A:IGBT可看作是门极可关断器件和电力MOSFET的复合器件
B:相比于电力MOSFET，IGBT的耐高压能力更优
C:IGBT的输入阻抗高，输入特性与电力MOSFET类似
D:相比于电力MOSFET，IGBT的关断时间更短
答案:【相比于电力MOSFET，IGBT的耐高压能力更优;
IGBT的输入阻抗高，输入特性与电力MOSFET类似】

18、判断题：
静电感应晶体管SIT在栅极不加任何信号时是导通的，栅极加负偏压时关断，常被称为正常导通型器件。（）
选项：
A:对
B:错
答案:【对】

19、判断题：
宽禁带半导体材料是指禁带宽度在2.0eV及以上的半导体材料。（）
选项：
A:对
B:错
答案:【错】

20、判断题：
IGBT模块是指将多个IGBT封装在一个模块中，达到缩小装置体积，降低成本，提高可靠性等目的。（）
选项：
A:错
B:对
答案:【对】

对Word中表格的数据进行计算，应该执行的菜单命令是____________

A.I/O设备按输入输出对象不同分为3类：用户可读写设备、机器可读写设备和（）设备
B.下列不属于销售与收款子系统中数据文件的是（ ）。
C.依附关系是从哪一个发展阶段即开始建立
D.智慧职教: 在接到施工单位（ 　）后，项目监理机构应安排旁站人员实施旁站。

Windows操作系统的主要功能是（）

A.晶体管的尺寸的极限大概是：（）
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C.若相邻的单元格内容相同,可以使用（）快速输入
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辋川是唐代 隐居之地。

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D.美国疾病预防控制中心将隐孢子虫列为（ ）类病原。

在很多品牌设计中，设计师利用（ ）原则，保持作品的统一性和风格的一致性。

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从本质上说，网络交往仍然是人与人的现实交往，网络生活也是人的真是生活。

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B.从竞争对手的角度出发，核心能力应具备特征
C.血小板减少患者的实验室检查结果主要是
D.凸轮机构中，凸轮基圆半径愈____， 压力角愈____ ，机构传力性能愈好。

以下不属于冰山模型水面下的部分的选项是

A.公里数较少的情况下，应选用
B.DHCP使用客户/服务器方式。
C.钢材的屈强比越大，表示使用时钢材的（ ）。
D.在直角三角形法中，以水平投影长为底边，直角边的长度应为（）

用▁方法可以改变线程的优先级。

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B.“她好比三春牡丹鲜又艳，我好比雪里的梅花耐霜寒。”是（ ）中的唱词。
C.广义的信道按照包含的功能来区分可以分为（ ）。
D.捐献人体器官的公民应该具备完全民事行为能力，并且以书面形式表示其捐献意愿。

改革创新社会管理体制，需要

A.IAA在细胞质中主要以带负电的阴离子状态(IAA-)存在。（ ）
B.下列化合物有对映异构的应是（）
C.兴趣岛活动中深思冥想的岛屿对应的兴趣类型是
D.三羧酸循环的限速酶是：（ ）

大学生网络心理健康的标准（ ）。

A.输入函数scanf（）对双精度浮点型数据的控制说明是（ ）。
B.把硬盘上的数据传送到计算机的内存中去,称为
C.常见的组团绿地形式有 。
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新建高速铁路工程，为确保轨道的稳固性和平顺性，一般应采用无砟轨道系统

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D.军民融合发展是:\nA兴国之举\nB兴军之本\nC立军之魂\nD强军之策

活塞裙部作用是导向、承受气体压力（）

A.新自由主义的核心思想是（）。
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D.下列关于账户与会计科目的联系与区别的表述中正确的有（ ）。

明代针灸大发展，被称为第三次针灸总结的著作是：

A.下列不属于心病常见症的是
B.25d24c0c73de4ec7a9ce9c0ee440d03d.jpg
C.在黑暗环境下，对明暗感觉较敏感的是
D.下列说法中正确的是______。

黑体表面对应的表面辐射热阻是多少

A.在教学过程中应用结束技能时需要注意的问题包括（）。
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C.确定沟通是否有效的环节是
D.商品货币是本身没有价值的货币